抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应. 采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性. 对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算，结果表明，两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少，光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

抛物量子线中极化子的温度依赖性

研究了抛物量子线中极化子的温度效应.采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,分别研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的有效质量和光学声子平均数的温度依赖性.对RbCl晶体和CdTe晶体进行了数值计算,结果表明,两种情况下极化子的有效质量随温度的升高而减少,光学声子平均数均随温度的增高而增大.     

抛物量子线中强耦合极化子的有效质量

采用改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,在考虑电子与LO声子相互作用情况下,计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的有效质量m^*和光学声子平均数N。通过数值计算,讨论了约束强度ω0和磁场B对m^*和N的影响。计算结果表明：m^*和N都随ω0和B的增加而增大。     

极性半导体量子点中双极化子LO声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符法和Lee-Low-Pines变分方法研究了极性半导体量子点中双极化子性质的温度依赖性,推导出了量子点中双极化子的LO声子平均数的表达式。数值计算结果表明,双极化子的LO声子平均数随两电子间相对距离的增大或温度的升高而减小,随电子-LO声子耦合强度的增加而增大;两电子间的相对距离、电子-LO声子耦合强度和温度是影响双极化子束缚态稳定性的重要因素。     

量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变分法,研究了温度对量子棒中强耦合极化子平均声子数和振动频率的影响。结果表明,量子棒中强耦合极化子的平均声子数N-和振动频率λ随量子棒纵横比e′、温度T的增加而减小,随电子-声子耦合强度α和受限强度Ω∥的增加而增大。温度对平均声子数N-和振动频率λ的影响只是在温度较高(γ<1.0)时较显著,而在温度较低(γ>1.0)下并不显著。     

极性晶体中表面极化子有效质量的磁场和温度依赖性

采用改进的线性组合算法讨论电子和体纵光学声子弱耦合、与表面声子耦合强时表面极化子有效质量的磁场和温度效应，对ＡｇＣｌ晶体进行了数值计算结果表明，极化子有效质量随温度的升高而减小，随磁场的增大而增大．     

抛物量子阱中强耦合极化子的声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换相结合的变分方法,研究电子与体纵光学声子强耦合情况下抛物量子阱中极化子的声子平均数。给出了抛物量子阱中强耦合极化子的声子平均数与量子阱受限强度和电子-体纵光学声子耦合强度的关系。结果表明：强耦合极化子的声子平均数随量子阱受限强度的增大而增大,随电子-体纵光学声子耦合强度的增大而增大。随着量子阱受限强度的减小,声子平均数趋于晶体材料的值。抛物量子阱受限强度和耦合强度的增大加强电声子之间的相互作用。     

柱形量子点中强耦合极化子的性质

通过精确求解柱形量子点的能量本征方程,得到极化子的基态本征能量以及本征波函数,进而研究了柱形量子点中极化子的性质.数值计算表明:柱形量子点中极化子的声子平均数随着电子-LO声子耦合强度的增大而增大,并且随着柱形量子点半径(或柱高)的增大而减小。     

盘型量子点中极化子的温度效应

在考虑电子与体纵光学声子强耦合的条件下,通过求解能量本征方程,得出了盘型量子点中电子的基态能量、第一激发态能量及其相应的本征波函数;采用幺正变换和元激发理论方法研究了圆盘型量子点的声子效应,并讨论了温度对量子盘中极化子性质的影响。数值计算表明：在温度较低时,声子不能被激发,温度对能量无影响,当温度较高时,声子能够被激发,且温度愈高,被激发的声子数愈多,极化子能量愈大;结果还表明基态能量随着电子-声子耦合强度的增大而减小,随量子盘半径的增大而减小. 说明量子盘具有明显的量子尺寸效应。     

温度对于量子线强耦合极化子振动频率的影响

采用线性组合算符和幺正变换法计算了量子线中强耦合极化子的振动频率、基态能量、基态自陷能随温度、电子-声子耦合强度以及受限长度的变化。我们发现振动频率、基态能量、基态自陷能都是温度及耦合强度的函数,且随着温度的增加而增大;受限长度也随温度及耦合强度的增加而增大,但是当温度增大到一定值时,随着温度的增加耦合强度在减小。     

