小型腔式微波离子源的表面波放电模型

研究了小型腔式微波离子源的表面波放电模型。当考虑了放电管几何参量及放电参量（如压强、气体流量、微波频率等）的影响时，对低气压下的等离子体柱轴向密度分布曲线和色散特性进行了较为系统的理论描述。数值计算结果发现，放电管参数γ＝１＋ｄ／Ｒ（ｄ为管厚，Ｒ为等离子体柱半径）、介电常数εｄ和气体流量及方向对密度分布曲线影响十分显著。ＡＳｏｌａ及ＳＤｖｌａｕｄ测得的表面波产生等离子体柱轴向密度分布与计算结果一致。用该理论模型预测了这种表面波离子源的放电结果。     

14MeV中子在φ600mm贫化铀球中造钚率测量

使用中子活化技术对２３８Ｕ（ｎ，γ）２３９Ｕ反应产物２３９Ｕ衰变后的２３９Ｎｐ子体的２７８ｋｅＶγ射线的绝对测量，获得了１４ＭｅＶ中子在６００ｍｍ贫化铀球中的造钚率。其实验测量值为２．４６±０．０９。２７８ｋｅＶγ射线用高纯锗探测器测量，探测器的有效计数效率用２４３Ａｍ源刻度。６００ｍｍ贫化铀球由７层贫化铀球壳组成，球心有一８０ｍｍ源腔，总重约２．１ｔ。     

^68Ge—^68Ga发生器的研制—硅胶柱上^68Ge与Ga,Cu,Zn的分离

测量了硫酸介质中Ｇｅ在硅胶上的分配比及Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ在硅胶上的吸附。研究了硫酸浓度、Ｇａ浓度及原始溶液中Ｇｅ载体量对Ｇｅ分配比的影响。实验结果表明：用１０ｍｍ×３０ｍｍ硅胶柱，上柱料液为５０ｍＬ０．４μｇ／ｍＬＧｅ－０．２８ｍｏｌ／ＬＧａ－９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４溶液，淋洗液为３０ｍＬ９ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４，流速为０．８５ｍＬ／ｃｍ２·ｍｉｎ时，Ｇｅ的穿透率为０．３９％，Ｇａ、Ｃｕ、Ｚｎ的去污系数分别为１．８×１０６、５．０×１０６、２．６×１０６。     

Ir—Ce合金阴极及其应用研究

重点研究了粉末冶金法制备Ｉｒ－Ｃｅ（铱－铈）合金阴极过程中压制压力和烧结温度对发射性能的影响，建立起了一套稳定的制备工艺。试验得到Ｉｒ－Ｃｅ掺Ｗ阴极在１７５３Ｋ时的发射电流密度达１２．４Ａ／ｃｍ２，电流密度保持为１．７Ａ／ｃｍ２，发射试验稳定达１５０ｈ。从机理上验证了它是一种高温大发射电流的发射体。试验还表明Ｉｒ－Ｃｅ阴极具有良好的抗中毒能力。作为应用研究，测量了该阴极在热阴极微波电子枪中的发射性能，微波腔场强约１０ＭＶ／ｍ，工作温度１９１３Ｋ，零场发射电流密度为１０Ａ／ｃｍ２，最大发射电流密度达２１Ａ／ｃｍ２，在２０２０Ｋ时计算零场发射电流密度可达４２Ａ／ｃｍ２。     

15cm双潘宁离子源等离子体产生器

介绍研制的１５ｃｍ双潘宁离子源等离子体产生器的结构和工作原理，研究了磁场、气压和弧功率等运行参数对源特性的影响，最后结合朗缪尔探针测量结果进行了讨论。该产生器的探针饱和离子流密度已达到２００ｍＡ／ｃｍ２以上，引出面附近的离子密度径向不均匀度＜±５％，噪声水平＜±１０％。     

紧凑型强流ECR源

建立了１台紧凑型强流ＥＣＲ源。共振磁场由１个小电磁线圈及软铁回路产生,磁场可调,能保证放电处于最佳条件。研究了气压,微波功率及共振场对放电的影响。在５５０Ｗ的放电功率下,从直径４ｍｍ引出孔引出了３５ｍＡ的Ｈ＾＋离子束,引出Ｈ＾＋离子的质子比超过９０％,从源中还引出了７ｍＡＯ＾＋、８ｍＡＮ＾＋、１２ｍＡ Ａｒ＾＋的束流。     

氚示踪剂在土壤包气层实验中的应用

测定了土壤包气层中氚在天然条件和人工喷淋条件下的扩散系数,研究了氚示踪剂在黄土包气层中的迁移规律。实验结果表明,在华北地区黄土高原天然条件下,包气带中氚示踪剂以０．０３ｃｍ／ｄ速度迁移,纵向扩散系数Ｄｘ为０．１０ｃｍ＾２／ｄ;在２ｍ＾２实验坑中,以５ｍｍ／ｈ喷淋强度每天喷淋３ｈ的条件下,氚示踪剂以２．２７ｃｍ／ｄ的速度向下迁移,Ｄｘ为７．７５ｃｍ＾２／ｄ。     

离子注入法制备超薄氚源

叙述了一种用于中微子静止质量测量的大面积高活度氚源的离子注入制备过程。氚注入在微晶玻璃基板上的碳膜中，由此获得窄条形（０．２ｍｍ宽）、大面积（４０×３０ｍｍ２）、高活度（约２０ＭＢｑ／ｃｍ２）、氚分布均匀（９５％）、氖注入厚度为２μｇ／ｃｍ２、氚的逃逸速度≤４×１０２Ｂｑ／ｈ的氚源。     

折流板环形脉冲柱用作Purex工艺1A接触器研究

该研究跟踪国际先进水平，首次在我国进行折流板环形脉冲柱应用研究。采用５ｃｍ柱径，板间距２ｃｍ，开孔率２５％，正弦脉冲波。水力学性能研究结果表明，液泛通量高达２．７ｃｍ／ｓ，可采用Ｖ＿ｃ（１－Ｘ）＋Ｖ＿ｄ／ｘ＝Ｖ＿０（１－ｘ＿ｅ）￣（ＫＸ）关联分散相存留分数。其Ｋ值为４．５一６，大于零，为Ⅱ型柱；Ｕ传质结果表明，理论级当量高度为７０ｃｍ，当在振幅ａ＝２ｃｍ，频率ｆ＝１．５ｓ￣（－１）的脉冲条件下操作时，其理论级当量高度将降至５０ｃｍ。同脉冲筛板柱的对比试验结果表明，其传质性能优于脉冲筛板柱。与相同工艺条件下的串级结果对比，在ａ＝２ｃｍ，ｆ＝１．５ｓ￣（－１）条件下，２００ｃｍ的萃取柱可达４个理论级。     

大发射电流密度Ir—Ce合金阴极的研究

制作了一种发民流密度较大的铱－铈两相合金阴极。在１７７３Ｋ时，阴极零场发射电流密度为６．７５Ａ／ｃｍ＾２，有效逸出功为２．７３ｅＶ；在１８２３Ｋ时，观察到最大发射电流密度超过２１．２Ａ／ｃｍ＾２。同时简介了阴极制作工艺和抗中毒情况以及未来的改进发展方向。