硅酸镥闪烁体γ高剂量率脉冲线性响应上限测量

在“强光一号”高剂量率脉冲伽马装置上,使用李萨如图形法测量了硅酸镥闪烁体的γ高剂量率脉冲线性响应上限。实验结果表明：硅酸镥闪烁体在脉冲伽马能注量率小于1.9×10¹⁹MeV/(cm²•s)时,光输出为线性;大于此限值时,出现非线性响应现象。     

双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤

综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产徨的异常损伤,既在低剂量率下辐射时,这些器件在很低的总剂量水平下即告失效,失效阈较高剂量率辐射要低得多,它是因为构成线性电路的双极器件发射极一基极结上覆盖了厚氧化物,低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒,氧化物内存在的过量电荷使器件产生增强损伤。     

精确测量光电倍增管最大脉冲线性参数的实验研究

李萨如图形法是测量光电倍增管最大脉冲线性参数的常用方法。本工作针对实验室使用李萨如图形法测量光电倍增管最大脉冲线性参数精度不高的问题,提出了使用恒流标定法确定李萨如图形的标准直线,进而给出了精确确定光电倍增管最大脉冲线性参数的方法及应用实例。结果表明：该方法有效降低了由判断标准直线引入的不确定因素,提高了光电倍增管最大脉冲线性参数的测量置信度,为高精度脉冲波形特征参数测量提供了必要的实验依据。     

两款γ辐射剂量率仪的宇宙射线响应对比

通过对比两款不同类型的γ辐射剂量率仪的宇宙射线响应因子,并与经验计算值进行比较,对比得出两款γ辐射剂量率仪对宇宙射线的响应水平,了解其宇宙射线响应因子和校准因子差值。方法:2018—2020年,使用6150-b型γ辐射剂量率仪和RSS-131型γ辐射剂量率仪陆续在我国黑龙江、吉林、河北、山东、安徽、福建等地完成湖库水面上的宇宙射线响应测量工作。结果:6150-b型和RSS-131型γ辐射剂量率仪对宇宙射线响应因子的范围分别处于0.94～1.07和0.73～0.84。6150-b型γ辐射剂量率仪测量数据离散性较大,RSS-131型γ辐射剂量率仪对宇宙射线响应值较大。两款仪器测量结果稳定,其测量结果均保持较高的线性。     

线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应

为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究,选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应,对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示,器件输出电压、线性调整率、负载调整率等关键参数在电离辐射环境下发生不同程度变化。在零偏条件下,低剂量率（LDR）下损伤明显大于高剂量率（HDR）条件,表现出低剂量率损伤增强效应;而在工作偏置条件下,高剂量率辐照损伤大于低剂量率的,退火实验中,发生损伤恢复现象,表现为时间相关效应。在整个辐照和退火过程中,零偏置损伤比工作偏置损伤大。     

能量响应补偿法在便携式γ剂量率仪上的应用

为满足核电整体设备国产化的需要,国产核辐射探测仪表的研发势在必行。采用能量响应补偿方法,完成了国产便携式γ剂量率仪的研制。测试结果表明:研制的便携式γ剂量率仪满足相关国家标准规定,具有独特的性能优势与较高的精度,能量响应与角度响应均不逊色于国外同类仪表。     

新型高光输出快响应的LaCl_3:Ce晶体时间响应性能测量

LaCl3:Ce晶体是新型高发光产额、快衰减的无机晶体。利用皮秒级激光器和纳秒脉冲源对国产该类晶体的时间响应性能进行测量;同时推算并使用了用脉冲法获得晶体发光衰减常数的简单估算公式。实验结果表明:LaCl3:Ce晶体对皮秒脉冲器的时间响应衰减时间常数为25 ns,与文献符合较好;对纳秒脉冲源的时间响应衰减时间常数为69.13 ns。衰减时间的差异考虑为发光机制的不同与环境散射的影响。     

ZnO：Ga无机晶体对单重带电粒子响应研究

利用符合法原理，建立了ZnO：Ga晶体对单重带电粒子响应的标定方法，得到了该晶体对单α粒子的响应曲线，并对此进行了分析，根据等离子体时间的相对关系得到其对质子的时间响应范围。结果表明，ZnO：Ga晶体对α粒子响应的上升时间为324ps、半高宽为686ps，该晶体对重带电粒子具有非常好的响应特性，为伴随α粒子监测和发展新的辐射探测方法提供了新的选择。     

