原子团离子在AlxGa1—xAs基体组分SIMS定量分析中的应用

通过检测原子团离子ＭＣｓ＾＋和ＭＡｓ＾－（Ｍ是基体元素）对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体组分进行了定量的分析，考虑了ＭＩＱ＝１５６ＳＩＭＳ上所测迷些原子团离子的能量分主其对分析结果的影响，并对正、负ＳＩＭＳ，测量方法做出比较。     

MOCVD 生长及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料

本文报道 MOCVD 生长 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料(超晶格、量子阱及量子共振隧穿二极管),采用横断面透射显微术表征了样品的界面结构。实验表明:多量子阱与超晶格的周期性良好,层与层之间界面清晰,采用[100]带轴入射,观察到超晶格的 TEM 卫星衍射斑,测量到量子阱中电子的子能级跃迁吸收。研究了生长工艺和材料结构的关系,分析了影响 RT 器件的因素。     

Sr掺杂量对La_(1-x)Sr_xMnO_(3-δ)离子导电性能的影响

本文从La1 -xSrxMnO3-δ材料的缺陷结构出发 ,探讨了材料在高温条件下离子 (氧离子 )导电的形成机制。分析了Sr掺杂量对氧离子导电性的影响 ,发现当Sr掺杂量x =0 .5时 ,La1 -xSrxMnO3-δ材料的离子电导率达到最大 ,因为在这一掺杂浓度时 ,材料中形成了最佳的氧空 (氧离子 )传输通道。     

Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。另外，我们还发现Ａｓ＿４压强高于１．５×１０￣（－５）ｍｂａｒ时，Ａｓ＿４压强对δ掺杂空间分布影响不大，而Ａｓ＿４压强低于此压强时，Ｓｉ掺杂分布峰宽度增加很快，这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大，其次是Ａｌ组份影响，而较小Ａｓ＿４压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料是有价值的。     

Li_(1+x)Ti_(2-x)Cr_xP_3O_(12)系统的相关系与电性

研究了 Li_(1+x)Ti_(2-x)Cr_xP_3O_(12)系统的相组成与电性的关系。结果表明,Cr~(3+)能取代 LiTi_2P_3O_(12)中的Ti~(4+)生成固溶体,直至 x=0.8。在固溶体范围内,电导率随 x 的增加不断升高,至 x=0.8时达到极大。此时在室温和300℃的电导率分别为2.4×10~(-4)和4.8×10~(-2)S/cm,电子迁移数在10~(-4)数量级,分解电压为1.8V。对所得结果从结晶化学角度进行了讨论。     

(LaMn_(0.8)Al_(0.2)O_3)_(1-x)(Al_2O_3)_x(0.05≤x≤0.2)NTC热敏陶瓷材料制备及电性能研究

采用氧化物固相法制备(LaMn0.8Al0.2O3)1-x(Al2O3)x(0.05≤x≤0.2)系列负温度系数(Negative Temperature Coefficient,NTC)热敏陶瓷材料。利用热重-差热(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、阻温特性以及老化性能测试等手段,确定了材料粉体最佳煅烧温度,表征了陶瓷体物相、形貌、元素含量、电学性能、稳定性与Al2O3含量的关系。结果表明:(LaMn0.8Al0.2O3)1-x(Al2O3)x(0.05≤x≤0.2)系列热敏陶瓷材料电阻率随着Al2O3含量增加显著增大,但材料常数B值增加平缓。当x=0.15时,该陶瓷材料呈现出低B(2816.44 K)、高阻(11893.89?·cm)的优良电学特性。热敏电阻经125℃老化500 h,阻值漂移(ΔR/R)均小于0.94%。     

