共查询到16条相似文献,搜索用时 226 毫秒
1.
2.
3.
20keV钛离子注入植物种子深度浓度分布的模拟计算 总被引:1,自引:0,他引:1
通过创建植物种子靶材料模型和修正的LSS(纵向静态稳定性)理论,使用Monte Carlo方法,提出了一种离子注入植物种子近似计算方法,使用该方法计算了20keV钛离子分别注入花生种子和彩棉种子的深度浓度分布。同时将该计算结果,TRIM程序计算结果,高斯拟合结果分别与实验测量结果进行了比较,本工作获得的计算结果更加接近实验值,并分析讨论了计算和实验结果差异的一些原因。 相似文献
4.
通过创建植物种子靶材料模型和修正的LSS(纵向静态稳定性)理论,使用Monte Carlo方法,提出了一种离子注入植物种子近似计算方法,使用该方法计算了20keV钛离子分别注入花生种子和彩棉种子的深度浓度分布。同时将该计算结果,TRIM程序计算结果,高斯拟合结果分别与实验测量结果进行了比较,本工作获得的计算结果更加接近实验值,并分析讨论了计算和实验结果差异的一些原因。 相似文献
5.
6.
7.
针对辐射伏特效应同位素微电池研究中所面临的主要问题——辐伏转换效率提高与辐射损伤 这一相互制约的矛盾体,利用单晶硅低能电子辐照感生缺陷行为研究,结合两种PIN结构的 电学性能测试,提出I区掺杂浓度为2×1012 cm-3的P+I (N-) N+器件符合 P, N型硅辐射损伤效应预测结果.并以此为原型器件进行63Ni辐照在线输出特性测试, 通过与Wisconsin大学实验数据比较,对影响能量转换效率低下的主要因素进行了分析, 考虑主要从器件采用三维PIN结结构;增大耗尽层能量沉积比重; I (N-)区宽度与沉积深度匹配; 控制漏电流在皮安量级等方面提高能量转换效率,据此对硅基能量转换结构进行设计, 最终确定PIN多孔结构、辐射源厚度、掺杂浓度、耗尽层宽度等结构参数,完成换能结构优化. 相似文献
8.
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mn薄膜, 结合N+ 注入获得Mn-N共掺ZnO薄膜, 进而研究了退火温度对其结构及室温铁磁性的影响. 结果表明, 退火后ZnO:(Mn, N) 薄膜中Mn2+和N3-均处于ZnO晶格位, 没有杂质相生成. 退火温度的升高 有助于修复N+注入引起的晶格损伤, 同时也会让N逸出薄膜, 导致受主(NO)浓度降低. 室温铁磁性存在于ZnO:(Mn, N)薄膜中, 其强弱受NO浓度的影响, 铁磁性起源可采用束缚磁极化子模型进行解释. 相似文献
9.
室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016cm-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800°C高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论. 相似文献
10.
11.
研究表明,TRIM程序运算结果与实验测量离子注入种子的射程分布数据相差甚远.本文根据种子微结构的特点,综合考虑多种因素,设计种子微结构模型和运算程序,用Monte-Carlo仿真不同能量(110 keV,20 keV,200 keV)、不同注量(2×1016 ions·cm-2,5×1016 ions·cm-2,1017 ions·cm-2,2×1017 ions·cm-2)的Fe+注入花生、彩棉、小麦种子的射程分布,结果显示本设计程序仿真的结果与实验测量数据较为吻合.所获得的注入离子与种子微结构相互作用的随机抽样模拟运算方法,为离子注入与生命体相互作用的理论研究提供新的思路. 相似文献
12.
低能离子注入引起的植物种子微结构的变化 总被引:5,自引:0,他引:5
以植物干种子芸豆和花生为生物体材料,采用正电子湮没技术(PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱(PAL)。测量结果表明,在芸豆和花生生物体内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径分别为0.48nm和0.7nm。植物种子的这类特殊的微孔结构是低能离子注入生物效应机理的基础。对注入200keV低能V离子的花生样品也测量了它的PAL谱,并与未经离子注入的花生样品的PAL谱作了比较。 相似文献
13.
POSITRON ANNIHILATION STUDY ON SURFACE STRUCTURE OF BIOLOGICAL SAMPLES IMPLANTED BY IONS WITH LOW ENERGY 总被引:3,自引:0,他引:3 下载免费PDF全文
The organic materials of biological samples, such as lima bean and peanut, were implanted respectively by nitrogen ions with an energy of 100 keV and vanadium ions with an energy of 200 keV. The positron annihilation lifetime spectra of implanted and non-implanted samples were compared with each other especially in τ3 and I3. The experimental results showed that before implantation there were many small holes with diameters of 0.48 and 0.7 nm respectively in lima bean and peanut. After ion implantation, the size of holes would be changed because of organism cross linking and scission. The effective penetration range of implantation of ions with low energy into biological samples is about 200μm. 相似文献
14.
15.
Abstract A model for calculation of the range distribution of energetic ions with taking into account the channeling effect is proposed. The measurement of the depth distributions of boron ions in silicon crystals implanted at 13.6 and 91 MeV revealed significant difference between the measured and the calculated range profiles when the channeling effects have not been included in the calculation. In spite of deminishing the critical angles of channeling with growing ion energy the probability of the capture of ions into the channeling regime is significant in case of high energy implantation even when the incident angles are 7–10° off the main crystallographic directions. 相似文献
16.
利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和 60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015 cm-2 的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM98和SRIM
关键词:
离子注入
6H-SiC
卢瑟福背散射技术
横向离散 相似文献