1-氯甲基杂氮硅三环酮化合物的X-射线光电子能谱(XPS)研究

杂氮硅三环类化合物由于其高的生物活性和对分子内存在五配位硅四配位氮间跨环结构的提出而引起人们广泛关注,其 N→Si 配位键的存在与否却至今引起争论。为此,作者曾用 X-射线光电子能谱(XPS)技术分别以直接对比的方式和从硅上带有不同取代基对 N→Si 配位键的影响两个侧面证实这类分子内 N→Si 配位键的存在,同时也做了 EHMO(扩展的 Hückel 分子轨道)计算处理,计算很好地说明作者的 XPS 实验结果。本文报道用 XPS 技术从另一个侧面:杂氮硅三     

杂氮硅三环类化合物15N NMR研究

本文对杂氮硅三环类化合物作了15N核磁共振研究,并用CNDO/II方法对部分化合物进行了量子化学计算。导出了15N化学位移随硅上取代基R的Taft极性取代常数σ和氮原子净电荷密度线性变化的规律。从实验和理论两方面进一步证实了杂氮硅三环类化合物分子中存在着Si←N配位键。     

杂氮硼三环类化合物的~(11)B NMR及量子化学研究

本文对杂氮硼三环进行了~(11)B NMR研究和CN DO/Ⅱ计算。实验和计算结果均证实了这类化合物分子中B←N配位键的存在。实验结果还表明,~(11)B化学位移受环的大小,取代基的性质与位置和立体位阻等因素的影响。计算结果还表明,B←N配位键的强度约为“纯共价双电子键”的一半左右,比杂氮硅三环类化合物中的Si←N配位键要强,因而也就更稳定。     

杂氮铝三环的~(27)AI NMR

杂氮三环化合物(如图,M=Si,B,Al,Ti,Sn等)由于其特殊的结构和生理活性,引起了人们的兴趣,物理分析方法证实杂氮硅三环、杂氮硼三环等化合物中存在N→Si、N→B配位键。其它类型的杂氮三环化合物中是否也存在N→M配位键,是一个引人关注     

杂氮三环化学的进展

本文综述了含中心原子si、B、Ti、Al杂氮三环化学的进展。在合成工作的基础上利用各种手段着重研究了分子中N→M配位键的存在。研究表明配位键的强度不仅受取代基R的影响,而且还与环结构的变化有关。系统地采用X射线光电子能谱(XPS)技术对此类化合物的分子结构进行了研究。     

双-杂氮硅三环化合物的合成

杂氮硅三环是一类分子内具有N→Si配位键的化合物，作者曾报道了一系列该类化合物的合成方法和化学结构。对于一个分子内带两个对称的硅三环结构的双一杂氮硅三环化合物的合成，文献报道还很少啪。我们用下     

杂氮铝三环类化合物的合成

具有 N→M 配位键的杂氮三环(Atrane)类化合物近年来正日益引起人们的浓厚兴趣。作者曾经报道了杂氮硅(硼、钛)三环的合成及其分子结构和化学     

STUDY OF XPS AND EHMO CALCULATION ON SILATRANE COMPOUNDS

Twenty silatrane compounds with different substituents(R) on the silicon atom are studied by means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and EHMO(extended Hückel molecular orbitals) theoretical calculation of the nine compounds in which substituents(R), F, Cl, Br, I, CH_3, H, CH=CH_2, CH_2Cl and CHCl_2, are carried out. By the X-ray photoelectron spectra of the component elements in these compounds, the existence of N→Si dative bond in these molecules is not only confirmed, but the affection of the different substituents on the strength of N→Si dative bond is also obtained. A linear correlation exists between atomic netcharge(Q) obtained by EHMO calculation and the binding energy shifts of N_1_g and Si_(2p) due to different substituents. The calculated bond orders can well predict the effect ou the strength of N→Si dative bond due to the change of substituents in the experiment. Meanwhile, the calculations indicate that the strength of N→Si dative bond in molecules of all substituents is about h     

1-卤代杂氮硅三环的合成

作者曾对具不同环骨架和不同R取代基的杂氮硅三环(silatrane,简称硅三环)进行过研究.其中硅与R间均为Si—C键.标题化合物中高电负性的卤素与硅直接成键,因而是一组考察硅三环各种性质的典型化合物.     

杂氮锗三环类化合物中锗氮间键本质的量子化学研究

应用量子化学SCC-DV-X_a方法对含取代基R杂氮锗三环类化合物中锗—氮成键的微观本质进行了量子化学研究。提出了Ge←N间键主要是Ge 4_s—N2_s轨道相互作用生成的σ配键,而含取代基R—Ge—N三中心键除了具有σ键外,还存在微弱的三中心π键,Ge 4d轨道参与了此π键的组成;对比了Ge←N和Si←N键的性质,以及两类化合物的化学活性;讨论了取代基R的电负性对Ge←N配键强度和对杂氮锗三环类化合物反应活性的影响。     

取代杂氮硅三环的核磁共振及分子动力学研究

对取代的杂氮硅三环类化合物(Silatrane)-(3R,4S)-1-氯甲基杂氮硅三环-4-羧酸(1)和(3R,4S)-1-氯甲基-3-甲基杂氮硅三环-4-羧酸(2)及它们相应的三乙基铵盐(3)和(4)的结构采用^1H,^1^3C,^2^9Si NMR进行研究, 其一维^1H NMR谱根据二维同核和异核相关谱进行了归属。从测得的偶合常数及化学位移分析, 得出羧基及其铵盐的取代造成相邻另外两环上的-CH2-CH2-O-链上二面角发生扭拐,成为拐折旁式构象。分子动力学方法的模拟计算证明了这种构象变化。另外根据溶液中^2^9Si及^1H的化学位移实验结果, 讨论了该类化合物环上取代对分子内配键(N-Si)的影响。     

