锑掺杂二氧化锡(ATO)导电粉体的研究进展

介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的特点、导电机理、制备方法研究现状及目前存在的问题.ATO具有良好的导电性、浅色透明性、稳定性、粒子纳米化及多功能性,指出氧空位和Sb5+在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理,主要介绍了液相法中常用制备超细ATO粉体的方法:沉淀法、溶胶一凝胶法和醇盐水解法,最后指出了制备超细ATO粉体存在的问题及解决方法.     

叶腊石基锑掺杂二氧化锡复合导电粉体的制备及电性能

通过化学共沉淀法制备了以叶腊石微粉为基体、表面包覆锑掺杂二氧化锡的复合导电粉体,采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分别对该复合导电粉体晶体结构和微观形貌进行表征,并进一步研究了各反应条件对复合粉体体积电阻率的影响。实验结果表明,当水解温度60℃、水解pH值为1、SnCl4加入量100%、Sb掺杂量16%、600℃煅烧1 h时,可得到体积电阻率为26.cm的复合导电粉体。该复合导电粉体可作为填料广泛应用于导电塑料、橡胶等复合导电产品,同时为矿物基功能材料的低成本制备提供了新的思路。     

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法

一种制备锑掺杂二氧化锡纳米粉体的方法，先将锑白溶解于酒石酸氢钠饱和溶液中，得到酒石酸锑钠溶液，同时配制一定浓度的锡酸钠溶液；根据ATO纳米粉末的锑掺杂量，将酒石酸锑钠溶液和锡酸钠溶液混合并加入酒石酸氢钠作为配合剂，同时加入双氧水作为氧化剂，用硫酸调节混合溶液的酸度；上述混合溶液在高压釜中反应一定时间，     

纳米锑掺杂氧化锡的研究进展

介绍了纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)材料独特的光电机理;系统综述了目前国内外纳米ATO粉体的主要制备方法,包括各制备方法的工艺路线与特点;并对纳米ATO在显示涂层材料、导电抗静电涂料、透明隔热涂料等领域中的应用进行了概括.最后,结合纳米ATO的光电特性,针对纳米ATO材料的制备与应用研究面临的问题提出几点建议.     

纳米导电二氧化钛的研制

采用化学共沉淀的方法在纳米二氧化钛表面包覆SnO2 掺杂Sb2 O5导电层 ,制得纳米导电二氧化钛。讨论了水解 pH值、反应温度、SnO2 的包覆率、m(SnCl4 ·5H2 O) /m(SbCl3)、反应时间和热处理温度对纳米导电二氧化钛体积电阻率的影响。表征了纳米导电二氧化钛及其粒度分布     

防静电陶瓷砖的制备及其导电机理

本文从导电粉的基本性质出发,研究了原料和导电粉的加入量对釉面性能和导电性的影响,创新性地通过增加一层化妆土来改善砖形,成功制备出釉面光泽度低、手感好、导电性能优良的防静电陶瓷。扫描电镜显示釉中的晶体为钡长石和具有导电性能的锑掺杂氧化锡,导电晶体和其周边的熔体层形成整个导电网络,达到防静电的效果。     

水性纳米掺锑二氧化锡(ATO)浆料的研制

采用硅烷偶联剂对纳米掺锑二氧化锡(ATO)粒子表面进行化学改性,以分散剂对其进行物理包覆,调节分散工艺、体系黏度和pH,获得了稳定性可达到两个月以上的水性纳米ATO浆料.傅立叶红外光谱分析表明,硅烷偶联剂可以有效地包裹在纳米粒子表面.当采用硅烷偶联剂KH570,其用量为纳米ATO粒子质量的1.5%时,包覆效果最好;选用嵌段型分散剂3275,其用量为体系质量的0.2%时,分散效果最好;当体系黏度大于88 mPa·s和pH=10时,浆料稳定性最好.透射电子显微镜观测表明,纳米ATO粒子获得了良好分散.     

锑掺杂二氧化锡纳米粉体的制备及性能

以SnCl4·5H2O和SbCl3为主要原料,采用化学共沉淀法制得了纳米级的高导电性能的锑掺杂二氧化锡(ATO)超细粉体.研究了制备工艺对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨其影响机理,得到最佳工艺参数.运用热重-差热(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等测试方法对ATO粉体进行表征,并将试验产品与国内市场的同类产品性能进行了对比.     

