光泵亚毫米波激光的研究进展

本文介绍并分析了光泵亚毫米波（ＳＭＭＷ）激光的发展过程及研究现状,同时介绍了亚毫米波激光的应用领域,展望了它的应用前景。     

超小型光泵远红外激光研究

在求解NH_3分子三能级系统密度矩阵的基础上,用迭代法计算了长为10cm—1.5cm的5支超小型光泵远红外激光器(OPFIRL)的输出激光能量密度和频谱特性.实验研制的5支超小型OPFIRL成功地产生了远红外激光.研究表明:纵向腔效应和横向反馈效应对超小型OPFIRL激光输出有积极作用,对最佳工作气体压强和频谱特性有重要影响.     

光泵远红外激光的研究动态

介绍了光泵远红外激光研究的现状和发展 ,重点介绍和分析了该领域近期的研究热点及重要成果 ,并展望了远红外激光技术的发展前景。     

S2/激光器横向脉冲放电特性的研究

研究了S2激光器横向脉冲放电特性.分析并解释了影响电特性的主要因素,如等离子体温度,充电电压,电容配比及紫外光预电离.     

光泵氨分子振动基态远红外激光折增益系数

从密度矩阵运动方程出发,详细地推导了光泵氨分子振动基态远红外激光的增益系数表达式。     

光泵亚毫米波激光的工作参数优化的研究

文章对光泵亚毫米波激光器工作参数的优化进行了理论研究。在不假定B_2≈0的情况下,求解量子系统的密度矩阵方程,并计算了光泵亚毫米波激光的输出功率密度,计算结果与文献报导的实验结果较好地相符。在此基础上,计算求得了光泵亚毫米波激光器的最佳泵浦功率、样品管的长度和激光器工作气体的最佳压强。还发现了这些参数之间是相互制约的。应用这些结果,人们有可能采用理论计算方法,设计工作在最佳状态下的亚毫米波激光器。     

小型光泵NH3分子气体远红外激光实验

本文详细介绍最有希望的远红外信号源－－光泵远红外激光器实验系统，并改进了以往的检测方法，同时对ＮＨ３分子２９２×１０＾－６米的超辐射激光谱线进行了实验研究。     

小型光泵亚毫米波激光理论计算的压力增宽修正

采用半经典密度矩阵理论和迭代法,并考虑到小型光泵亚毫米波激光器的压力增宽效应,对小型光泵亚毫米波激光的理论计算模型进行了修正,其计算结果与实验结果符合得较好。     

光抽运XeF(C-A)蓝绿激光器

利用分段表面放电作为光抽运源 ,采用光解离XeF2 技术 ,研制了一台 XeF(C A) 蓝绿激光器。抽运源有效激活长度为 6 0cm ,单位长度的沉积功率为 4 5MW /cm。在 2 5 0PaXeF2 / 6 0kPaAr/ 40kPaN2 条件下 ,采用平凹腔 ,输出耦合为 4% ,获得了XeF(C A)激光输出。对XeF(C A)激光特性参数进行了测量 ,输出能量为百毫焦耳量级 ,最大能量达 16 7mJ,激光脉宽～ 6 0 0ns ,辐射光谱范围 470～ 5 0 0nm ,发散角水平方向为 1 7mrad ,垂直方向为3 7mrad。     

放电泵浦F_2分子激光研究

在Ｆ２和Ｈｅ的混合气体中，用放电泵浦方法获得了１５７ｎｍ激光，脉冲输出能量达５ｍＪ。     

横向泵浦室温氟化钾镁晶体色心激光器

利用横向泵浦腔体实现氟化钾镁晶体色心室温稳定激光器运行，用氮分子激光泵浦的染料激光为泵浦源，单脉冲色心激光输出能量为0.22mj，光-光能量转换效率为7.3%，激发阈值为0.5mJ。色心激光束发射角为3.0mrad，偏振度为0.99。色心激光输出波长从703nm至800nm，中心波长位地755nm。     

基于D2O的光抽运腔式太赫兹波激光谱线竞争

从半经典密度矩阵理论出发,建立了光抽运太赫兹波谱线竞争的双三能级分子系统模型,理论推导了抽运信号吸收系数以及太赫兹波信号增益系数的数学表达式,采用迭代法数值计算了CO2激光-9P(32)抽运重水(D2O)气体分子腔式太赫兹激光66μm和116μm两条谱线之间的竞争。给出了抽运功率、工作气压及激光腔长等工作条件下谱线竞争的一般规律。     

半导体激光泵浦的Cr:LiSAF可调谐激光器

报道了激光二极管脉冲泵浦掺铬六氟铝酸锶锂（ＣｒＬｉＳＡＦ）可调谐激光器的实验结果。调谐范围为８０６．６～９２０ｎｍ。最大平均输出功率超过２ｍＷ，斜率效率为２５％。对实验结果进行了讨论。     

新型横向脉冲快放电S_2激光管的设计

针对放电型 S2 激光管的设计中始终未能很好解决电极可拆卸性及可靠性的难题 ,首次提出了一个以不锈钢材料作激光管管壳 ,借助于燕尾槽实现电极可拆卸的设计方案 ,从而为横向脉冲快放电型 S2 激光器实现激光振荡创造了条件。     

双散热片结构光抽运垂直外腔面发射激光器的热特性分析

利用ANSYS有限元热分析软件对光抽运垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)内部的热场分布和热矢量分布进行了模拟,对比分析了两种散热结构的散热性能,讨论了抽运光斑的参量和金刚石散热片厚度对器件热特性的影响。模拟分析表明:在抽运功率密度较大时,与单面键合金刚石散热片结构相比,双金刚石散热片结构的OPS-VECSEL温升较低,引起的谐振波长差较小,热量向芯片上下两侧散失有利于器件的散热,并且随着抽运功率密度的增大,双散热片结构的散热优势就越明显;当上部金刚石散热片的厚度为500μm、下部金刚石散热片的厚度在300～500μm时可以实现很好的散热效果。