电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片

在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.     

一种新型的具有角度限制的电子束投影曝光技术

具有角度限制的电子束投影曝光技术有可能成为21世纪最有潜力的纳米光刻技术之一。通过配备缩小投影透镜、掩模承片台、基片工作台和控制用计算机,我们将一台透射电子显微镜(TEM)改造成一台用于电子束投影曝光的试验装置。利用这台装置完成了有关掩模性能、电子光学特性和图形对准的一系列实验,同时取得了最细线宽为78nm的抗蚀剂图形。     

双重图形成像技术成本与复杂性之战

今年在SEMICON West的Sokudo光刻早餐论坛上,重点讨论了双重图形成像技术的挑战。可以确定,双重图形成像技术并未解决所有难题,但即便如此,对32nm成像而言,已被认定为最有前景的技术,对22nm成像来说也可能如此。     

用超高速光电采样技术研究半导体微波器件时域特性和频域特性

本文采用超高速光电采样技术研究了半导体微波器件和单片微波集成电路（ＭＩＭＩＣ）的时域特性和频域特性．阐述了该方法的原理及优越性，对时域波形进行了分析和修正．并利用ＦＦＴ技术将时域波形转换为频域图形，得到半导体微波器件的Ｓ参数．我们建立的系统测量可达１００ＧＨｚ以上     

一种可制作任意纳米图形的新技术

提出一种可制作纳米量级任意微细结构图形的新方法。该方法利用特别设计制作的原子束计算全息片来操纵原子运动,在基底堆积形成纳米图形;弥补了原子光刻技术中利用激光驻波场控制原子堆积只能制作单一量子点、线等周期性图形的不足。扼要介绍了原子束全息的基本原理,给出该项技术的实现方案,并进行了模拟研究。结果显示:当原子波长为12nm时,得到了占空比1∶1的50nm线条、60nm方孔以及1郾2μm×1郾2μm大小的汉字图像,表明该技术不仅可以制作点、线等规则图形以及像拐角线这样的周期性图形,还可以制作不规则的非周期性的任意图形,特征线宽均能达几十纳米。     

热压印光刻技术复制波带片图形研究

针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环.初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制.     

近期光刻用ArF准分子激光技术发展

193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻（DPL）技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术：主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。     

稀释倍数对弱碱性铜粗抛液性能的影响

研究了三种不同稀释倍数的弱碱性铜粗抛液,原液采用商用FA/O型铜抛光液,稀释倍数分别为1倍、3倍和5倍。基于化学机械抛光(CMP)作用机理,在相同工艺条件下分析了三种粗抛液对铜膜的平均去除速率、片内非均匀性(WIWNU)和平坦化性能等指标的影响。铜膜的抛光实验结果表明:稀释3倍的弱碱性铜粗抛液对铜膜平均去除速率高达869.76 nm/min,片内非均匀性仅为2.32%。四层图形片的平坦化测试结果显示,图形片初始高低差为312.5 nm,采用稀释3倍的粗抛液抛光20 s后,有效消除高低差261.5 nm,基本实现了全局平坦化,满足45 nm技术节点的要求。     

超宽带精细微波器件优化图形电镀技术

介绍超宽带微波器件精细图形的制作技术和即图形电镀技术。通过对影响微波集成电路图形电镀技术的关键因素的讲话和优化，得到了图形电镀技术的最佳工作条件，解决了薄膜工艺中难以制作精细图形的难题。运用这种技术，已经制作出了２－１８ＧＨｚ放大器，相关器，均衡器等许多超宽带微波器件，并取得了满意的效果。     

电子束制作高分辨率波带片图形数据研究

根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系，设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型。通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据，给出图形数据量和剖分单元数的变化关系曲线。根据扫描电子显微镜得到的实验结果，决定采用无间隙拼接处错开的模型。在使用负性抗蚀剂SAL601，电子束曝光剂量35μC，前烘温度75℃等条件下，制作出了最外环宽度为250nm的波带片。