PMOS剂量计的剂量率效应

在不同剂量率的＾６０Ｃｏγ辐照下,研究了ＰＭＯＳＤ剂量计阈值电压的响应关系,借助快速Ｉ－Ｖ亚阈分析技术,获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献,结果表明,辐照响应有较明显的剂量率效应,主要表现为响应的拟合关系式△ＶＴ＝ＫＤ＾ｎ中幂ｎ的变化,在低剂量率区间内,ｎ值较大,对应于辐射响应高灵敏度范围,当剂量效率增大时,ｎ值减小,响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。     

γ射线剂量率的线性化数字显示方法

计数管测量的Υ射线脉冲计数率与剂量率成非线性关系。本文利用分段线性近似和斜率归一化的方法求数字显示剂量率.方法简单、直观、线性误差小。     

低剂量／低剂量率电离辐射生物效应

与大剂量／高剂量率电离辐射诱导的急性组织损伤效应不同,低剂量／低剂量率电离辐射除诱导慢性随机效应外,在一定条件下还可诱导兴奋效应和适应性反应。本文介绍有关低剂量／低剂量率辐射的定义和目前在低剂量／低剂量率辐射生物效应研究中存在的一些理论和现实问题,系统回顾低剂量脐0量率辐射诱导的一些生物学效应及效应发生的特点。     

不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。     

双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究

采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。     

空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究

本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型,并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RH NMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应.研究结果表明,在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火,利用给定的模型可以预估其它剂量率辐射下的总剂量效应,并给出了CC4007RH和C4007B器件空间低剂量率(1×10-4-1×10-2 rad/s)环境下的漏电流的预估结果.     

核电站三维剂量场评价系统的开发及应用

基于核电站营运单位和设计单位对三维剂量场评价系统的需求分析,得出并解决了三个核心技术问题,即:三维剂量场计算、显示和基于三维剂量场的剂量优化问题,进而开发了核电站三维剂量场评价系统(RPOS)。基于在役核电厂控制区内典型区域的系统测试结果表明:三维剂量场评价系统能够较准确地模拟所测试的核电站典型区域的三维剂量场,并实现测试区域内三维剂量场的虚拟显示以及核电站内工作人员操作的剂量优化。     

高温无机闪烁晶体Ce:YAlO3的缺陷研究

采用同步辐射白光透射形貌术研究了提拉法生长的高温无机闪烁晶体Ce:YAlO3（简称Ce:YAP）中的缺陷。实验发现在Ce:YAP晶体中存在着生长条纹、包裹沉积物、核心、孪晶及位错簇等缺陷，同时对生长缺陷形成的原因进行了讨论。结果表明，离子掺杂浓度、原料的纯度以及生长工艺条件等是影响Ce:YAP晶体缺陷的主要原因。     

Estimation of terrestrial air-absorbed dose rate from the data of regional geochemistry database

This paper presents an estimation of air-absorbed dose rate from the data of K₂O, U and Th content from Chinese regional geochemical database. A total of 421 group original data of combined samples in Zhongshan City (ZSC), Guangdong Province and south China were extracted from the national geochemical database. Estimated average value of air-absorbed dose rate is 139.4 nGy h^?1 in the granite area and 73.7 nGy h^?1 in the sedimentary area. The level of air-absorbed dose rate is closely related with the surface lithology. Estimated mean air-absorbed dose rate approximates to the measured average value by a portable plastic scintillator dosemeter in Zhuhai City were bordered with ZSC. The results show that the pre-evaluation of ionizing radiation level using regional geochemical data is feasible.     

系统低剂量率失效和加速模拟试验方法

综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并对处于低剂量率下系统的加固保证也提出了一些看法。     

高剂量注入中离子溅射的影响

在离子注入材料改性的研究过程中(金属、绝缘材料和光学材料等),在许多场合下,要求注入的元素(如Fe中注入N、Y、Ph和Sn等)在靶子中占百分之几的含量,这就要求注入剂量高达10~(17)/cm~2到10~(12)/cm~2。由于离子注入的溅射效应在低能和大剂量注入中是相当明显的,因此,对这些元素高剂量注入后的杂质分布、溅射系数、溅射厚度和靶子中杂质的收集量做一分析是十分重要的。