1—甲基杂氮硅三环的晶体结构和杂氮硅三环类化合物中硅氮间键的本质的量子化学研究

精确测定了1—甲基杂氮硅三环的X光晶体结构,并用量子化学SCC—DV—X_a法对杂氮硅三环类化合物RSi(OCH_2CH_2)_3N(R=CH_3,F,Cl,Br,I)中硅氮成键本质进行了研究。计算结果证明硅氮间形成的配键中除σ键外还存在微弱的π键,硅原子的3d轨道在成键中起一定的作用。 晶体学参数:C_7H_(15)NO_3Si,M_r=189.3,单斜晶系,空间群P2_1/n,a=7.606(1),b=12.150(1),c=9.779(1),β=91.64(1)°,V=903.4,Z=4,D_c=1.392gcm~(-3),F(000)=408,μ(MoK_a)=2.208cm~(-1)。1510个可观察衍射参与最小二乘修正,最终偏离因子R=0.044。     

3，7，10－三甲基杂氮硅三环类化合物的合成及结构分析

３，７，１０－三甲基杂氮硅三环类化合物的合成及结构分析鲁开娟，王天用（中国科学院化学研究所北京１０００８０）带有Ｎ－Ｓｉ配位键的杂氮硅三环类化合物，其性质主要取决于环骨架结构和硅原子上所连接的Ｒ取代基。作者曾将杂氮硅三环化合．物的一个五之环结构扩大成...     

具有生物活性的有机硅化合物的研究VII.1-芳酰氧基-2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-硅杂三环[3,3,3,0[1.5]]十一碳烷的研究

用新的方法合成了九个1-芳酰氧基2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-硅杂三环[3.3.3.0[1,5]]十一碳烷(简称 1-芳酰氧基杂氮硅三环)。本方法具有产率高,后处理简便等优点。X-射线晶格衍射确定了该类化合物分子内N→Si键键长较短,说明配键强度较大。报道该类化合物的IR, 1H NMR及MS,并讨论了质谱断裂机理。     

1-杂环芳酰氧基-2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-硅杂三环[3.3.3.O[1.5]]十一碳烷的研究

本文合成了六个1-杂环芳酰氧基杂氨硅三环和三个1-杂环芳酰氧甲基杂氮硅三环,这些化合物均未见文献报道.通过1H NMR,IR和X射线衍射的方法,确证上述化合物为五配位络构,分子内的N→Si配键强度较大.这是一类低毒或中毒化合物.     

杂氮硅三环类化合物的紫外光电子能谱及化学键的理论研究

报道了10种杂氮硅三环类化合物的紫外光电子能谱(UPS).采用RHF/3-21G^*对各化合物进行了构型优化.根据各化合物UPS的谱带特征结合RHF/6-31G^*的计算结果对谱图进行了合理的解析和指认.利用6-31G^*基组进行的电子密度拓扑分析表明,各化合物的N和Si原子间均存在键鞍点,从理论上证实了N和Si原子间存在成键作用.各化合物的UPS和SCFMO计算和电子密度拓扑分析都表明,在该类体系中σ_N→Si配键是比杂氮硼三环类化合物中σ_N→B配键弱得多的成键作用;文中同时讨论了不同取代基对Si和N间成键作用的影响.     

氮杂硅三环类化合物的质谱研究

本文对二十四个氮杂硅三环类化合物进行了质谱研究.测定了它们的低分辨质谱,收集了大部分化合物的高分辨质谱数据并进行了亚稳跃迁测定。结果表明,分子离子的稳定性、基峰的生成方式以及碎片离子的多少主要取决于取代基R的性质.分子的电子轰击质谱裂解存在三种基本方式:(1)断裂Si～R键,生成高度稳定的(M-R)~ 离子,碎片离子较少;(2)开环,失去碎片C_2H_3O;(3)开环,失去碎片CH_2O或CH_3O.用电荷自由基定域理论解释这类化合物的质谱裂解机理,并对影响分子离子稳定性的有关因素及影响基峰形成的原因进行了讨论.     

具有生物活性的有机硅化合物的研究——Ⅶ.1-芳酰氧基-2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-硅杂三环[3.3.3.0~(1,5)]十一碳烷的研究

本文用新的方法合成了九个1-芳酰氧基-2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-硅杂三环[3.3.3.0~(1,5)]十一碳烷(简称1-芳酰氧基杂氮硅三环)。本方法具有产率高,后处理简便等优点。X-射线晶格衍射确定了该类化合物分子内 N→Si 键键长较短,说明配键强度较大。报道该类化合物的 IR,1~H NMR 及 MS,并讨论了质谱断裂机理。     

1-杂环芳酰氧基-2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-硅杂三环[3.3.3.0~(1,5)]十一碳烷的研究

本文合成了六个1-杂环芳酰氧基杂氮硅三环和三个1-杂环芳酰氧甲基杂氮硅三环,这些化合物均未见文献报道。通过1~H NMR、IR 和 X 射线衍射的方法,确证上述化台物为五配位结构,分子内的 N→Si 配键强度较大。这是一类低毒或中毒化合物。     

手征性杂氮硅三环的合成

杂氮硅三环(Ⅰ)(Silatranes)是一类具有五配位键的环状有机硅醚类化合物。与通常的有机硅化合物不同,由于其分子内存在着氮硅原子间配位键而使这类化合物具有很高的生活理性,如毒性、抗癌活性、对动植物的刺激生长活性等,从而引起人们的广泛注意与研究^[1-3]。