关于大环高分子扩张因子的研究EI

在εｒ＝εｌ的条件下，导出了环型和线型高分子的扩张因子比为ｇα２ｓ＝１和均方回旋半径比为ｇｓ，θ＝ｇｓ＝ｇＫ′＝ｇＫ′θ＝０．５，详细地讨论了α２ｓ～Ｐ关系式中的系数Ｋ′ｒ／Ｋ′ｒ，θ与Ｋ′ｌ／Ｋ′ｌ。     

几类推广的Minkowshi不等式

本文主要得到了如下三类推广的Ｍｉｎｋｏｗｓｋｉ不等式：１）假定ａ，ｂ∈　且ａ和ｂ至少有ｓ个正坐标，则其中１≤ｋ≤ｒ—ｓ，０≤ｓ＜ｒ≤ｎ２）假定ａ，ｂ∈　，则其中ｒ∈Ｒ＋３）假定Ａ（Ｂ）是对称（不必对称）正定矩阵，则（ｄｅｔ（Ａ＋Ｂ））ｒ＞（ｄｅｔＡ）ｒ＋（ｄｅｔＢ）ｒ其中ｒ∈Ｒ＋     

活塞环镀铬溶液中三价铬的控制

根据活塞环镀铬的特点，提出了导致镀铬液中Ｃｒ＾３＋升高的８个因素，指出活塞环镀铬中存在的问题以及解决的办法。     

加入敏化离子C_r~（3＋）的RE：YAG晶体中能量转移

测量了Ｃｒ３＋和ＲＥ３＋（Ｔｍ３＋，Ｈｏ３＋，Ｎｄ３＋）共掺的ＹＡＧ晶体的吸收谱、荧光谱和Ｃｒ３＋的荧光衰减曲线．计算了Ｃｒ３＋向ＲＥ３＋能量转移的效率和速率．它是依Ｈｏ３＋、Ｎｄ３＋，Ｔｍ３＋递增的，提出比较能量转移效率大小的简便方法．     

再论三价铬对铬酸镀硬铬的影响

采用镀硬铬溶液，用电解法改变镀液中Ｃｒ＾３＋的含量，考察Ｃｒ＾３＋浓度对硬铬镀镀液和镀层性能的影响。结果表明，随着硬铬度液中Ｃｒ＾３＋含量的升高，镀液分散能力和电流效率下降，光亮区电流密度范围减小，而镀液的深镀能力，镀层硬度及其耐磨性随Ｃｒ＾３＋含量的升高出现极值。     

电化学腐蚀对Si：Er^3＋材料中Er^3＋发光的影响

利用离子注入技术在硅片表面制备了不同Ｅｒ＾３＋注入剂量的Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品，研究了电化学过程对Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中Ｅｒ＾３＋发光的影响。样品低温红外光致发光实验证明：电化学过程同样在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的硅基质晶体中引入了大量的深能级局域态，且这些局域态较难用退火方式进行控制。     

关于(2k1,2k2)型二重(r1,r2)-循环矩阵的快速算法和计算复杂性

利用矩阵分块逐次降阶的方法，给出了两个（２＾ｋ１，２＾ｋ２）型二重（ｒ１，ｒ２）－循环矩阵相乘，（２＾ｋ１，２＾ｋ２）型二重（ｒ１，ｒ２）－循环矩阵求逆的快速算法，证明了其乘除的计算量分别为２＾ｋ１＋ｋ２＋３（ｋ１＋ｋ２）２＾ｋ１＋ｋ２－１、２Ｋ１＋ｋ２＋（ｋ１＋ｋ２）２＾２ｋ１＋ｋ２，加减的计算量分别为３（ｋ１＋ｋ２）＾２＾ｋ１＋ｋ２、（ｋ１＋ｋ２）２＾ｋ１＋ｋ２＋１。     

