晶格失配应变对铁电薄膜铁电性能的影响

采用与时间有关的Ginzburg-Landau方程,在考虑表面效应的条件下研究了晶格失配应变对外延铁电薄膜铁电性能的影响,通过外推长度考虑表面效应。获得了不同应变情况下的铁电薄膜电滞回线及蝶形应变迟滞回线。结果表明,剩余极化强度和矫顽场与压应变和张应变密切相关,其值强烈依赖于晶格失配应变。     

基于线下估计和线上补偿的时间交错采样ADC失配误差补偿方法

该文提出一种改进的时间交错采样模数转换器(TIADC)失配误差补偿方法。系统通过误差参数和简化的拉格朗日插值算法分别实现了对偏置、增益的失配误差补偿和采样时间的失配误差补偿。该补偿方法在FPGA中采用低复杂度的定点运算实现,在TIADC硬件平台中实现了对多通道ADC采样数据的线上校正。实验结果表明:所提改进方法在仿真环境下使无杂散动态范围提升了51 dB,并且在硬件实现过程中使SFDR优化达45 dB。在保持失配误差估计精度和补偿效果优良的前提下,该方法不仅降低了算法的计算复杂度,而且该补偿结构不受TIADC通道数目的限制。     

X射线发散束Kossel线对GaInAs/InP晶格失配的研究

用X射线发散束赝Kossel线方法测量GaInAs/InP晶格失配是一种较可取的方法。用此法对于以InP为衬底,厚为7.79μm的GaInAs外延层作精确测量,发现其最大的晶格失配率为2.7×10~(-3),而且在整个样品范围内晶格失配率并不均匀,在某些方向上还存在着取向差。     

尿素晶体的氩离子激光倍频

报道了以氩离子激光514.5、496.5和488.0nm三条谱线在尿素晶体的倍频实验结果,发现由于热效应引起φ角方向的相位失配现象,给出了倍频效率与各参变量间的关系。     

IC设计中失配建模与仿真技术

本文描述了芯片设计时全局失配和局部失配问题，介绍了一种综合性的解决失配建模和仿真的方法。局部器件间的失配同全局的工艺流程变化引起的失配问题一样都需要密切关注。电路的全局工艺参数变化和局部器件间的细微差异，都不可避免对参数失配造成影响。代工厂提供的五角模型在全局失配的仿真中已经得到应用。越来越多的人意识到局部失配问题在IC设计中更加重要。基于空间频率失配模型的分析方法可以很好地分析局部失配和全局失配产生的原因。     

悬置槽线行波相位调制器的特性分析

提出一种新颖的集成光波导行波相位调制器结构，它利用悬置槽线作为调制器的外调制电路，减小了光波和调制波之间的速度失配，提高了相位调制器的调制带宽。采用谱域等效传输线法分析了悬置槽线的传播特性．     

2μm声光Q开关

介绍了一种用于固体激光器调Q的2μm声光Q开关。首次使用"失配率"来表征声光器件的阻抗失配程度,并采用LC匹配网络使阻抗失配率从0.82降低到0,衍射损耗提高了1倍。该文还提出了通过减小声光介质的厚度来提高散热速率和产品可靠性的设计方案。该声光Q开关采用石英晶体作为声光互作用介质,通光方向长度45mm,有效光孔径φ3mm,在驱动功率80W时对2μm线偏光衍射损耗达到了88%。该器件用于Ho∶YA激光器中,在重复频率10kHz时,获得的单脉冲能量1.6mJ,脉冲宽度20ns。     

庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延方法在(001)SrTiO3衬底上制备庞磁电阻La0.8Sr0.2MnO3薄膜.发现高密度、尺度均匀的纳米聚集物弥散地分布在La0.8Sr0.2MnO3薄膜中.Z衬度像、EDS及电子衍射综合分析表明,这些纳米聚集物的内部成分出现起伏,主要特征是富Mn贫La,Mn/La的比值在其核心处达到极大值,形成立方结构的第二相MnO.LSMO薄膜由两种正交结构的取向畴组成.MnO与畴1的取向关系为[101]LSMO,1//[100]MnO和(010)LSMO,1//(010)MnO;与畴2的关系为[101]LSMO,2//[100]MnO和(010)LSMO,2//(001)MnO.在LSMO/STO外延体系中,还观察到大量的失配位错.失配位错的类型分为刃型失配位错,位错线沿<100>方向;螺型失配位错,位错线沿<110>方向.刃型位错是基中原有位错在薄膜生长过程中沿生长表面的扩展造成的;螺型失配位错的形成与降温过程中LSMO正交结构的取向畴的形成有关.     

同轴磁控管热测中存在的问题与克服的办法

本文就多年来在同轴磁控管热测中经常出现的一些问题如跳模、额谱漏线、功率跌落、射频包络失真、失配等现象作了详细的分析,并介绍了解决的办法,可供同轴磁控管设计、热测以及从事雷达发射机设计和使用的有关人员参考。     

碲镉汞焦平面组件中硅减薄工艺与热应力计算

液氮冲击下,碲镉汞(HgCdTe)焦平面探测器中层状材料间线膨胀系数的不同将会在层状材料中产生热失配,过大的热失配应力将引起HgCdTe芯片断裂,决定着HgCdTe 焦平面探测器的结构可靠性。为了解决HgCdTe 焦平面探测器在液氮冲击下的热失配问题,我们借助MATLAB运算工具,采用线弹性多层体系热应力计算方法,得到了硅读出电路(Silicon Read Out Integrated Circuits,Silicon ROIC)的厚度取不同值时,HgCdTe芯片中的热应力沿法线方向的分布。计算结果表明:当Silicon ROIC的厚度由340μm减薄至25μm的过程中,HgCdTe芯片中生成的热应力随着Silicon ROIC厚度的变薄而线性减小。这表明Silicon ROIC减薄方案是一种解决HgCdTe红外焦平面探测器热失配问题的有效途径。     

