共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
本文叙述了微波单晶铁氧体器件——YIG调谐滤波器(YTF);YIG调谐振荡器(YTO);YIG调谐器件组件;YIG单晶薄膜及平面器件;磁光器件的概况及其发展方向。 微波单晶铁氧体器件已有近50年发展历史。YIG调谐滤波器(YTF),YIG调谐振荡器(YTO)是其典型产品,产品已经系列化。频率范围从0.5~40GHz,有点频、 相似文献
3.
文章指出:用二元一组分(Li/Nb=48.45/51.55mol%)或三元一致熔体组分(Li/Nb=47.2/52.8mol%)容易生长成组分均匀的优质单晶。单晶的光折变效应是由于一致组分的V~(5-)_(Nb)和Nb~(4 )_(Li)及其复合缺陷以及Fe、Ar等杂质的引入而形成的。一致熔体组分的单晶之光损伤阈值低于富锂组分单晶的光损伤阈值。 相似文献
4.
激光陀螺中应用的石榴石单晶薄膜磁光材料 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了石榴石单晶薄膜磁光材料在激光陀螺中的应用,石榴石磁镜偏频的特性及其与金属磁镜的比较。报导了(BiPrGdYb)_3(PeAl)_5O_(12)单晶薄膜的生长工艺、磁光性能和石榴石磁镜偏频激光陀螺的试验结果。 相似文献
5.
《中国激光》2017,(10)
制备了不同Ce~(3+)掺杂浓度(摩尔分数)的钇铝石榴石(YAG)单晶和陶瓷,并对激光激发Ce:YAG单晶和陶瓷的光通量、光电转换效率、显色指数及色温进行了研究。在电流为2.6A的激光激发下,Ce~(3+)掺杂浓度为0.3%的陶瓷的光通量最高,为617.2lm;Ce~(3+)掺杂浓度为0.5%的单晶的显色指数较高,为62,色温为5841K。在功率为2.61 W、材料中心功率密度达10.8 W·mm-2的激光激发下,Ce:YAG单晶和陶瓷的光转换均未达到饱和,对应的光-光转换效率均约为240lm·W-1。实验结果表明,在高功率密度激光激发下,陶瓷和单晶均适用于产生高亮度白光。 相似文献
6.
7.
8.
9.
本文介绍了用光学多道分析器(OSMA),测量磁光晶体的磁圆二向色谱(MCDS),及磁圆振双折射谱(MCBS)的工作,被测磁光晶体是(BiTm)_3-(FeGa)_5O_(12)磁光单晶薄膜。用斯托克斯参数原理测量,测得数据,用Lotus软件包处理。所得结果较为精确,且与目前已有的理论分析符合较好。 相似文献
10.
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10~(15)cm~(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个~0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响. 相似文献
11.
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In P单晶奠定了良好的基础 相似文献
12.
用X光衍射方法,测量了固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ,近似计算出单晶生长方向的应变。MCT单晶的组份为x=0.214,生长方向分别为(111)(110)和(100)。初步实验的结果表明,固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10~(-4);其应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系,而主要与生长工艺有关。 相似文献
13.
用丘克拉斯基技术生长出的大直径(达200mm)、高光学质量的锗单晶,用生长后热处理方法可改进光的均匀性,并能减少光的损耗;如由折射率梯度和调制传递函数(MTF)的测量结果所示。除了MTF的多色处理以外,本文还提供一种用于干涉图分段组合的新方法。 相似文献
14.
15.
本文利用红外激光光弹性仪,采用光测弹性力学中的Senarmont补偿法,解决了硅晶片小数级条纹值定量测量问题.在考虑硅晶体光弹性效应各向异性的基础上,实测了(111)、(100)单晶硅片的原始应力及氧化应力.对硅晶片原始应力的产生与消除、氧化应力在硅中的分布、氧化应力与氧化层厚度的关系、氧化应力随时间的变化等进行了研究. 相似文献
16.
17.
18.
19.
赵渭忠 《红外与毫米波学报》2001,20(4)
采用高温助熔剂熔盐生长出了复合掺杂 Yb Bi:YIG磁光石榴石单晶 ,并应用于磁光光纤电流传感器研制 .此单晶的比法拉弟旋转为 - 40 4deg/ cm,磁光优值为 2 5 .8deg/ d B,饱和磁化场为 140 0 Oe,温度系数为 4.2× 10 - 4 K- 1(室温 ,λ=1.5 5μm ) .与纯 YIG相比具有较好的磁光性能 ,有更高的比法拉弟旋转角和磁光优值以及较小的温度依赖性 .用此单晶作为法拉弟转子材料 ,建立了单光路结构的磁光光纤电流传感器的实验原型 ,测试了它在测量5 0 Hz交变电流时的性能 ,测试结果表明传感系统具有较高的精度和灵敏度并有较好的线性关系 相似文献
20.