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随着准晶研究的深入,准晶中的位错也引起了人们的关注。我们用会聚束电子衍射(CBED)高阶Laue带(HOLZ)线实验方法,结合衍衬象技术,在EM420电镜上,对Al-Cu-Fe准晶二十面体相中的位错进行了初步研究。图1是含有位错的Al-Cu-Fe准晶二十面体相的明场象,箭头指出所研究的位错。由使此位错线不可见的两个衍射矢量,可以初步判断其Burgers矢最b致平行于[110000](二次轴),与文献[1]的结论一致。当直径为4nm的电子束聚焦在该位错线上时,一些HOLZ线发生分裂。本 相似文献
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本文研究了对A1—Mn(18wt%和Mn和25wt%Mn)合金准晶相作SEM观察时的最佳腐蚀条件,展示出上述准晶丰富的形貌相。准晶形貌由大小约0.1μm的小颗粒组成,在凝固时由于固液界面前沿的温度场分布使这些小颗粒调整重排或长大形成准晶结构。 相似文献
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在二十面体准晶i-AlCuFeB颗粒增强的Al基复合材料[Al/(AlCuFeB)p]中发现了AlCuFe二十面体准晶的一种新的大单胞晶态近似相.分别用透射电镜和高分辨电镜对此近似相进行了分析,确定其结构为B心正交,其点阵常数是a=1.166 nm,b=1.195 nm及c=3.44 nm.高分辨像还进一步给出了该相在一个伪5次轴晶面内的原子团排列情况. 相似文献
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自从在急冷的Cr-Ni-Si合金中首次发现八次对称准晶后,在急冷的Mn-Si-Al合金中也观察到了八次准晶,且后者准晶颗粒比前者大,因此可以通过衍衬方法来研究Mn-Si-Al合金中准晶相的缺陷。图A是当电子束平行于八次轴方向入射时得到的八次对称衍射谱的四分之一部份,对该谱的衍射点逐个进行暗场成象分析,结果发现衍射斑点可以分为四类(a.b.c.d)。在a类点的暗场象中看不见黑线似的反相畴界衬度,如图B和图C所示。在b类点成象的暗场象中能看到图D所示的黑线似的反相畴界的衬度,c类点的暗场象则给出图E示的反相畴界衬度。我们从图D和图E可看出,b类点的畴界衬度在c 相似文献
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1939年Bradlev和G0ldschrnidt在鉴定A1.Cu.Fe三元相图时测得4个稳定的、未确定的三元相,其成分分别是:Al5Cu2Fe,称为ψ相,Al2Cu2Fe,称为ω相,Al10Cu10Fe,称为Ф相,Al18Cu10Fe,称为X相。迄今,除了X相未得到进一步证实外,其余三种相包括它们的结构均已被探明(其中ψ相被分析确认为二 相似文献
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为了能够利用液晶可变相位延迟器(LCVR,liquid crystal variable retarder)对 光波的相位延迟进行准 确测量,提出一种基于Stokes参量测量光强法和最小二乘法的LCVR对光波相位延迟的精确定 标方法。从理论分析光波经LCVR后影响相位延迟变化的因素,采用基于Stokes参 量测量的光强法分别对波长为405、532、632和641nm入射光相位延迟随电 压的变化进行测 量, 并实验验证归一化后的相位延迟变化只与驱动电压有关;基于最小二乘法对不同波长的 初始相位延迟量进行定标研究,导出不同波长入射光经LCVR后初始相位延迟量定 标方程,用671 nm波长 的激光对定标方程进行了验证,经定标方程求解的671nm波长的初始相位延 迟量与实 际值偏差为 1.4 nm,且任一驱动电压下,相位延迟量的实际测量值与公式定标计算 值最大相对误差为0. 18%。最后,通过与其他定标方法的比较,进一步说明采用本文方法定标的精确性 和可靠 性。 相似文献
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内短作为多层板层压制作过程中的一种常见的失效形式,一直严重的影响了电子产品的性能。而芯板的涨缩是导致层偏内短的主要原因之一。本文通过分析多层板层压过程中内层收缩的两大主要影响因素:残留内应力和热涨系数不匹配,然后以线路/PP/线路芯板结构的六层板为例,分别建立内应力完全释放与不释放两种数学模型,各自进行求解,得出两种情况下的菲林补偿系数,分别为-0.37和4.79,这与相关制造厂商提供的线路菲林补偿系数的测量数据2~3.5十分接近。另外,计算结果还验证了内应力对内层收缩的影响。 相似文献
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利用全量子理论及部分转置矩阵负本征值的方法,研究了存在相位退相干时多光子T-C模型中两个二能级原子与数态光场相互作用系统中两原子的纠缠演化特性。讨论了相位退相干系数、原子间偶极-偶极相互作用系数、跃迁光子数对原子间纠缠演化特性的影响。结果表明:相位退相干因子并不能完全破坏两原子间的相干性,而是衰减了原子间纠缠度的振荡幅度。随着偶极相互作用系数的增大和跃迁光子数的增多,两原子最终处于纠缠度值较稳定的纠缠态;两纠缠原子的相干性越好,两原子越容易达到纠缠度值较大且稳定的纠缠态。 相似文献
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D. N. Buckley 《Journal of Electronic Materials》1988,17(1):15-20
A 1.4-μm thick InGaAs layer exhibiting an x-ray diffraction linewidth of 18 arcs has been grown on an InP substrate. This is the best crystalline perfection ever reported for InGaAs, as far as the author
is aware. The effect of gas composition on lattice mismatch has been investigated for InGaAs layers grown under a variety
of conditions. An empirical equation has been developed which relates lattice mismatch(Δa/a) to metals ratio, mole fraction of AsH3 and mole fraction of HC1. Values of(Δa/a) calculated using this equation are in good agreement with experiment. The metals ratio for lattice match is shown to vary
linearly with the growth rate. This observation is shown to be consistent with mass transfer limitation in the gas phase.
As a further consequence, relationships between layer thickness uniformity and lattice mismatch uniformity and between growth
rate and gas composition are derived. 相似文献