复合掺杂的纳米二氧化锡粒子的制备与表征

分别采用微乳液法（辛基酚聚氧乙烯醚＋正己醇／环己烷／水组成的微乳液体系）和柠檬酸溶胶-凝胶法制备了镁与铈、锌、锆复合掺杂的纳米二氧化锡颗粒，通过热分析（TG-DTA）、X射线衍射（XRD）、比表面积测定（BET）、红外吸收光谱（FT-IR）和紫外-可见光谱（Uv-Vis）对其结构进行表征。结果表明，两种方法制备的产物均为金红石结构，微乳液法制备的颗粒较后者具有较小的晶粒粒径、较大的比表面积和紫外吸收边；复合掺杂后，样品的粒径减小，比表面积增大，样品的紫外-可见吸收发生红移；其中，镁-铈复合掺杂的样品具有最小的晶粒粒径和最大的比表面积，分别为4．53nm和78．50m^2／g；复合掺杂能够抑制二氧化锡颗粒生长，增大其比表面积。     

锑掺杂氧化锡包覆氧化硅导电粉的制备及电性能

以氧化硅粉体为载体,用非均匀成核法制备了锑掺杂氧化锡(antimony-doped tin oxide,ATO)包覆氧化硅导电粉.用电阻测试仪、场发射扫描电镜和能谱仪对粉体进行了表征.结果表明:包覆物加入量由二氧化硅用量的12.5%增加到100%时,包覆层厚度也从110 nm增加到600nm.ATO包覆氧化硅粉体的电阻率随处理温度升高的变化趋势与同条件下制备的ATO基本一致,其中包覆物加入量为100%,75%,50%的ATO包覆氧化硅粉在500～1200℃热处理后的电阻率低于200Ω·cm,1 100℃热处理后的25%包覆物加入量粉体的电阻率仅为99.9 Ω·cm.包覆物加入量为12.5%的包覆粉体的电阻率由1 100℃处理后的120.6 Ω·cm上升到1 200℃处理后的超过20 MQ·cm,这是因为包覆层较薄,在高温处理过程中包覆层上颗粒长大并收缩而使包覆层受到破坏.     

应用超临界流体干燥技术制备纳米锑掺杂氧化锡的研究

以无机盐SnCl4·5H2O,SbCl3为起始原料,以乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制备纳米锑掺杂氧化锡(ATO)粒子.在洗涤除去醇凝胶中的NH+和Cl-后,尝试将超临界流体干燥(Supercritical Fluid Drying,SCFD)技术应用于醇凝胶的干燥.醇凝胶干粉经过高温烧结后,制得了疏松结构的纳米ATO粉体.采用XRD、TG/DSC、FESEM、TEM等分析方法对制得的前驱体干粉、纳米ATO粒子进行表征.XRD结果表明,采用溶胶.凝胶法结合超临界流体干燥技术制得了疏松的、四方型金红石结构的纳米ATO粉体,纳米ATO晶化程度高,并随着烧结温度的升高而升高.TG/DSC分析显示,600℃时前驱体分解完全,得到约78.2%的ATO粒子.从FESEM及TEM照片可以看出,疏松的纳米ATO粒子轻微地贴在一起,粒子的粒径在25 nm左右.经过对超临界CO2干燥技术(SCFD)消除前驱体粒子团聚的机理进行分析,揭示了采用超临界CO2流体干燥醇凝胶能够使前驱体粒子保持松敝的结构.因此采用溶胶-凝胶法结合超临界流体技术制得疏松的前驱体干粉,对最终获得粒径小、低团聚、分散性好的纳米ATO粉体的至关重要.     

ATO/GO纳米复合材料的制备及抗静电防腐性能研究

以氧化石墨烯(GO)作为前体,通过氨丙基三乙氧基硅烷将氧化锡锑（ATO）锚定到氧化石墨烯片层上,制备得到氧化锡锑-氧化石墨烯纳米复合材料（ATO/GO）。通过XRD,XPS和SEM对其结构进行测试。并研究了ATO/GO含量对水性环氧涂料（AE）防腐及抗静电性能的影响。结果表明：随ATO/GO含量的增加,复合涂料表面电阻降低,ATO/GO含量大于3%时,表面电阻降低至108Ω以下,达到了抗静电的使用要求;当ATO/GO含量为3%时,漆膜水蒸气透过率降低至（62.13g/m2 h）,具有最低的腐蚀电流密度（Icorr=3.73E-9 A/cm2）和最高的腐蚀电压（Ecorr=-0.19926v）,防腐效率与空白样相比提高了99.95%。     