抛物量子阱中强耦合极化子的基态能量计算

采用线性组合算符和幺正变换相结合的变分方法,研究了电子与体纵光学声子强耦合情况下抛物量子阱中极化子的基态能量。给出了抛物量子阱中强耦合极化子的基态能量与量子阱受限强度和电子-体纵光学声子耦合强度的关系。通过数值计算,结果表明:强耦合极化子的基态能量随量子阱受限强度的增大而增大,随电子-体纵光学声子耦合强度的增大而减小。随量子阱受限强度的减小,基态能量趋于晶体材料的结果。抛物量子阱增强了极化子的基态能量。     

磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响

采用改进的Lee-Low-Pines中间耦合方法研究了在外磁场作用下纤锌矿氮化物抛物量子阱中极化子能级,给出不同磁场下极化子基态能量、结合能随阱宽L的变化关系以及能量随磁场强度B变化的函数关系。在计算抛物量子阱材料中考虑了纤锌矿GaN和Al0.3Ga0.7N构成的抛物量子阱中材料中准LO和准TO声子模的各向异性以及外磁场对极化子能量的影响。结果表明:纤锌矿氮化物抛物量子阱材料中电子-声子相互作用和外磁场对极化子能级有明显的影响。极化子基态能量、结合能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,电子-声子相互作用使极化子能量降低,并且GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对极化子的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定。     

抛物量子阱中的束缚极化子:分维变分方法

采用分维变分方法讨论了有限深抛物量子阱中束缚极化子的束缚能,得到了束缚能随阱宽的变化关系,并给出了声子对束缚能的贡献随阱宽的变化曲线.数值计算的结果表明,束缚极化子的束缚能随阱宽的增大存在一极大值,电子一声子的相互作用使束缚极化子的束缚能显著降低,声子的贡献不可忽略.     

抛物量子阱中的束缚极化子：分维变分方法

采用分维变分方法讨论了有限深抛物量子阱中束缚极化子的束缚能,得到了束缚能随阱宽的变化关系,并给出了声子对束缚能的贡献随阱宽的变化曲线.数值计算的结果表明,束缚极化子的束缚能随阱宽的增大存在一极大值,电子一声子的相互作用使束缚极化子的束缚能显著降低,声子的贡献不可忽略.     

压缩态变分法研究抛物量子点中强耦合极化子的性质

研究了抛物量子点中强耦合极化子的性质。采用基于逐次正则变换的变分方法,利用单模压缩态变换处理包含声子产生湮灭算符的双线性项,得到了仅在考虑电子与体纵光学声子相互作用情况下,在电子-声子强耦合极限下抛物量子点中极化子的基态能量及电子周围光学声子平均数的数学表达式,并分别讨论了有效受限长度、电子-体纵光学声子耦合常数与基态能量和声子平均数之间的变化关系。     

抛物势对GaAs非对称半指数量子阱中极化子基态能量的影响

探究了非对称抛物受限势对GaAs非对称半指数量子阱中弱耦合极化子性质的影响。采用线性组合算符方式和两次幺正变换,导出了GaAs非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的基态能量随x轴、y轴方向的非对称抛物受限势的受限强度ω_x、ω_y和非对称半指数受限势的两个正参量U_0、σ的变化情况。对GaAs半导体进行了数值计算,结果表明非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的基态能量E_0是参量U_0的增函数,而它是另一个参量σ的减函数。非对称抛物受限势的影响表现为基态能量E_0随x轴和y轴方向的非对称抛物受限势的受限强度ω_x和ω_y的增加而迅速增大,表示出量子阱独特的量子尺寸限制效果。     

量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的性质

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法,研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随库仑束缚势、电子-声子耦合强度和椭球的纵横比的变化关系。数值计算结果表明:振动频率、基态能量和基态结合能随库仑束缚势的增加而增大,基态能量和基态结合能随电子-声子耦合强度的增加而增加。当e′>1时,振动频率、基态能量和基态结合能随椭球的纵横比的增加而增加;e′<1时,随纵横比的减少,振动频率、基态能量和基态结合能都增大;当e′=1时,振动频率取极小值,基态能量和基态结合能也取较小的稳定值。