二次离子质谱在HL—1M聚变装置中的应用

将ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层，新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计，安装和物理实验过程中，我们用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢，第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化，硅化涂层和ＳｉＣ等涂层材料的真空热解释性能，吸氧性能和化学溅射性能以进行了实验研究，并对装置主轴气扁管内壁的清洁度进行了监测。实验证明了原位硼化，硅化和锂     

a-Si_(1-x)Nx:H 光电导的改善及其原由

氮的掺入能够改善 a-Si∶H 的光电导性。用 ESR 方法难以分析其原因。吸收系数的弱吸收段却能显示出氮造成 a-Si∶H 缺陷态密度的变小。当掺氮量 x(?)0.01时,a-Si_(1-x)N_x 之ημT 值呈最大,在 E_(?)下1.2eV 处缺陷态密度最低,约3.3×10~(15)/cm~3。过量地掺氮则导致缺陷态密度增加,光电导降低。     

利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压

利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。     

GaAs中Si的二次离子质谱定量分析

评述砷化镓中硅SIMS定量分析的进展，讨论了相对灵敏度因子法。对此种GaAs的原始参考物质，用实验确认了其可靠性。为常规定量分析研制了二次参考物质。对一些关键实验因素，如样品装载、仪器参数以及离子选择等进行了仔细研究，并评价它们对定量重复性、精确性、检测限和基体效应的影响。Cs 源入射时GaAs中Si定量分析精度在15％内；检测AsSi二次离子时，29Si的检测限达5×1014atoms／cm3。     

BRIDGMAN—Hg1—xCdxTe晶体生长时场量数值分析的进展

综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作。评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作。     

BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展

综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．     

纳米晶Ba1—xPbxTiO3的合成与表征

以醋酸铅，硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料，用硬脂酸凝胶法（ＳＡＧ）合成了粒度均匀，粒径１０－２０ｎｍ的Ｂａ１－ｘＰｂｘＴｉＯ３纳米晶粉末，利用红外光谱（ＩＲ），热重（ＴＧ）和差热分析（ＤＴＡ）研究了纳米晶粉末的合成过程。用ＴＥＭ，ＸＲＤ观察和研究纳米晶的形貌及晶体结构，并用发射光谱测定样品的纯度。     

纳米晶Ba_（1－x）Pb_xTiO_3的合成与表征

以醋酸铅、硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料，用硬脂酸凝胶法（ＳＡＧ）合成了粒度均匀、粒径１０－２０ｎｍ的Ｂａ（１－ｘ）ＰｂｘＴｉＯ３纳米晶粉末．利用红外光谱（ＩＲ）、热重（ＴＧ）和差热分析（ＤＴＡ）研究了纳米晶粉末的合成过程．用ＴＥＭ、ＸＲＤ观察和研究纳米晶的形貌及晶体结构，并用发射光谱测定样品的纯度．     

Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的制备及性能研究

采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0x≤0.9,Cd1-xZnxS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Ve-gard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd1-xZnxS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd1-xZnxS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd1-xZnxS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd1-xZnxS薄膜的电导激活能。     

垂直浸渍液相外延Hg1—xCdxTe的生长及性能

本文报导采用汞回流垂直浸渍液相外延方法,在CdTe或CdZnTe(111)面的衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,其厚度为20μm,面积为1.5×2cm~2,组分x从0.18到0.7,组分均匀性Δx≈0.001。样品经热处理以后,x=0.2的n型样品电子浓度n≈1×10~(15)cm~(-3),电子迁移率μ≈10~5cm~2/v·s,p型样品空穴浓度p≈2×10~(16)cm~(-3),空穴迁移率μ≈300cm~2/v·s,双晶衍射显示样品的半峰宽为90arc sec,X光貌相分析表明外延层晶体结构优良。样品的红外光谱测量,电学参数测量以及载流子寿命测量表明样品具有优良的光电性质。     

电弧离子镀Ti(CxN1-x)薄膜的结构和力学性能研究

利用电弧离子镀设备，沉积了不同C、N比的Ti(CxN1-x)薄膜，研究了C含量对Ti(CxN1-x)薄膜的结构（相结构、择优取向及晶格常数）及力学性能（硬度、膜基结合强度及抗磨损性能）的影响。结果表明，复合镀层的C、N比随CH4、H2流量之比而变化，但原子百分数之和基本不变（约46.5%)。复合镀层结构致密，与基体结合良好，抗磨和切削性能优于TiC和TiN镀层。