一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法

提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法,该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器,其内阻远小于自偏压电阻;用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大,加到电子枪栅极上控制电子束的通断,使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描,不需用模板即可以"直写"方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列.     

一种用扫描电镜制作表面纳米结构的方法

提出了一种用扫描电镜制作表面量子点、纳米孔和纳米线阵列的方法，该方法是在数字式扫描电镜的阴极自偏压电路中串联一个可控的负电压发生器，其内阻远小于自偏压电阻；用扫描电镜本身的行扫描时钟信号作为控制信号,经倍频和放大，加到电子枪栅极上控制电子束的通断，使电子束由连续扫描变为规则的点、线扫描，不需用模板即可以“直写”方式在涂有电子束光刻胶(PMMA)的样品上实现点、线曝光,形成周期性量子点、纳米孔和纳米线阵列.     

纳米结构制备技术

随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺方法在P型SIMOX硅片上成功制造的一种单电子晶体管,在其电流电压-特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.     

电子束致沉积手控生长碳纳米线

用电子束致沉积(EBID)来制备各种纳米尺寸的结构在纳米材料的制备和器件构建方面有着良好的应用前景。相对于聚焦离子束(FIB),它具有对样品损伤小和所得结构尺寸更小等优点。此前,电子束致沉积的工作大多数在扫描电镜中完成,而在透射电镜中沉积直到近两年才发展起来。本文尝试在普通热发射透射电镜中,手动控制生长碳纳米线、点等结构。对碳纳米线的生长过程进行了原位观测,并对电子束斑的大小、形状和辐照时间对沉积物形状的影响作了初步的研究。最后对电子束致沉积可控生长无定型碳纳米线可能的应用作了一些探索。     

硅基铂钛夹层AAO多孔模版制备半导体量子线

制备一种新型硅基铂钛夹层AAO模版,并用这种模版制备量子线阵列.在硅基上依次用电子束蒸镀铂膜、钛膜和铝层,把在草酸溶液中阳极氧化制备AAO模版的方法,移植到制备这种模版中.再用这种模版直流电沉积制备了Znse半导体量子线阵列.SPM表征出相当好的结果,模版孔径和量子线大小一致,且分布均匀.这种模版底层的铂膜提供了量子线的一个电极,基底硅为纳米器件集成提供了平台.     

名词释义——准一维纳米材料

准一维纳米材料是指在两维方向上为纳米尺度，长度为宏观尺度的新型纳米材料。如纳米棒、纳米线、半导体纳米量子线、纳米线阵列等都属于准一维纳米材料。这些新型材料的实验研究，为进一步研究纳米结构和准一维纳米材料的性能，建立准一维纳米材料的新理论和推进它们在纳米结构器件中的应用奠定了基础。     

金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列

基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。     

钴铂纳米线阵列的制备与性能研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电化学方法成功地制备了CoPl3纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线衍射（XRD）、振动样品磁强计（VSM）和超导量子干涉仪（SQUID）对样品进行测试与表征。形貌观察和物相分析表明,模板中的CoPl3纳米线构成的阵列,排列均匀有序,相互平行;而纳米线中的CoPl3为Ll2无序结构。磁性研究表明,纳米线的无序晶体结构决定了纳米线阵列弱的磁晶各向异性;同时纳米线中部分小晶粒在400K左右表现出顺磁性,导致纳米线阵列居里温度的下降。比较低温和室温下的磁滞回线,低温下有大的矫顽力,从另一方面证明纳米线中的小晶粒确实存在相转变。     

一维AlN纳米结构制备进展

采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的阵列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米;用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时,AlN纳米线也已经在场致发射的研究领域得到应用。综述了AlN一维纳米结构材料的制备方法,分析研究了AlN一维纳米结构的合成反应机理和材料特性。     

ZnO量子点的电子束辐照生长

在直径约40 nm六方纤锌矿结构的ZnO纳米棒的（1010）晶面上,通过电子束辐照生长粒度为5 nm左右ZnO量子点。量子点表面为（1010）、（0001）和（0001）三个晶面构成。通过控制电子束能流密度和氧分压实现控制ZnO量子点生长。