Sintering of Zinc Oxide Doped with Antimony Oxide and Bismuth Oxide

The phase change, densification, and microstructure development of ZnO doped with both Bi₂O₃ and Sb₂O₃ are studied to better understand the sintering behavior of ZnO varistors. The densification behavior is related to the formation of pyrochlore and liquid phases; the densification is retarded by the former and promoted by the latter. The pyrochlore phase, whose composition is Bi_3/2ZnSb_3/2O₇, appears below 700°C. The formation temperature of the liquid phase depends on the Sb/Bi ratio: about 750°C for Sb/Bi < 1 by the eutectic melting in the system ZnO—Bi₂O₃, and about 1000°C for Sb/Bi > 1 by the reaction of the pyrochlore phase with ZnO. Hence, the densification rate is determined virtually by the Sb/Bi ratio and not by the total amount of additives. The microstructure depends on the sintering temperature. Sintering at 1000°C forms intragrain pyrochlore particles in ZnO grains as well as intergranular layers, but the intragrain particles disappear at 1200°C by the increased amount of liquid phase, which enhances the mobility of the solid second phase.     

导电纤维在针织物中的应用及抗静电性能研究

介绍了嵌织导电纤维的抗静电针织面料的生产工艺,研究了织物中导电纤维间距与导电丝含量及抗静电性能的关系,并模拟曲线得出回归方程,计算出了导电纤维的理论间距和理论含量。     

纳米氧化锡锑透明隔热涂料的制备及性能研究

用分散良好的纳米氧化锡锑(ATO)水分散体，以水性聚氨酯为成膜物，制备了隔热性能良好的透明涂料。光谱分析证实其在可见光区平均透过率可达75％，在红外区阻隔率达到73％，能对热辐射起到有效的阻隔作用。     

导电钛白粉的制备及其在防静电涂料中的应用

以氯化法金红石型钛白粉浆料为包膜原料,采用正交试验及单因子试验等方式,以产品电阻率为主要指标,考察了SnO₂包膜量、pH、包膜温度及包膜时间等包覆ATO的相关工艺条件,确定了导电钛白粉的最佳制备工艺。采用该工艺制备的导电钛白粉配制的水性环氧导电涂料,其涂膜性能与进口导电钛白粉制备的涂膜相当,具有很好的应用前景。     

掺锑氧化锡纳米粉体的制备与表征

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,NH3为共沉淀剂,在表面活性剂存在下,采用室温固相法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体。探讨了掺锑量、表面活性剂对ATO粉体性能的影响。运用IR、XRD、TEM、比表面仪(BET)等对ATO粉体进行了表征。结果表明,当锑掺杂量为12.3%时,ATO纳米粉体具有最小电阻率,为3.36Ω·cm,ATO粉体为四方晶红石结构,颗粒形状为近似球形,粒度均匀,一次粒径为10 nm左右。     

浅色厚浆型导静电环氧涂料的研制

研制成一种浅色厚浆型导静电环氧涂料。介绍了该涂料的配方和制备工艺。讨论了导电填料和颜填料用量,以及助剂对涂层电阻率的影响。实验结果表明：该涂料与同类产品性能相当,但它的应用范围更广,可在苛刻环境条件下使用,经济优势明显。     

氧化锌基复合抗静电涂层的制备

采用钛酸酯偶联剂NDZ-311w对ZAO导电粉体进行表面预处理．以丙烯酸乳液为成膜物质．制备了环保型复合抗静电涂料,将其喷涂于陶瓷表面．制备出外观光滑平整、附着力好、表面电阻在10^7-10^8Ω范围内的复合涂层,达到了陶瓷表面抗静电的要求。     

聚烯烃抗静电/导电复合材料的研究进展

综述了近年来国内外聚烯烃材料抗静电方法的研究进展,包括抗静电剂的外部涂覆法、内部混炼法以及添加导电填料法。按照上述方法所用抗静电剂及导电填料的品种分类总结,分析对比各自的实施方式、导电机理及抗静电效果。重点介绍碳系导电添加剂及导电高分子用于聚烯烃材料抗静电性能的研究现状,展望了未来聚烯烃抗静电改性的发展趋势。