III-V族混合晶体的长波长光学声子

在修正的随机元素等位移——MREI模型的基础上建立了一个新模型，计算了AB1-xCx型III-V族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数，同时，运用离子晶体结合的重叠排斥能，估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化，而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAxx，和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据，两者符合较好。     

AxB1-xCyD1-y型四元混晶光学声子性质的研究

针对现有理论的不足,提出了新的AxB1-xCyD1-y型四元混晶中晶格振动理论模型,利用Clausius-Mossotti公式对运动方程组加以简化,同时引入波恩-黄昆方程消除微观变量,最终得到混晶声子频率对组分（x、y）的依赖关系。该理论模型优点在于只需知道AC、AD、BC和BD四种二元混晶的若干参数（光学声子横模频率、纵模频率和晶体的静态介电常数和光学介电常数）,就可求出AxB1-xCyD1-y型四元半导体混晶的光学声子特性,当组分取边界值时,结果则对应三元和二元晶体。理论结果与实验数据符合较好,对今后实验有一定指导作用。     

Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子

在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.     

闪锌矿结构Zn1—xMnxSe混晶光学声子行为

本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分Ｘ值的改变，计算表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为，在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理量，不同混晶应取不同的值。     

Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。     

考虑电子与表面光学声子相互作用的极性晶体膜量子比特

基于线性组合算符法和变分法,讨论了极性晶体膜中电子与表面光学声子(SO)耦合强、与体纵光学声子(LO)耦合弱的电子-声子相互作用系统的量子比特及其声子效应.当膜中电子处于基态和第一激发态的叠加态,电子的概率密度在空间做周期性振荡.结果表明振荡周期随耦合强度的增加而减小,随极化子振动频率的增加而增大.考虑电子与SO声子的相互作用,极化子振动频率发生变化,引起电子概率密度发生改变.     

声子色散对量子点中弱耦合极化子光学声子平均数的影响

采用幺正变换和线性组合算符相结合的方法,研究声子色散对抛物量子点中弱耦合极化子电子周围光学声子平均数的影响.计及纵光学(LO)声子抛物色散,导出了量子点中极化子的基态能量和电子周围光学声子平均数随声子色散系数的变化关系.数值计算结果表明基态能量随声子色散系数的增大而减小,电子周围光学声子平均数随声子色散系数的增大而增大.     

立方半导体光学声子形变势的LMTO计算方法

本文采用LMTO-ASA能带计算方法,以冻结声子的近似模型,计算了GaP和GaAs的长波声子光学模单声子形变势.讨论了几种不同的计算方案并同非局域赝势法(NEPM)的计算结果进行了比较.研究表明,LMTO-ASA的各计算方案中与NEPM方法的结果最为接近的是空球跟随相应原子球位移的冻结势计算方案,其结果与实验结果的符合程度不亚于NEPM方法.从而为闪锌矿结构半导体长光学声子形变势的计算提供了一种可行的从头计算方法.     

n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿

在介电连续近似下，推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模．为了描述受限纵光学声子的振动，采用了一个正确的LO声子势函数，同时，为了处理系统中的界面光学声子，采用了行列式解线性方程组的方法，得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿．本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化，它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法．     

三角形截面GaN纳米线中的Frohlich电子-声子相互作用哈密顿北大核心CSCD

基于介电连续模型,推导和分析了具有等边三角形截面的纤锌矿GaN纳米线结构中的极化光学声子模。研究发现该纳米线结构中存在的精确受限(EC)声子模频率为GaN材料自由z-方向上的纵光学声子特征频率ωz,L,由于受限情况不同,这明显不同于GaN-基量子阱中的情况。进而采用非分离变量法,求解了该纳米线结构中EC声子模静电势的Laplace方程,得到了EC声子模的精确解析的声子态,并导出了系统中的极化本征矢量及其正交关系,自由声子场及相应的Frohlich电子-声子相互作用哈密顿。最后以GaN为例开展了数值计算,绘制了电子-声子耦合函数空间分析情况,对电子-声子耦合函数的对称性、耦合强度等性质进行了讨论,并获得了有意义的结果。     

极性晶体中磁极化子声子色散效应

利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散对极性晶体中磁极化子性质的影响．计及纵光学（LO）声子色散,在抛物近似下导出了极性晶体中磁极化子基态能量、自陷能和基态Landau能随声子色散系数、回旋共振频率和电子-纵光学声子耦合强度的变化关系．数值计算结果表明基态能量随声子色散系数、电子-纵光学声子耦合强度的增大而减小．自陷能随声子色散系数和电子-纵光学声子耦合强度的增大而增大．基态Landau能随电子-纵光学声子耦合强度的增大先增大到最大值后又减小,随声子色散系数的增大而增大．     

基于混合模式的MIS系统的分析与设计

对基于两层结构的C／S模式管理信息系统和基于三层结构的B／W／S模式管理信息系统进行比较。分析两种模式的特点、结构和应用范围，讨论了基于两者混合模式的MIS系统的可行性及其实现方式，并给出高校信息管理系统的分析与设计作为具体的设计实例。     

抛物量子点中弱耦合极化子声子色散效应

利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散对抛物量子点中弱耦合极化子性质的影响．计及体纵光学（LO）声子抛物色散,导出了量子点中极化子的基态能量和自陷能随量子点有效受限长度、电子-纵光学声子耦合常数和声子色散系数的变化关系．数值计算结果表明基态能量随声子色散系数的增大而减小,而自陷能随声子色散系数的增大而增大．     

三元混晶膜的表面激子极化激元

运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算。结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性。     

复式周期结构光子晶体研究进展

综述了近年来复合周期结构光子晶体的最新发展动向,从三种维度阐述了叠层复合和嵌套复合的结构设计思路,通过比较禁带调制性能,认为复合结构较单一结构具有更强的带隙调制作用,其中叠层复合是光子晶体禁带位置及宽度调制的重要手段之一,而嵌套复合主要针对带隙模式的调制.同时还介绍了各种复合结构的制备方法及可能的应用领域.     

一种基于云模型的改进型混洗蛙跳算法

针对经典混洗蛙跳算法在函数优化中易陷入局部最优和早熟收敛等缺点,结合云模型在定性与定量之间相互转换的优良特性,提出一种基于云模型的改进型混洗蛙跳算法。其思想是通过反向学习机制初始化种群,再通过正态云算子求解全局最优个体和子群最优个体周围的更优值,最后利用混沌理论对个别个体进行变异来跳出局部最优解。典型复杂函数测试表明,该算法能有效找出全局最优解,特别适宜于多峰值函数寻优。     

基于混合PSTD-FDTD方法的液晶光学特性模拟

对比分析了时域有限差分法(FDTD)和伪谱时域法(PSTD)的特点,并根据液晶盒的薄板结构特征提出了混合PSTD-FDTD的方法来模拟光在液晶中的传播.该方法在具有较小厚度和精细结构的液晶盒厚度方向上采用FDTD方法,而在具有大表面和相对较平滑内部介质的玻璃基板平面方向上采用PSTD方法.充分利用了FDTD方法适合求解...