利用FPGA的全彩OLED显示器控制电路

根据有机发光二极管(OLED)的特性,利用解码模块和FPGA控制模块,设计OLED视频动态图像驱动控制电路。介绍了如何采用FPGA实现OLED视频显示控制电路的方法,分析了电路中各个模块的作用及整个电路的工作过程。从组成框图、硬件设计以及软件流程等几方面介绍了该OLED的驱动电路,给出了硬件接口电路图。其中,FPGA由硬件描述语言(VerilogHDL)设计了控制电路,从DVI接口获取动态图像,获得了能实时动态显示的3.8cm(1.5in)128×(128×3)全彩色PM-OLED显示屏显示。     

OLED点阵驱动电路设计及OLED驱动特性研究

设计了一种方便测试OLED显示屏特性的驱动电路。用此驱动电路研究了与驱动方式相关的(OLED显示屏特性即“串扰”、老化、击穿等，观测到与OLED“形成过程”相对应的“恢复过程”。实验结果表明．通过对驱动电路采取适当的措施，能够减轻“串扰”和击穿对显示屏造成的影响，并延长显示屏的使用寿命。     

有机电致发光产品的研发现状

有机电致发光器件(OLED)具有驱动电压低、主动发光等优势,在平板显示领域引起了广泛的关注。本文介绍了近年来有机电致发光产品的研发状况,并展望了OLED的商业前景。     

OLED电视的发展潜力和应用前景

2007年12月份索尼公司推出了第一款可用于商品化的OLED电视,此项创举轰动一时。此后他们持续致力于研究改进,文章将对索尼公司在大尺寸AMOLED电视上的研发成果和量产化进程做一详细介绍。     

一种新颖的激光驱动器芯片温度补偿电路

基于对激光二极管(LD)输出光功率与流过其上的电流及温度变化关系的分析,研究了激光驱动器芯片温度补偿电路的补偿原理和实现方案,提出了一种简单新颖的称之为温控电流开关的电路,通过片外编程对输出调制电流的温度补偿起点以及补偿力度进行调节.仿真结果显示3.3V工作电压下该电路调制电流的温度补偿斜率可从400 ppm/℃到 2×104 ppm/℃变化,调制电流的温度补偿起点可从20 ℃到75 ℃变化,从而能够灵活地满足不同激光二极管的不同特性的要求.     

External Compensation of Nonuniform Electrical Characteristics of Thin-Film Transistors and Degradation of OLED Devices in AMOLED Displays

The variation of electrical characteristics of polycrystalline-silicon thin-film transistor (TFT) and degradation of organic light-emitting-diode (OLED) device cause nonuniform intensity of luminance and image sticking in active-matrix OLED (AMOLED) displays. An external compensation method that senses and compensates variations of threshold voltage and mobility of TFTs and degradation of OLED device is proposed. The effect of the external compensation method on AMOLED pixel is experimentally verified by measuring the luminance of OLEDs and the electrical characteristics of TFTs in AMOLED pixels.      

Method of Measuring Ultralow Water Vapor Permeation for OLED Displays

It is well known that proper encapsulation is crucial for the lifetime of organic LED (OLED) displays. With the development of better and better barrier coatings and perimeter seals, it has now become very desirable to be able to precisely measure the rate of water vapor and oxygen permeation through barrier coatings and perimeter sealing. This paper demonstrates a new permeation measurement method that uses tritium-containing water (HTO) as tracer materials. The theoretical detection limit is 2.4/spl times/10/sup -7/ g/(m/sup 2//spl middot/day).     

Active-Matrix Amorphous-Silicon TFTs Arrays at 180$^circhboxC$on Clear Plastic and Glass Substrates for Organic Light-Emitting Displays

An amorphous-silicon thin-film transistor (TFT) process with a 180$^circhboxC$maximum temperature using plasma-enhanced chemical vapor deposition has been developed on both novel clear polymer and glass substrates. The gate leakage current, threshold voltage, mobility, and on/off ratio of the TFTs are comparable with those of standard TFTs on glass with deposition temperature of 300$^circhboxC$–350$^circhboxC$. Active-matrix pixel circuits for organic light-emitting displays (LEDs) on both glass and clear plastic substrates were fabricated with these TFTs. Leakage current in the switching TFT is low enough to allow data storage for video graphics array timings. The pixels provide suitable drive current for bright displays at a modest drive voltage. Test active matrices with integrated polymer LEDs on glass showed good pixel uniformity, behaved electrically as expected for the TFT characteristics, and were as bright as 1500$hboxcd/hboxm^2$.     

