透辉石质低温陶瓷的研究

本文通过正交试验设计的方法，优选出透辉石用于日用瓷生产的较理想的配方。经过各种性能测定，产品与海城陶瓷一厂９９＾＃瓷性能非常相近，烧成温度降低约１１０℃，达到了预期目的。本文提出了透辉石用于日用瓷生产还应解决的问题及其解决途径，为进一步研究提供了依据。     

陶瓷的低温烧结

本文简要介绍了陶瓷低温烧结的四种基本途径;分析加入低融物实现低温烧结的可能性;提出瓷料低温烧结的五个基本条件。     

陶瓷低温烧结的研究及展望

综述了实现陶瓷低温烧结的一些方法,包括粉体的制备、处理、成型及烧结工艺,并对其前景进行了展望.     

矿渣制备低温陶瓷复合材料的研究

本文研究了矿渣制备胶凝材料的影响因素,通过机械活化和化学激发对矿渣进行活化,制备出矿渣基胶凝材料.研究了低温陶瓷复合材料的影响因素,用活化后的矿渣制备低温陶瓷复合材料.分析了复合材料的界面和矿物相,制备出了抗压强度大于70 MPa的以矿渣为主体的低温陶瓷复合材料,为钢铁冶金渣利用提供了一种新技术方案,并通过对复合材料的性能评价和应用前景分析,使该技术具有一定的实际应用价值.     

低温烧结氧化铝陶瓷的动力学研究

用CaO-MgO-SiO2玻璃(CMS-G)和TiO2为烧结助剂,在1450℃下实现了氧化铝陶瓷的致密烧结.探讨了CMS-G和TiO2质量百分含量对氧化铝陶瓷烧结性能、显微结构以及其烧结动力学的影响.结果表明:CMS-G和TiO2可有效促进氧化铝陶瓷的致密化,当CMS-G含量为3%、TiO2含量为1%时,氧化铝陶瓷的相对密度达到98.25%;液相烧结激活能为113.4kJ/mol,表明扩散控制了烧结过程.     

低温高强度陶瓷结合剂的研究

文章根据制造陶瓷结合剂cBN磨具的特殊要求，对磨具用低温高强度陶瓷结合剂及其性能进行了深入研究。通过调整陶瓷结合剂中各氧化物成分含量，使用SKZ-500型数显抗折试验机、X光衍射（XRD）、电子扫描电镜（SEM）等测试分析仪器，对陶瓷结合剂的性能进行了测试。最后确定了低温高强度陶瓷结合剂的化学成分配比范围：w（Si02）为40％～60％，w（Al2O3）为5％～15％，w（B2O3）为10％～25％，w（R2O）为2％～12％，w（R0）为5％～20％。     

低温共烧陶瓷

所谓低温共烧陶瓷（Low－Temperature Cofired Ce－ramics，LTCC）技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确且致密的生瓷带作为电路基板材料．在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中．然后叠压在一起，在900℃下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件；也可制成内置无源元件的三维电路基板，     

低温烧成刚玉陶瓷

本文详细介绍了两种低温烧成刚玉陶瓷的配方,低温烧成原理和需采用的相应工艺过程。     

低温烧结的刚玉陶瓷

当前,不含熔剂的材料,其烧结温度高达1700～1800℃;而含有熔剂的,其烧结温度则为1600～1650℃。这是俄罗斯工业生产的刚玉陶瓷材料所表现出的明显的技术缺陷。上述缺陷主要表现为热处理设备易快速磨损、耐火制品和能源消耗较高、周围环境遭受热污染。除此之外,高温烧结会导致制品强烈再结晶、形成内气孔和降低强度。因此,开发烧结温度低的、又具有高的物理机械性能和使用性能的材料是十分迫切的。     

陶瓷的低温快速烧成

从理论和实践方面论述了陶瓷低温快速烧成的作用、意义、可能性及对其窑炉、原料、坯釉料配方等的要求。     

陶瓷的低温快速烧成

从和实践方面论述了陶瓷低温快速烧成的作用、意义、可能发表主对其窑炉、原料、坯釉秋配方等要求。     

氮化铝陶瓷低温真空热压烧结研究

以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响。用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征。研究表明：粉体粒径、烧结工艺、烧结助剂对AIN陶瓷低温烧结真空热压烧结性能有很大影响;含烧结助剂的真空热压烧结能够有效降低AIN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,使烧结体的结构致密。烧结温度1550℃条件下,真空热压烧结90min时,得到的AIN陶瓷的致密度最高。     

氮化铝陶瓷低温烧结助剂体系的研究

选用6种配方进行研究，通过XRD、SEM和TGA研究了各配方在升温过程中的物相组成及变化，详细记录了实验中各试样的形貌变化，讨论了相关物质对液相生成温度的影响。研究发现，氟化钙-氧化钇-碳酸锂为最佳体系，氟化钙类似化合物可促进碳酸盐的分解，生成的氧化锂(特定的碱性氧化物)可降低液相生成温度(最低共熔温度)，从而降低液相生成温度，促进烧结进程。     

氧化铝陶瓷低温烧结助剂研究概述

笔者介绍了降低Al_2O_3陶瓷烧结温度的途径和原理,重点论述了Al_2O_3陶瓷烧结助剂研究现状,并对存在的问题和将来的研究方向进行了展望。     

低温烧成蜂窝陶瓷催化载体的研究

为了探索新的蜂窝陶瓷载体制造方法,以提高其性能,并使之适应工业生产需要。本文提供了一种用低温一次烧成来制造蜂窝陶瓷体的方法。     

AlN陶瓷基片低温烧结性能的研究

采用流延成形法制备AlN陶瓷基片,研究了烧结助剂、烧成温度和保温时间对AlN陶瓷基片烧结性能的影响。结果表明:在烧结助剂(CaF2-YF3)的添加量为4%、烧成温度为1650℃、保温3h,能得到结构致密的AlN陶瓷基片,体积密度达3.25g/c。采用XRD、SEM等检测手段对AlN陶瓷基片的物相和形貌进行了分析,揭示AlN陶瓷基片烧结性能与工艺参数之间的关系。     

低温共烧微波介质陶瓷的研究

随着现代信息产业的飞速发展,对电子线路的微型化、轻量化、集成化和高频化提出了更高的要求.本文研究了低温共烧微波介质陶瓷的发展、意义、工艺及其三大体系,并重点探讨了软铋矿(Bj12MO20-δ)的低温共烧特性.探讨了微波介质陶瓷低温共烧技术的发展现状和将来的发展趋势,指出了发展的不足和主要发展方向.     

抗菌陶瓷的研究与开发

叙述了近年来抗菌陶瓷,诸如载银抗菌陶瓷和光催化二氧化钛涂层抗菌陶瓷的研究与开发现状。     

泡沫陶瓷的研究与开发

泡沫陶瓷是最新发展起来的第三代多孔陶瓷产品。本文着重介绍了泡沫陶瓷的最新制备工艺和国内外应用概况。通过对泡沫陶瓷典型试样的粉化现象、气孔率及强度的分析研究表明,足够的、稳定的玻璃相的存在是抑制泡沫陶瓷粉化和提高其强度的重要条件;在发泡法制备泡沫陶瓷的工艺中,以水代替部分有机原料作为发泡剂,对泡沫陶瓷的大批量工业生产意义重大。最后,对泡沫陶瓷可能开发的新的应用倾域作了探讨。