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已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。通过调制准二维电子积累层的面积进而达到控制隧穿电流的目的。并对发射极正反接电压不同而出现的不同调制现象进行了分析。 相似文献
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描述了一种新型共振隧穿结构器件,这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器(VSSEF)中的耦合量子附态的隧穿过程.论证了通过AlAs/GaAsVSSEF器件高能态和AlGaAs/GaAs超晶格受激态的共振隧穿,描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用,并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用. 相似文献
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使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。 相似文献
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孙建平 《固体电子学研究与进展》1999,19(2):123-128
简要评述共振隧穿二极管(RTD)器件研究进展。重点探讨以下问题:为什么RTD研究经久不衰?器件理论模型达到何等水平?器件特性、结构和材料方面有哪些关键?围绕这些问题,介绍了有关基本概念,对RTD器件物理模型和特性近来的研究成果和前景进行了分析,并提要性地和同类的其它量子器件作了比较。 相似文献
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在简述共振隧穿三极管(RTT)的特点、定义、分类的基础上,全面、系统地介绍了各种结构RTT的材料结构、器件结构、工作原理、制造工艺及器件性能参数等,对某些RTT还给出了其应用前景。由于RTT的器件结构种类繁多,其工作原理也存在差异。为了便于介绍,在栅型RTT中以Schottky栅RTT为重点,在复合型RTT中以发射极中含DBS的RTBT和RTD/HEMT型RTT为重点进行了较为详细的阐述。总之,栅型RTT结构比较简单,但增益和驱动能力较小;复合型RTT结构较复杂,但增益和驱动能力较大,而且易于和HBT或HEMT电路兼容。 相似文献