碲镉汞材料少子寿命的微波反射光电导衰减测量

详细说明了用微波反射光电导衰减(μ-PCD)测量碲镉汞材料(MCT)中少数载流子寿命的原理.μ-PCD系统对样品少数载流子寿命的测量范围为20 ns至3 ms,测量温度可以从80 K到325 K变化,整个系统的测量由计算机控制自动进行,可以对样品进行X-Y平面扫描测量并进行结果数据分析.同时,还报道了用μ-PCD技术测量液相外延MCT薄膜材料少数载流子寿命的结果.     

碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数.分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对 HgCdTe 薄膜的少子寿命进行了...     

用微波反射法测HgCdTe中少数载流子寿命

介绍了用微波反射法测量ＨｇＣｄＴｅ中的少数载流子寿命,分析了其测量原理,并与接触式的光电导衰减法进行了比较。     

n型HgCdTe晶片少子寿命分布的小光点测量

用聚焦的激光光点（宽度约为０．１ｍｍ）测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）长条状薄片样品的少数载流子寿命沿样品长条方向的分布，结果表明分布是不均匀的，讨论了引起这种不均匀的可能原因。     

功率半导体器件少子寿命测试仪

采用线性电流变化法，对功率半导体器件少子寿命测试仪的研制进行了说明，并给出了主要技术参数。该仪器可对整流管、晶闸管及功率晶体管的Ｎ基区小注入下的寿命进行测量，通过τｐ大＝２τｐ小可得到整流管、晶闸管大注入下的少子寿命。     

PIN二极管少子寿命测试方法

少子寿命是PIN二极管的重要参数。对二极管的正向导通压降和开关时间有重要影响。本文介绍了常用的测量低掺杂区少子寿命的方法,包括阶越反向恢复法、线性反向恢复法、储存电荷法、开路电压衰减法(OCVD)和射频测试法,并指出了各种方法的优点和不足。重点介绍了阶越反向恢复法和线性反向恢复法,对实际的测试过程具有一定的指导作用。     

单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式

本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。     

脉冲恢复技术测量有限宽基区HgCdTe光电二极管少子寿命

利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns.这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立.     

适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法

提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。     

FS-MWPCD少子寿命测量系统的信号处理设计

基于微波移频方法的硅材料少子寿命测量系统,使用采样电路与脉冲计数器结合的方式测量反射微波衰减信号,避免了用示波器观测衰减曲线时易受背景噪声的影响,并使测量装置的结构更加紧凑与轻便。分析了各个状态下反射微波的波形,设计了对反射微波进行信号采样比较及时钟计时的电路。实验结果表明:实验结果与示波器观测衰减曲线的结果吻合,改进方法具有可行性。     

变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

零偏压电阻-面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0是决定光电二极管性能的重要参数．提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法．利用变磁场下的电流-电压(I-V)测试,得到了组分x在0．5与0．6之间的器件R0A和J0随磁场强度B变化的函数关系．由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度．其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致．     

HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析

通过迁移率分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生成的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子，体空穴以及界面电子的迁移率和浓度，通过迁移率谱人地获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理论分的完全吻合。     

半导体双光子吸收的阈值光强研究

研究非共振条件下光脉冲在半导体中传输引起的非线性吸收动力学过程，在薄样品近似下推导了描术双光子吸收及其诱导自由载流子吸收相对强弱的阈值光强公式，分析了样品厚度对阈值光强的影响，解释ＧａＡｓ双光子吸收系数的测量值在很大范围内变化的主要原因。     

非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量

提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生载流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性.     

单圆筒法测量发射率的研究

提出了一种测量发射率的简单实用的方法－单圆筒法，并进行了理论分析和实验研究，实验结果令人满意。     

采用X射线测量硬质薄膜宏观内应力的拉伸法

本文讨论了一种采用拉伸释放薄膜宏观内应力的Ｘ射线应力测量方法，并用此方法测量了含有梯度过渡层的ＴｉＮ薄膜的内应力。     

信号时域提取方法结合时域有限差分法分析传输线馈电的微波元件

本文提出了一种信号时域提取方法,对于非色散传输线馈电的微波元件,利用这一方法,从时域模拟获得的总场响应中提取馈线参考面上的时域入射波和反射波,进而得到其频域特性。与传统方法相比,它可以避免通过时域有限差分法直接求解入射波和反射波,因此可以减少计算时间和计算机内存。矩形微带天线的数值模拟表明,这种方法的计算精度与传统方法完全一致。     

用光电灵敏度法研究a-Si:H中的电荷放大效应

测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的电荷放大增益,在105V/cm电场下,高达4.3103。本文从能态图讨论了a-Si:H中电荷放大效应的产生过程。由测量的增益值计算了电子迁移率与寿命之积。