Ar~+离子注入Cu及Cu-Cr双层薄膜的表面硬度和电阻性质研究

本文分别对 ２００ｋｅＶＡｒ＋注入 Ｃｕ及 Ｃｕ－Ｃｒ双层的表面硬度和电阻，以及上 述性质的时效效果进行了测量；同时进行了ＴＥＭ分析，发现Ａｒ＋注入Ｃｕ晶粒随剂量 逐渐细化，而Ｃｕ－Ｃｒ双层混合，在１０１７／ｃｍ２Ａｒ＋注入剂量时，ＴＥＭ形貌图出现了 沟纹，为一离子择优溅射效果。此时形成了单一的 Ｃｕ基亚稳相固溶体。经 ２００℃退 火，有孪晶生成，Ｃｒ沉淀析出。     

30CrMnSiA钢的回火组织转变

对三种含砷量的３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢进行了不同温度的回火处理，在室温下测取了回火处理试样的穆斯堡尔谱，同时对典型试样作了金相和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析。试验结果表明。３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢经淬火十回火处理后，其室温组织为α＇固溶体、碳化物和少量残余奥氏体的混合组织。回火温度不同，碳化物的形态也不一样，残余奥氏体含量随回火温度升高而降低。低温回火脆性主要是残余奥氏体分解与ε＋θ碳化物析出综合作用的结果。     

高温高压合成的硅酸锶有铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４Ｅ＾３＋ｕ，Ｂｉ＾３＋和ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋＿，Ｂｉ＾３＋，研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较，常压制备的ＳｒＳｉＯ３Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋为六角结构，而在２．３４－４．１０ＧＰａ的合成压力范围内，它转变为赝正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４；Ｅｕ＾３＋，Ｂｉ＾３＋，为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结     

摩擦焊接头热影响区晶粒特征的研究

采用摩擦焊后水淬和空冷的方法研究了２０ＣｒＭｏ＋３５ＣｒＭｏ摩擦焊接头热影响区晶粒状态及其影响因素。研究结果表明，摩擦焊接头近缝区处于动态再结晶状态。分析了其晶粒尺寸与Ｚｅｎｅｒ－Ｈｏｌｌｏｍｏｎ因子的关系，指出强工艺规范可使晶粒细化，使焊缝韧性提高。     

Tm：YAG和Ho：YAG单晶光纤的光谱及Cr~（3＋）的敏化作用

测量了Ｔｍ３＋和Ｈｏ３＋离子的吸收谱以及Ｃｒ３＋离子在ＹＡＧ单晶光纤中的Ｒ荧光线的寿命．用Ｄｅｘｔｅｒ理论讨论了Ｃｒ３＋离子的能量转移效率。结果表明Ｃｒ３＋→Ｔｍ３＋的能量转移效率比Ｃｒ３＋→Ｈｏ３＋的大．     

SOFC阴极材料(La_0.85Sr_0.15)(Mn_(1-y)Cr_y)O_(3 δ)的非化学整比、晶体结构、电导率和热膨胀性能

研究了掺杂Ｃｒ２Ｏ３对（Ｌａ０．８５Ｓｒ０．１５）ＭｎＯ３（以Ｃｒ部分取代Ｍｎ）Ｍｎ４＋离子的含量、氧非化学整比、晶体结构、电导率和热膨胀系数的影响。结果表明，随Ｃｒ取代Ｍｎ的摩尔比ｙ增加［Ｍｎ４＋］／［Ｍｎ＋Ｃｒ］比率和氧的非化学整比δ减小，而［Ｍｎ４＋］／［Ｍｎ３＋］比率不变；ＬＳＭＣ的晶体结构仍属菱形六面体，且结构和成分（δ）从室温到１０００℃保持稳定；ＬＳＭＣ的导电激活能增大，但在１０００℃时电导率趋于相同，热膨胀性能基本未受影响     