用于OLED驱动电路的振荡器设计

有机发光二极管(OLED)在不同的工作温度下发光亮度不同,严重影响显示效果。为解决这一问题,需要在驱动芯片中设计温度传感器,实时采样温度信息来调整光亮度。利用带隙基准原理设计了一种输出信号的频率与绝对温度成线性关系的振荡器。通过带隙基准电源产生与绝对温度成正比例的电流,使用该电流对电容充放电以实现信号的振荡。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺对电路仿真,电源电压设置为1.8 V,TT标准工艺角,仿真温度设置为0℃时,输出信号频率为3.447 MHz。温度每升高1℃,输出信号的频率增加16 k Hz,可以为OLED驱动电路提供精确的温度信息。     

Predicting Method of Leakage Current in Multiple-Gate Amorphous Silicon TFTs for Active-Matrix Electrophoretic Displays

The large off-state drain–source leakage current of the thin-film transistor (TFT) in active-matrix electrophoretic display (AMEPD) may cause severe crosstalk and long pixel refresh time. Multiple-gate amorphous silicon TFT (a-Si TFT) is a common use to overcome this issue. In this paper, we show that the leakage current of multiple-gate a-Si TFT can be computed from the $I$–$V$ characteristics of a single TFT by an analytical current model. The predicted leakage currents show good agreement with the expected values in SPICE simulation. This model is also applicable for the multiple-gate a-Si TFTs used in other high voltage driven devices.      

AMOLED电流镜像像素电路的稳定性分析

a—Si：HTFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管闽值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阂值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理。结合a—Si：HTFT阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定性。     

一种微型OLED显示屏驱动接口电路

介绍了一种采用OLED技术的微型显示屏驱动接口电路的实现。根据实际系统性能要求与指标,从硬件和软件两个方面对驱动电路进行了设计,硬件电路体积为20mm×27mm,兼容NTSC和PAL制式,标称功耗为300mW;软件包实现显示初始化,软件IIC接口,组合键盘扫描等功能,同时可以方便地进行在线升级和维护。阐释了系统的硬件构成和软件流程图;最后介绍了实际的测试结果和应用。     

用于OLEDoS微显示的电路设计

本文描述了用于OLED－on-Silicon微显的几种新型电路模块的设计问题，这些模块包括用于降低功耗的带门D触发器，具有最小尖刺噪声的电流模式DAC，所设计的象素单元对器件和工艺的差异不敏感，并具有较大的输出范围，文中展示了两种用上述模块制造的倒置OLED的微型显示样机。     

基于单片机的全彩OLED驱动控制电路

根据有机电致发光显示器件(OLED)的特性,以Philips单片机P89C51RD2为核心,集成了OLED驱动控制器SSD1338U2和外围电路,设计了一种OLED驱动控制电路。从系统硬件接口设计以及系统软件流程等方面介绍了该OLED驱动电路,结合硬件接口原理图,实现了分辨率为128×128、65 k色的全彩色图片显示。     

有源OLED像素电路的设计与仿真

设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路，并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程，详细分析了源（Source）电压VDD、存储电容Cs，以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明，此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流，并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。     

a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计

分析了a—Si：H—TFT阈值电压漂移的机理，即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx：H栅绝缘层和a—Si：H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点，并针对驱动OLED的两管a—Si：H—TFT像素电路，提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿周值电压漂移的方法，即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号，使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程，来实现驱动OLED电流稳定的目的。     

输入电压范围较大的线性偏置电源有助于降低功耗

就隔离式DC/DC转换器而言,我们用偏置电源在启动时带动初级侧电路系统。通常,启动并生成电力后,我们用实际功率级生成的电力来补充该偏置电源,可以是来自主电源变压器的辅助线圈,也可以是来自如正向拓扑中耦合于输出电感的线圈。     

大尺寸高分辨率AM OLED的激光热转印技术

激光热转印(Laser Induced'rhermal Imaging,LITI)是1种新型全彩色AM oLED像素图形制造技术.LITI技术有很多独特的优点,如转印的薄膜厚度均匀,具有多层薄膜叠加转印能力,分辨率高以及易于在大尺寸基板上生产等.韩国三星SDI研究开发中心的研究人员研发并优化了LITI技术制备小分子OLED的各项工艺.所制得的器件具有优异的稳定性.采用LITI技术制造的2.0"QVGA OLED显示器在150 cd/m2白光亮度下,工作寿命超过了20 000 h.研究人员还建立了1条基于第4代基板的LITI OLED中试生产线,为大规模生产LITI OLED做先导研究.     

电容补偿柜的工作及维护

介绍电容补偿柜的补偿效果、使用中发现的不足及一些维护经验。