共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
Al诱导a-Si:H薄膜的晶化 总被引:6,自引:0,他引:6
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响.X射线衍射测量发现,由于Al的存在使a-Si:H的晶化温度大幅度降低,并得到了有强烈(111)结晶取向的多晶Si薄膜.X射线光电子能谱分析表明,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度. 相似文献
2.
a—Si:H/Al/a—Si:H三层复合膜的低温晶化研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a-Si:H/Al/a-Si:H三层复合膜,并利用XRD,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明,随着热处理过程的进行,金属Al逐步向表面扩散,在金属Al锈导下a-Si:H层出现晶化温度不高于250℃。在Al层厚度低于22nm时,a-Si:H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加,而当Al层厚度大于22nm后,a-Si:H向晶态硅转变的量与Al层厚度无关。 相似文献
3.
4.
5.
6.
本文由实验给出了曝光强度,多层膜的层数和内应力对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜持久光电导(PPC)效应的影响及结果分析。 相似文献
7.
铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜 总被引:8,自引:0,他引:8
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(<600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在560℃退火6h后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理. 相似文献
8.
钱祥忠 《真空科学与技术学报》2001,21(3):254-257
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为1μm左右的B轻掺杂a-Si∶H光电导层,得到了a-Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a-Si∶H薄膜的电学和光学性能及其受掺杂比的影响。结果表明,当B掺杂比增大时,a-Si∶H的暗电导率先减小后增大,并可发生几个数量级的变化。光电导率减小,折射率略有降低,线性吸收系数显著增大,光学带隙减小。测量的数据表明,我们制备的B轻掺杂a-Si∶H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。 相似文献
9.
10.
11.
a-Si1-xCx:H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变.深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要.本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出a-Si1-xCx:H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中Si-C键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析.分析表明Si-C键的形成几率及Si-C键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,Si-C键随着沉积功率的提高显著增加.研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到a-Si1-xCx:H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响.Eg随着薄膜中Si-C键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小. 相似文献
12.
13.
14.
15.
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。 相似文献
16.
aSi1xCx∶H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变。深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要。本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出aSi1xCx∶H薄膜,并采用红外光谱、喇曼光谱及紫外可见光谱等分析测试手段对薄膜中SiC键的形成及其对光学能隙的影响进行了研究分析。分析表明SiC键的形成几率及SiC键的形成能力随着C和Si的含量接近而显著增加,SiC键随着沉积功率的提高显著增加。研究得出,薄膜的光学能隙Eg受到aSi1xCx∶H薄膜中的键合情况及薄膜缺陷态的影响。Eg随着薄膜中SiC键含量的增加而变大,随着薄膜中的H含量的减少缺陷态的增加而减小。 相似文献
17.
18.
Ga、In 掺杂比 B_2H_6掺杂的 a-Si∶H 具有较高的光电导率,而且直至 σ_D=10~(-3)(Ω·cm)~(-1)尚未出现猝灭现象。Ga、In 也使得 E_(?)以下1.2 eV 处缺陷态密度 N_s 增大。用不同掺杂剂制备 σ_D 相同的试样具有相同的 N_s,因此 N_s 的增大是由活性掺杂的结果,与掺杂剂无关。Ga、In 对吸收边的影响远小于 B_2H_6。这可能是由于它们电负性较小,原子较大,不如硼原子那样易构成桥式三中心键的缘故。 相似文献
19.