探测响应对时间交织光模数转换通道失配的影响

从时间交织光模数转换(TIPADC)的通道响应出发,分析了后端光电探测响应与通道失配的关系及其对失配校正的影响,并进行了仿真验证。结果表明:在探测响应不导致串扰的情况下,通道失配的影响与频率无关,可以用单一频点处得到的失配参数进行校正。在探测响应会导致串扰的情况下,不同增益下的通道响应呈同比例变化,但不同时间失配下的通道响应呈不同比例变化,用单一频点处得到的失配参数只能对增益失配进行校正。     

合成孔径雷达参数化成像技术进展

传统合成孔径雷达(SAR)成像可视为点目标散射模型约束下数据空间到图像空间的映射.然而,真实目标多为延展目标,与传统线性成像处理中的点目标散射模型存在失配,会导致SAR图像表征失真.常见的现象是使延展目标多呈现为孤立强点,阻碍了基于SAR图像的目标辨识等应用.SAR参数化成像技术是为解决上述模型失配问题而诞生的一种非线...     

非共轴腔之间的模式匹配特性

本文从腔体的模式理论出发，给出了基横模到基横模、一阶、二阶、三阶、四阶横模的模式耦合及功率耦合系数作为光束半径失配，相前曲率失配，及非共轴失配的函数的解析表达式，并进行了分析讨论，指出了在非共轴失配存在时，奇、偶、模之间的耦合系数不为零的结论。     

时间交叉模数转换系统的时间失配补偿

时间交叉模数转换结构是提高模数转换系统采样率的一种有效途径。由于制造工艺的局限和布线的差异,这种结构会引入通道失配而限制系统的性能。通道失配包括偏置失配、增益失配和时间失配。文中提出了一种基于快速傅里叶变换（Fast Fourier Transform,FFT）计算时间失配并采用有限冲激响应（Finite Impusle Response,FIR）滤波器对它进行补偿的方法,并通过Matlab仿真验证了算法的有效性和可行性。     

MOS晶体管失配模型研究及应用

采用0.18μm CMOS工艺,研究在模拟集成电路中MOS管的失配.通过分析MOS管在饱和区失配因素,优化MOS管失配模型,提出用最小二乘曲线拟合法进行相关模型参数提取.并根据这些参数对基本电路的失配进行预测和分析,给出改善MOS管匹配性的方法.这为相应的集成电路设计中存在的失配提供了理论依据.     

一种新颖的5-31温度计码电流源排布形式——环心排列

介绍了一种新颖的5-31温度计码电流源排布形式--环心排列.通过增加对称性,弥补制造过程中产生的梯度失配误差,以减小电流源之间的失配.对5-31温度计码电流源阵列的理论分析表明,在梯度失配误差方面,与现有排布形式相比,其最大梯度失配误差绝对值至少缩小20%,梯度失配误差的绝对值总值至少缩小30%;同时,由于增加了对称性,梯度误差失配的抵消点数量比原来大大增加.     

P波段微波功率晶体管抗负载失配能力的试验与分析

<正> 一、引言抗负载失配能力是衡量微波功率晶体管可靠性的重要指标之一,提高功率器件的抗负载失配能力,是器件研制中的一项重要任务。通过对器件抗负载失配能力进行实验和分析,可以为改进器件设计、调整工艺条件提供有用的参考数据。在实际应用时,负载局部失配,甚至全部失配的情况都是可能发生的。所以对功率器件来说,应该给出允许失配的范围和条     

通道失配对STAP性能的影响分析及均衡结果

通道频带失配严重影响着空时自适应处理(STAP)的性能,定量地了解通道频带失配对STAP性能的影响对于工程实际有重要意义,本文基于现有的通道频带失配模型,从理论上推导了存在通道失配时和与无通道失配时的杂波协方差函数之间的关系,并分析了通道失配对目标信号的影响,最后针对不同的失配参数对STAP性能的影响进行了仿真分析,并利用两种均衡方法给出了均衡后的结果.     

基于失配序列的OFDM信道估计

本文提出了一种利用失配序列进行OFDM信道估计的新方法。在发端将失配序列加入到OFDM信号中作为训练序列,接收端将收到的去掉循环前缀的失配序列与失配滤波器系数的循环移位序列做相关运算,利用失配序列的优良自相关特性,估计出信道的冲击响应,进而得到子载波处信道的频率响应。理论分析和仿真结果表明,该方法计算复杂度低,估计速度快、精度高,系统的BER性能好。      

通道失配对极化敏感阵列滤波性能的影响

在极化敏感阵列通道失配条件下,建立了极化敏感阵列接收信号误差模型。把通道失配误差分解为阵元极化信息误差和阵列孔径信息误差,给出误差量明确物理解释。在单干扰源情况下,分析了通道失配对极化敏感阵列滤波性能的影响,并给出通道失配条件下,期望信号和干扰信号间的空间匹配系数、极化匹配系数和最大SINR表达式,最后,通过计算机仿真验证了文中结果,并给出有意义的结论。