金属圆帽外壳引线强度可靠性探讨

对金属圆帽外壳引线强度进行了探讨。通过引线抗拉、抗弯强度的一系列试验，得出了引线根部抗弯曲角度有一定的局限性。针对电路装配中出现的引线弯曲折断问题，研制出了引线弯曲实用模具，解决了电路装配中的难题。     

集成电路外壳对可靠性的影响及质量控制

集成电路外壳对可靠性的影响及质量控制李秀华（西安微电子技术研究所７１００５４）１前言集成电路的可靠性主要取决于芯片的质量与封装技术的高低，而外壳的质量又是影响封装技术的关键。做为集成电路专业制造厂，使用白陶瓷、黑陶瓷、金属圆外壳、菱型外壳等几十个规格...     

一种提高微电路外壳使用可靠性的方法

简要分析了白瓷双列直插外壳的失效模式和失效机理，并进行了模拟实验，通过对实验结果的分析，提出对成品微电路进行二次电镀能够提高其外壳的使用可靠性。     

金属盖板对陶瓷外壳结构可靠性的影响研究

系统级封装用陶瓷外壳的金属盖板尺寸一般较大,在可靠性试验的过程中,应力会通过金属盖板的弹性变形传递到陶瓷外壳上,导致陶瓷外壳侧壁出现明显的应力集中现象。采用有限元方法对封盖后的陶瓷外壳的可靠性试验进行了分析,研究了金属盖板的材质及结构对陶瓷外壳可靠性的影响规律,为该类外壳的金属盖板设计提供了可靠的理论依据,避免了由于金属盖板设计不合理而导致陶瓷外壳开裂或由于金属盖板下陷导致器件失效等问题。合理的金属盖板结构对于解决可靠性试验中的失效问题及提高器件的可靠性具有重要的作用。     

集成电路封装陶瓷外壳埋线电阻的设计

本文介绍了集成电路封装外壳埋线电阻的设计方法以及在工艺上如何应用浆料配比、间隙填充、通孔穿层等途径来降低外壳埋线电阻值。     

集成电路封装技术可靠性探讨

阐述了集成电路封装的作用和要求,从集成电路封装材料和封装形式两个方面对集成电路封装可靠性进行了初步的探讨;并对新工艺、新技术下的新型封装及其可靠性进行了介绍.     

集成电路长期可靠性的研究

文章针对集成电路产品的封装长期可靠性,提出了新的方法和标准;对集成电路产品的长期可靠性的考评,按照国际标准的要求进行了分析。对集成电路产品的实际长期老化筛选方面进行了研究和总结,并且针对实际产品进行了案例分析。该标准和方法可以确保集成电路产品在特殊应用条件下长期使用的稳定性,有一定的应用价值。     

先进集成电路制造的圆片级可靠性系统

圆片级可靠性测试是从可靠性物理的基础上发展起来的,利用工艺过程统计的控制方法来收集数据,并且通过快速的参数测量来检测出导致产品可靠性退化的原因。这种测试采用的是较高的、但在容许范围之内的测量应力(如温度、电压、电流),将其加到圆片上的测试结构中,然后测量由这种应力所产生的品质退化。圆片级可靠性测试系统主要分4个阶段:圆片级可靠性设计与发展(WLRD:WLRDesign&Develop鄄ment);圆片级可靠性评估及验证(WLRA:WLRAssessment);圆片级可靠性基准建立(WLRB:WLRBase鄄line);圆片级可靠性控制(WLRC:WLRControl)。WLR系统已经成功地运用于从0.35μm到0.13μm的逻辑电路及存储器的生产中。     

混合微电路封装外壳的封焊技术简介

<正> 混合微电子技术是实现高可靠电子系统微型化的有效途径。混合微电路采用高气密性材料进行封装,这是实现混合微电路在各种环境条件下有效应用的必要手段。随着粘片与丝焊技术的成熟和芯片成品率的迅速提高,混合微电路后部封装的成本占整个组件成本的比重逐渐上升。据外刊报道,美国混合微电路封装外壳成本在1990年已增长到16%以上,可见封装外壳已起着举足轻重的作用。封装外壳在装贴各种元器件后需要封接盖板(盖板一般是由陶瓷或金属制成),这就需要相应的高气密性封焊技术。本文对这一封焊技术逐一介绍。     

集成电路可靠性的进展

本文概述了集成电路可靠性的发展情况,着重对大规模集成电路的栅氧化层击穿、热电子效应、电迁移等失效机理进行了分析,并介绍了几种有关集成电路的可靠性试验和筛选方法。     

提高玻璃封装二极管可靠性的研究

利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性.在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉粒,弥散均匀,用烧结法制得ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃,使用AKASHI压痕法,测试材料增韧前后的效果.使用XRD测试验证在玻璃封装二极管的工艺温度下能保持t-ZrO2和m-ZrO2晶型应具有的特征相.实验证明添加超细ZrO2后,ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃材料的韧性有很大的提高.经功率二极管玻璃封装工艺流程实验和二极管的理化性能考核,引人适当含量的超细ZrO2能提高玻璃封装二极管的抗热冲击性.     

集成电路可靠性的进展

1 进展迅猛集成电路的出现,把电子设备可靠性提高到一个又一个新台阶.1946年世界上出现的第一台电子管式电子计算机,平均每分钟就有一个电子管失效.到1959年,采用晶体管制造的炮兵用计算机法代克的MTBF可达2500小时;采用大规模集成电路构成的阿波罗飞船的“土星V”计算机的MTBF可达29000小时.目前国外大型的控制系统的MTBF指标不是以小时计,而是以百年计.集成电路的可靠性发展,可以说是与其技术同步进行,在短短的20多年时间,其可靠性约提高3或4个数量级(详见表1).有人估计,到2001年,其可靠性比1995年约可提高1个数量级。     

CPGA型外壳的可靠性设计

本文简要介绍了CPGA型外壳设计阶段的可靠性设计要点。     

集成电路芯片封装可靠性知识

<正>~~     

集成电路芯片封装可靠性知识

B-SCAN:(1)Show the x-sectional image from each inter-face.可以显示各个纵切面的平面图像(2)Detectable defects:Crack,Tilt and Void.可发现的失效现象:裂缝、倾斜、气泡(3)Merit:Analysis of the level of defects arepossible.优点:对平面的失效点进行分析C-SCAN:(1)Shows the horizontally x-sectioned imagesafter fours at an interface.显示水平剖面的图象(2)Detectable defects:Delamination,Die crack.可发现的失效现象:离层、芯片裂缝(3)Merit:The most precise inspection method.优点:最精确直观的检测方法(4)Wea…     

集成电路的可靠性筛选

对集成电路的可靠性筛选试验进行了归纳总结，介绍了筛选原理、方法，用实例说明了可靠性筛选的经济效益，列出了集成电路主要的失效机理与筛选试验的关系。