超大规模集成电路快速热处理技术

本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.     

快速热处理设备温度稳定性研究

以快速热处理设备对温度控制的特殊要求为研究目的，研究温度热惯性对温度稳定性的影响，目的是为解决芯片快速退火和快速合金的稳定性和可靠性，并为设计新快速热处理设备提出串级控制建议。     

高质量二氧化硅薄膜的快速热处理

超大规模集成电路产品(如EEPROM、高密度DRAM和高性能CMOS电路等)由于其几何尺寸小、结浅,需要非常薄的高质量5～25nm二氧化硅薄膜。但是,在制备这些器件的工艺过程中,相互矛盾的工艺要求限制了常规炉子的使用范围。1.由于沟道过量的掺杂剂再分布,所以在炉中难以控制阈值调整。高质量的氧化膜需要高温处理,然     

大直径直拉硅片的快速热处理

主要研究了快速热处理( RTP)对大直径直拉( CZ)硅片的清洁区( DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2 、O2 三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与RTP的温度、气氛有很大关系.在实验的基础上,讨论了在大直径CZ硅中RTP对氧沉淀和DZ的影响机理.     

大直径直拉硅片的快速热处理

主要研究了快速热处理(RTP)对大直径直拉(CZ)硅片的清洁区(DZ)和氧沉淀的影响.通过在Ar、N2、O2三种不同气氛中,在不同温度下RTP发现在大直径CZ硅片中氧沉淀的行为及DZ的宽度与RTP的温度、气氛有很大关系.在实验的基础上,讨论了在大直径CZ硅中RTP对氧沉淀和DZ的影响机理.     

激光热处理光束优化系统

激光束的光强分布以及光斑形状对激光热处理硬化层性能影响极大,一般要求光强均布的矩形光斑或宽带光斑;但是光强均布的激光束不一定产生均匀的硬化层,目前的激光热处理光束优化装置得到的是中间厚,两边薄的月牙形分布硬化层.为了改善激光热处理硬化层分布的均匀性,在分析国内外激光热处理光束优化系统研究现状及存在问题的基础上,提出了光束优化系统的两种方案,激光扫描环形光斑和线形光斑.建立了两种光斑温度场的数学模型,模拟了温度场分布.从理论上说明了两种方案能够改善激光热处理硬化层分布均匀性.     

硅线性升温快速热处理氧化动力学模型

本文采用玻尔兹曼-曼特诺变换方法,得到了一个新的描述硅快速热氧化生长动力学的解析模型.在靠近硅与二氧化硅界面处产生一个富氧区.在非稳态情况下,直接从氧扩散方程得到了增强因子.在温度为1050—1200℃范围内,本解析模型在计算快速热氧化(RTO)生长的氧化层厚度方面与测量结果基本一致.     

新型国产8英寸半导体快速热处理设备

在半导体圆片生产工艺中，快速热处理(也称“热退火”)是半导体圆片经过注入工艺后必不可少的工序之一。半导体圆片快速热处理设备是半导体器件生产的关键设备之一。自从20世纪60年代初，离子注入技术作为新的半导体掺杂工艺以来，大大促进了半导体集成电路的发展。而集成电路的     

磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜

采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。     

快速热处理技术在集成电路制造上的应用

主要介绍快速热处理技术，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火，Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的快速热氧化和用Ｎ２Ｏ加固薄栅用的快速热氮化等方面的应用。     

高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度.另外,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制.     

快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.     

快速TCP系统

FastTCP是为了适应目前正在发展的大规模快速网络而设计的一种新的传输控制协议。从控制理论角度出发,把Internet看作一个分布式反馈控制系统,将寻求网络平衡点和提高网络性能的过程转为求解系统最优化问题的过程,同时还探讨了FastTCP设计实施问题。     

快速热处理对于0.25μm工艺技术的必要性

集成电子技术的进步要求开发具有灵活性的制造工艺。芯片的复杂度每年增长一倍，引起芯片尺寸的增大和特征尺寸的缩小，以提高芯片的功能。目前大多数半导体生产工厂工作重点是０５～０３５μｍ的技术，许多公司正在开发研制０２５μｍ工艺，估计１９９７年将可投产。但０２５μｍ技术正面临着许多工艺挑战。最大制造方面的挑战在于离子注入后浅结的形成与激活，生长高质量的薄氧化层，通过流动／回流接触提高具有高纵横比的金属阶梯覆盖面，而不扩散到已形成的源结和漏结，使用难熔金属作为金半接触避免金属须穿透浅结。０２５μｍ技术的结深大约为０１５μｍ，薄氧化层厚７０～８５ｎｍ用作金半接触的难熔金属为钛，它与氧有很高的亲和力。如果采用快速热处理（ＲＴＰ）技术，其单片环境，短时和精确的温度控制，将简化工艺的复杂度。本文将讨论ＨＥＡＴＰＵＬＳＥＴＭ设备及其应用优点，如浅结注入激活，薄氧化，ＢＰＳＧ回流和硅化钛的形成。     

高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度.另外,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制.     

砷在多晶硅瞬态热处理时的快速扩散

使用薄层电阻和芦瑟福背反射法研究了多晶硅膜中的As在进行快速热处理时的扩散情况。多晶硅淀积在氧化了的硅片上,并注入As,然后在一个VarianIA-200等温退火炉中进行热处理。在真空中,利用电阻性石墨加热片的红外辐射加热硅片,升温到1000℃以上只需大约几秒钟的时间。多晶硅中As的损耗速度和扩散速度比相同热处理条件下单晶硅中As的损耗速度和扩散速度快得多。晶粒长大之前的扩散与以前所报导的As在多晶硅中的扩散结果是一致的。然而,晶粒长大则表明As的扩散是增强了。     

刍议开关电源及快速充电的发展趋势

众所周知,电源是实现电能变换与功率传递的主要设备,电源的更新换代频率非常之快,技术含量越来越高、涉及的知识面也更加宽泛,被广泛应用在社会各个领域当中。本文将从家电电源方案的实战处理、电感器件的创新设计、快速充电的发展趋势三个方面来进行深入的分析与探究。     

安防系统的发展趋势

1 标准化 我国的安防行业自1979年起步以来,应用范围不断扩大.尤其是1997年后,应用范围已由重要单位、要害部门的防范发展到商业、学校、社区、家庭等社会的全面防范.安全防范系统工程建设日益为人们所关注和重视,相应的国家标准、行业标准也在不断地制定和完善.     

现代电子战系统发展趋势

从近代战争中电子战的重要性出发着重讲述了电子战系统的发展趋势，简要介绍了海军电子战系统中雷达系统的应用和发展，并列举了部分实例。     

安防系统的发展趋势

1标准化我国的安防行业自1979年起步以来,应用范围不断扩大。尤其是1997年后,应用范围已由重要单位、要害部门的防范发展到商业、学校、社区、家庭等社会的全面防范。安全防范系统工程建设日益为人们所关注和重视,相应的国家标准、行业标准也在不断地制定和完善。