溅射与沉积过程的计算机模拟

应用ＴＲＩＭ和ＴＲＥＩＤＹＮ程序模拟氮化硼材料的溅射率与Ａｒ＾＋入射角的关系，Ａｒ＾＋辅助沉积氮化硼薄膜与硅基片的界面结构，铜基片溅射率与入射能量的关系，以及Ａｒ＾＋以垂直于表面方向轰击非晶硅产生的溅射速率。铜基片溅射率的计算结果与已有的实验数据比较表明，两者吻合得很好。     

TlGaS2和TlGaS2∶Er3＋单晶的光致发光性质

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２∶Ｅｒ３＋单晶。生成的单晶，其光致发光与深层能级及Ｅｒ３＋离子能级有关。由施主－受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处；对ＴｌＧａＳ２∶Ｅｒ３＋单晶，则在６３２和７５９ｎｍ处。由Ｅｒ３＋引起的的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处     

TlGaS2和TlGaS2：Er^3＋单晶的光致发光性质

用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ＾３＋单晶。生成的单晶，其光致发光与深层能级及Ｅｒ＾３＋离子能级有关。由施主－受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处；对ＴｌＧａＳ２：Ｅｒ＾３＋单晶，则在６３２和７５９ｎｍ处。由Ｅｒ＾３＋引起的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处。     

半导体激光器泵浦掺Er3+光纤中继放大器模块通过鉴定

半导体激光器泵浦掺Ｅｒ３＋光纤中继放大器模块通过鉴定（潘荣浚）１９９３年１２月１５日，由清华大学电子工程系完成的国家８６３计划信息领域光电子主题重点科研项目“半导体激光器泵浦Ｅｒ３＋光纤中继放大器模块”在北京通过了国家教委组织的鉴定。掺Ｅｒ３＋光纤放...     

高温高压合成的硅酸锶铕铋的发光特性

用高温高压方法合成了Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅ３＋ｕ，Ｂｉ３＋和ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋研究了合成压力对其发光性能的影响，与用溶胶－凝胶共沉淀法和常压高温法合成的产品作比较．常压制备的ＳｒＳｉＯ３：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋为六角结构，而在２．３４—４．１０ＧＰＳ的合成压力范围内，它转变为反正交结构；常压下Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋为单斜结构，在４．２ＧＰａ的合成压力下，未发现其结构相变．高压合成产物的发光强度和相对量子发光效率降低，半宽度明显增加，且伴有红移发生．发光强度的改变是压致晶场的变化引起的     

氮硼注入GCr15钢的俄歇分析

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析技术对不同剂量Ｎ＋离子注入ＧＣｒ１５钢；Ｂ＋离子单注入；注Ｂ＋离子后再注入Ｎ＋离子、注Ｎ＋离子后再在Ｂ＋离子；以及镀Ｂ后再将Ｎ＋离子注入ＧＣｒ１５钢的注入结果进行了俄歇深度剖面（ＡＥＳ－ＰＲＯ）分析，谱图直观的给出了不同方式注入引起ＧＣｒ１５钢表层组份的变化差异，通过比较解释了耐磨性实验结果。     

Cr2O3对掺锶亚锰酸镧非化学整比,晶体结构,电导率和热膨胀性能影响

讨论了掺杂Ｃｒ２Ｏ３（Ｃｒ部分取代Ｍｎ）对固体电解质燃料电池阴极材料（Ｌａ０．８５Ｓｒ０．１５）ＭｎＯ３的Ｍｎ＾４＋离子含量、氧非化学整比、晶体结构、电导率和热膨胀系数的影响。结果表明：［Ｍｎ＾４＋］／［Ｍｎ＋Ｃｒ］比率和氧的非化学整比δ随Ｃｒ取代Ｍｎ的摩尔比增加而减小，但［Ｍｎ＾４＋］／［Ｍｎ＾３＋］比率不变；晶体结构在室温到１０００℃间属菱形方晶系，且氧非化学整比（δ）保持稳定；导电激活能随Ｃ