不同化学镀液中p—Si上激光诱导局部沉积铜

在化学镀铜溶液中，ｐ－Ｓｉ片在波长为５１４．５ｎｍ的激光束的照射下，得到了选择性的铜镀层。采用ＡＥＳ、ＳＥＭ、ＲＢＳ和电学技术对比了在３种含不同还原剂的镀液中得到的镀层的形貌、组成、界面扩散及电学性质，探讨了液相激光诱导化学沉积铜的机理。     

p—Si上激光诱导局部沉积铂

现代电子工业中，电子器件基体材料多为半导体或绝缘体，因此，不用外加电源的激光诱导微区沉积技术引起了人们的重视［‘－‘j．这种高度选择性、高速沉积性、工艺简单的技术在电接插件局部镀，多芯层模块制作中的基板联线，加成法制造微带电路及其修复，半导体集成电路中布线的修复等方面有着广泛的应用前景．激光诱导液相金属沉积可在多种基体上，多种电解质溶液中进行”－“’，本课题组自90年代初从事激光镀的研究以来，已利用Ar”激光在硅片上分别实现了Ni－P合金「“］和Cll［“j的镀覆．本文采用3种不同的镀铂溶液作为电解质，在…     

p型硅片上激光诱导局部化学沉镍

在以肼为还原剂的碱性化学镀镍溶液中实现ｐ型单晶硅片上激光诱导微区化学沉镍，讨论了激光能量、照射时间对镍沉积层的影响，使用ＳＥＭ、ＡＥＳ和ＲＢＳ等方面对镀层的形貌、性质进行了分析。激光诱导化学沉积得到了均匀致密、结合力好的纯镍镀层。镀层与基体间具有Ｓｃｈｏｔｔｋｙ接触特性。     

半导体硅上激光诱导化学沉积镍薄膜

由于激光具有高能量密度、高单色性以及良好的相干性,在表面处理技术中的应用越来越广泛．在金属、半导体和高聚物基体上,从水溶液进行激光诱导的化学沉积引起了人们的极大注意,这种工艺在微电子电路及器件上有广泛的应用前景．与传统的化学镀相比,它具有明显的优越性...     

铜在ρ-Si上激光诱导电沉积过程的研究

由于在微电子器件制造，成像系统及太阳能电池等领域里具有广阔的应用前景，激光诱导化学及电化学沉积金属的研究，最近几年引起了极大兴趣［1－3］，例如Zahavi［4］报道了Pd，Au，Ni－Pd在氩离子激光作用下可以不加偏压实现在半导体Si，InPGaAs上的无掩膜选择性沉积，金属沉积只发生在光照部位．大多数研究工作是围绕应用技术而开展的，理论研究，尤其是光电化学方面的研究尚十分欠缺．我们认为对于普通电镀液中的激光诱导电沉积来讲，既使不需外加偏压，沉积过程也必然伴随着溶液中金属离子与半导体能带之间的电荷传递，因此可以通…     

ABS塑料化学镀铜实验

通过研究塑料化学镀铜的时间与铜沉积速率的关系，使学生理解甲醛作为还原剂进行塑料化学镀铜的原理；同时，掌握研究问题的方法和思路，为以后进行课程设计或进行研究性工作奠定基础。     

激光增强电沉积铜过程的研究

用旋转圆盘电极法研究了激光照射下铜的电沉积过程。证明激光照射引起电极界面微区温度升高, 使平衡电位正移, 交换电流i~o和电荷传递系数α均增大, 剧烈的微区搅拌提高了极限扩散电流。这些变化都加快了电沉积速度, 使高速局部电镀有可能实现。     

p－Si上电沉积Ni－W合金薄膜

利用恒电流沉积法，在ｐ－Ｓｉ上制备出不同Ｗ含量和不同结构的Ｎｉ－Ｗ薄膜，研究了镀液温度，ｐＨ值，电流密度对镀层组成的影响，结果表明，提高温度有利于获得高Ｗ含量的合金．随着镀层中Ｗ含量的增加，Ｎｉ面心立方晶格ｆ．ｃ．ｃ发生正畸变，晶粒平均尺寸变小，当Ｗ含量达到５６％以上时，晶粒小于２ｎｍ，薄膜呈非晶态结构．     

聚酰亚胺上激光诱导直接镀钯

利用激光的热效应使聚酰亚胺上的醋酸钯膜分解，得到直接镀覆的金属铝线，讨论了激光波长、扫描速率等因素对钯沉积层的影响，并对该沉积层进行了分析测试．     

光度法测定化学镀铜溶液中氯化镍

利用丁二酮肟在氢氧化钠和过硫酸铵介质中与镍离子的特效显色反应,用吸光光度法测定化学镀铜溶液中氯化镍的含量.利用三乙醇胺在强碱性溶液中掩蔽铜进行测定,并用化学镀铜底液作参比液,在波长470nm处测定.试验表明,镀液中的各种组分不影响镍的测定.用本方法测定氯化镍,结果准确.而用传统的硝酸银滴定法测定氯化镍,配槽所用工业氢氧化钠中所含的氯离子也被滴定,使分析结果偏高,并且误差较大.     

Pd在p型单晶硅(100)表面自催化化学沉积

研究了Pd在氢终止的p型单晶硅(100)表面的自催化化学沉积(AED). 在室温下将刻蚀过的硅片浸入常规的HF-PdCl2-HCl溶液制备了Pd膜. 将沉积了Pd的基底作为工作电极, 用循环伏安法(CV)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了Pd膜的阳极溶出行为和形貌. 结果表明, Pd的生长遵循Volmer-Weber (VW)生长模式, