锂变质铝硅合金中硅相的组织形态分析

自本世纪初发现钠对铝硅合金的变质作用以来 ,变质剂的开发和变质机理的探讨一直是铝硅合金研究的热点课题。通过对铝硅合金变质过程的研究 ,不仅改善了铝硅合金的使用性能 ,而且推动了金属 -非金属型共晶凝固理论的发展。尽管锂元素的化学、物理性能与钠有很多相似之处 ,但是关于其变质作用的报道分歧较大。这可能是由于锂化学活性较大 ,变质过程中变质剂含量控制不准造成的。随着航天航空领域新材料的发展 ,铝锂合金的应用范围扩大。本文对铝锂变质剂的应用过程和相关机理进行了初步的探索。样品制备试验材料 :变质对象为ＺＬ1 0 1合金。…     

铝硅铜稀土压铸合金

阐述新研制出的铝硅铜稀土系压铸合金的力学性能、工艺性能。证明了铝硅铜稀土系压铸合金具有优良的综合性能，能用于生产某些有着徨钉求的汽车、电子、航天等产品的零件上。     

泡沫铝硅合金夹层板局部压缩特性仿真分析

为探讨孔隙率和孔径变化影响泡沫铝硅合金夹层板局部力学性能的机理,文中分析了不同孔隙率和不同孔径对泡沫铝硅合金夹层板的局部压缩性能和能量吸收特性的影响。采用C++和ANSYS软件建立泡沫铝硅合金夹层板模型,并运用Abaqus软件进行有限元仿真模拟。结果表明,在相同孔径下,泡沫铝硅合金夹层板的弹性模量、屈服应力和吸收能量随着孔隙率的增大而减小。在相同孔隙率下,随着孔径的减小,其弹性模量、屈服强度和吸收能量随之增大。     

Al-7Si合金在热处理过程中的显微结构演变

本文利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)研究了固溶处理和时效处理过程中铝硅二元合金中硅颗粒、析出相及硅颗粒与铝基体界面处的微观结构变化特征。研究结果表明:随着固溶时间的延长,硅颗粒的形态由树枝状逐渐变成椭球状和球状;时效过程中,溶入α-Al基体中的硅原子会在铝基体中聚集,形核并形成沿铝基体{111}面生长的硅析出相,同时还会在硅颗粒上析出一层硅的纳米孪晶,这些纳米孪晶会随着时效时间的延长不断长大。硅的孪晶壳层中存在大量孪晶和其他缺陷,除了常见的SiΣ3(111)孪晶外,观察到的孪晶类型还包括多重孪晶,如五重孪晶。     

硅发光研究新进展

回顾了硅发光的研究历程,归纳了新近各种实现硅发光的方法及其优缺点,其中包括单晶硅、纳米晶硅、掺Er硅纳米簇、Si/Ge量子级联结构、THz发射以及硅的受激拉曼散射等方法,并详细介绍了最近在硅拉曼激光器的结构设计、实验装置及其光谱图等方面的新突破.     

铝硅合金表面纳米颗粒的原子力显微镜观察

利用原子力显微镜首次观察到２００℃磁控溅射铝硅合金表面存在纳米颗粒，经测量，此纳米颗粒直径约２０ｎｍ、高１ｎｍ。根据此纳米颗粒的分布，讨论了磁控溅射薄的生长机理，同时，还讨论了此纳米颗粒对半导体工艺的影响。     

MCM-C和HIC的元器件安装工艺技术

(续上期)是不现实的,因为它们有非常高的熔点温度。然而,在两种或三种组份的某一特定配比(即二元或三元合金的共熔体)上,熔点大大降低。共熔体是发生在某些二元、三元合金相图中液相和固相平衡时的一种独特组份,在共熔温度图1金-硅二元合金相图点上,从高温到低温时熔融的合金不经过液态与固态混杂的“泥浆相”直接从液相过渡到固相而形成共晶的固态合金,相应地从低温到高温时固态合金也不经过“泥浆相”直接从固相过渡到液相而形成共熔的液态合金。例如,从图1所示的金-硅二元合金相图[6]可以看出,金(Au)和硅(Si)都有很高的熔点,分别为1063…     

