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在光纤通信中广泛应用的垂直腔面发射激光器,以其单模特性好、阈值电流低、调制速率高等特点备受人们青睐,而在无线激光通信中的应用鲜有报导。本文从垂直腔面发射激光器的结构特点出发,分析了它的技术优势及技术发展趋势,探讨了垂直腔面发射激光器可在无线激光通信中获得应用的原因。采用VCSEL垂直腔面发射激光器作为激光光源并与光纤通信中已经成熟的EDFA、波分复用等技术的结合,将提高无线激光通信系统的性能,降低系统成本。 相似文献
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多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析 总被引:8,自引:0,他引:8
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELS)的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱VCSELS的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了VCSELS的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了V 相似文献
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为了满足保密通信的需求,提出了一种基于3个半导体环形激光器(SRL)进行双路混沌通信的方案,数值仿真后给出了几种情况下的时间序列、自相关图与眼图,并讨论了传输距离对通信质量的影响。研究表明:驱动SRL(D-SRL)仅在自反馈的条件下混沌信号质量较差;当引入互反馈后,混沌质量明显提高;随着传输距离的增加,量化保密通信质量的品质因子逐渐降低,但当距离增加到130 km时,品质因子依然保持在6以上,该方案可以进行长距离双通道安全保密通信。 相似文献
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1 引 言 光电子技术在网络、存储器等方面的应用与多媒体信息社会的发展息息相关 ,对信息社会的发展始终起着至关重要的作用。在世界范围内的信息基础设施配置中 ,人们对以光纤通信为代表的光电子技术寄予厚望。瞬间传送处理图像等大规模信息技术愈益重要 ,在并行传递空间信息的超并行光传输系统、连接多台计算机或LSI芯片的并行光互连及光并行信息处理系统中 ,新兴的并行光电子技术起主导作用。要实现充分利用光的并行性的系统 ,大规模地进行二维集成化的并行光器件十分重要。为适应这种需求 ,人们开始探索一种新型结构的半导体激… 相似文献
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多次外光反馈下垂直腔面发射激光器非线性动态特性理论研究 总被引:7,自引:5,他引:2
在SIMULINK平台下建立了垂直腔面发射激光器(VCSEL)动态仿真模型,利用该模型对多次外光反馈下垂直腔面发射激光器的非线性行为进行了研究。结果表明,短外腔时,光子密度随外腔长呈周期为半激射波长的余弦关系;长外腔时,随外腔长增加,垂直腔面发射激光器依次经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域,增大外腔反射率时同样存在这些非线性区域,但出现顺序相反。进一步得出:考虑单次反馈时由于忽略了占有较多能量的高次反馈导致上述非线性效应偏弱;增大自发辐射因子或减小线性展宽因子可抑制系统的非线性行为。 相似文献
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Liu Wenli Hao Yongqin Wang Yuxi Jiang Xiaoguang Feng Yuan Li Haijun Zhong Jingchang 《半导体学报》2006,27(8):1351-1354
研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生长行为.理论分析表明,台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响. 相似文献
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介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述。 相似文献
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高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器 总被引:2,自引:2,他引:2
报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW. 相似文献
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垂直腔面发射激光器DBR结构反射特性分析 总被引:2,自引:0,他引:2
采用等效法布里-珀罗(F-P)腔方法对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的上、下两层分布布喇格反射(DBR)结构的特性进行了研究,计算并讨论了上、下两层DBR结构在不同对称模型、不同周期数时对微腔结构的反射率的影响。得出反射面DBR结构的周期数为30左右,出光面DBR结构的周期数20左右,易实现激光输出,与实际设计基本一致。 相似文献