酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.     

热退火对氮铝镓MSM结构紫外光电探测器性能的影响

宽带隙半导体合金材料AlxGa1-xN成为紫外光电探测器的优选材料,本文通过金属有机气相外延（MOCVD）的方法在Al2O3衬底上制备出Al0.25Ga0.75N合金薄膜,并通过紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备出平面对称结构的金属-半导体-金属（MSM）又指电极结构,通过器件在氮气气氛下不同温度的退火,使得器件的响应度得到很大的提高,在1V偏压下达到3.25A/W,同时对器件的其它参数进行了深入的分析。     

ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性

有机薄膜二极管选取酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和PbPc)进行混合作为器件的有源层,利用多种镀膜方式,制备了结构为Cu/ZnPc+PbPc/Al的器件,其中,Zn Pc∶PbPc混合的质量比分别为1∶1、4∶5和5∶4,对二极管进行了输出特性测试和混合薄膜的吸收光谱测试。结果表明,3种混合方式的二极管均具有整流特性。通过实验分析可以得出:ZnPc∶Pb Pc的混合质量比为1∶1的器件的载流子的传输最快。实验结果表明:适当的ZnPc∶PbPc的混合质量比可以降低肖特基势垒的高度,从而使载流子的迁移率加大。由实验结果计算得出,ZnPc∶PbPc的混合质量比为1∶1的器件的势垒高度为0. 355eV,影响因子n为18. 21。     

PMMA固体电解质的导电桥纳米开关的制备和性能研究

为了研究以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为固态电解质导电桥纳米开关的特性,文中采用FR-4覆铜板(Cu)作为活泼电极,Al作为惰性电极,PMMA作为固态电解质,研究了Cu/PMMA/Al导电桥纳米开关的制备工艺和性能.研究结果表明:旋转涂胶形成PMMA薄膜的厚度对Cu/PMMA/Al开关的性能起决定性因素,最大开关转换次数随旋转转速的增大而增大.电化学抛光时间和氧化时间对Cu/PMMA/Al纳米开关性能的影响相对较弱.电化学抛光时间为30s和60s时,纳米开关的开关循环次数总体上比电化学抛光时间为90s时的多.氧化时间对Cu/PMMA/Al纳米开关性能的影响没有明显的规律性.FR-4覆铜板用磷酸电化学抛光30s,在180℃的条件下氧化7min,以4 000r·min~(-1)旋转速率涂胶后,Cu/PMMA/Al导电桥纳米开关可实现开关305次;铜表面电化学抛光处理Cu/PMMA/Al纳米开关的开关比(高阻态/低阻态)为105,高阻态与低阻态时的电阻基本上不随时间变化.     

二氧化碳激光的光致电阻效应

通过激光照射可以在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现电阻变化,使用二氧化碳激光照射多壁碳纳米管-二氧化硅-硅(MWNTs-SiO_2-Si)结构,观察电阻随时间变化的瞬态响应.研究表明对硅片施加正偏压,可以增大器件的电阻值,对硅片施加负偏压,可以减小器件的电阻值.二氧化碳激光的功率越小,电阻达到极值所需的时间越长;反之,二氧化碳激光功率越大,电阻达到极值所需的时间越短.     

酞菁锌有机光电三极管的特性解析

采用真空蒸镀与溅射工艺,以酞菁锌(ZnPc)为有源层制备了叠层结构的氧化铟锡(ITO)/ZnPc/铝(Al)/ZnPc/铜(Cu)有机光电三极管.Al与两侧的ZnPc分别成肖特基接触,根据酞菁锌的光吸收特性,对器件在无光与618nm波长光照下进行测试,结果表明三极管表现为明显的不饱和I-V特性,在Vec=3V,Ib=0V时光电流达到1.9×10-5A,显示出良好的光响应特性.     

单极型有机半导体酞菁铜晶体管的工作特性

根据试制的Au／CuPc／Al／CuPc／Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理．由实验结果可知,驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性．晶体管的工作特性依赖于栅极电压和铝电极的结构,垂直导电沟道有利于改善有机晶体管的工作特性．     

Au/Al2O3催化剂上环己烷氧化

针对金催化剂制备过程的复杂性和氯离子残留问题,介绍一种负载型金催化剂Au/Al2O3的制备方法和考察该催化剂在环己烷氧化中的催化性能.采用浸渍-氨洗法制备Au/Al2O3催化剂,并应用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对其进行表征.以氧气氧化环己烷制备环己酮和环己醇为研究对象,考察金质量分数、反应温度、压力、时间等因素对催化活性的影响.结果表明,随着金质量分数增加,金颗粒增大,催化剂的活性降低,在150℃、1.5MPa条件下反应3h,Au实际质量分数为0.58%的Au/Al2O3催化剂上环己烷转化率为8.96%,环己酮、环己醇和环己基过氧化氢三者的总选择性为93.52%.此外,循环实验表明Au/Al2O3催化剂具有一定的稳定性.     

垂直结构ZnO薄膜晶体管制备与工作特性

针对目前发表的氧化物薄膜晶体管的研究成果中,存在着驱动电压高,工作电流小的问题,制备了垂直结构的氧化锌薄膜晶体管.器件制备是以石英玻璃为衬底,采用磁控溅射工艺,以氧化锌薄膜为有源层.测试结果表明,制备的晶体管驱动电压低、工作电流大、载流子迁移率高.在偏压条件VGS为0.2 V,VDS为3 V时,漏源极电流IDS达到9.15 mA,开启电压Vth仅在1.35 V左右,可以作为有机发光二极管的驱动单元,具备了实用化特性.     

基于共源共栅反相器的极低功耗Sigma-Delta调制器设计

为了满足穿戴式医疗设备中低功耗、高精度的模数转换应用需求,设计一种基于共源共栅反相器的低功耗14 bit/500 Hz Sigma-Delta调制器电路.在低电源电压环境下,该电路采用栅压自举开关完成了高精度的信号采样.利用共源共栅反相器替换传统Sigma-Delta调制器的跨导放大器（DTA）,有效降低了电路功耗.电路采用SMIC 0.13 μm 1P8M 混合信号工艺实现,测试结果表明,在供电电压为0.6 V、时钟频率为256 kHz、信号带宽为500 Hz内,Sigma-Delta调制器输出信号最大信噪失真比为69.7 dB,有效精度为11.3 bit,功耗仅为5.07 μW.