多孔硅发强可见光的新物理模型

本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。     

多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光

本文采用阳极氧化腐蚀技术对等离子ＣＶＤ方法制备的微晶硅薄膜进行了多孔化处理．在室温下用Ｎ２激光激发，在多孔化微晶硅薄膜上观测到了强的可见荧光，其荧光谱中包含１．９４ｅＶ和２．８６ｅＶ两个峰．我们还对其激发谱进行了研究，发现除与跃迁有关的吸收峰（３．４ｅＶ）外，在２—３ｅＶ间还有新的吸收峰．此结果与Ｆ．Ｂｕｄａ等人最近对硅量子线的理论计算相符合．     

硅基芯片金锡共晶焊工艺中金硅扩散机理研究

金锡合金焊料(Au⁸⁰Sn²⁰)具有良好的导热、导电性,广泛用于高可靠集成电路共晶贴片工艺。研究了硅基芯片AuSn共晶焊工艺中工艺参数对硅原子向AuSn焊料扩散的影响,当共晶温度从310 ℃增加到340 ℃时,AuSn焊料中硅原子质量百分比增加1个数量级。分析了硅原子向AuSn焊料的扩散机理,讨论了硅原子向焊料扩散后对产品可靠性的影响及控制措施。     

多孔硅的光致发光谱

本文介绍了用电化学腐蚀的阳极氧化工艺，在硅衬底上制备多孔硅（ＰＳ）薄膜，实验测定了多孔硅薄膜的光致发光谱（ＰＬ），发现光致发光谱峰值波长随阳极氧化时间、ＨＦ浸泡时间或置于空气中自然氧化时间增加而向短方向移动（“蓝移”）．文章用量子限制效应（ＱＣＥ）理论解释了上述实验结果，并提出了在多孔硅发光机制中还存在表面态及实物质在发光中的作用。     

铝-硅过渡合金化接触在MOS器件中引起的漏电流

作为MOS制造过程中的一道工序,铝和硅之间要形成一个良好的接触,需在氮气气氛中进行合金金属化。金属化温度必须严格控制在铝/硅577℃的低共熔温度。在这个温度下,铝/硅将非常迅速地熔合,而且仅在几秒钟内就能贯穿几微米深。这样,许多浅结会遭到破坏。     

高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器

级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1～40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量.     

硅的深槽刻蚀技术研究

研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现，以氟基气体作为工艺气体，铝或铝合金作为掩蔽层时，可以获得极高的选择比；通过增大射频功率，改变气体组分，气体流量等方法，可以较好地解决等离子刻蚀中的各向同性问题。     

高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器

级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1～40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量.     

半导体硅技术发展的新方向

简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。     

硅光栅技术

制作硅光栅的微细加工工艺可分为体硅工艺和面硅工艺，这些微细加工方法在技术上与微电子及微机械工艺可以兼容，这使得制作集成式微型光谱仪成为可能。硅是一种良好的近红外材料，可以用来制作天文红外光谱仪器的浸没光栅。 本文重点介绍了硅光栅的制作工艺及其在不同领域中的应用。     

多孔硅的电致发光

采用横向阳极氧化技术在n型单晶硅衬底上制备多孔硅,室温下光荧光谱峰值位于688nm;表面蒸铝形成铝/多孔硅/硅的类肖特基结构,并观察到采用这种方法生长的多孔硅样品的室温电致发光。铝/多孔硅结具有良好的整流特性,在-10V内反向漏电流小于50nA,理想因子为7。室温电致发光的阈值电流为8.5mA,发光强度随正向电流的增加而加强。     

快速测定镍硅铜合金中的镍、硅含量

介绍了原子吸收分光光度法分析镍硅铜合金中的镍，硅钼蓝光度法测定镍硅铜合金中的硅含量的方法，并对不同的溶样酸、不同空白液、不同分析方法进行了筛选。     

多孔硅对硅中缺陷的吸除效应

研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的吸除效应．结果表明，该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用．采用ＸＴＥＭ分析了多孔硅和衬底硅之间的界面特性，发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区，分析认为该过渡区是一个吸除中心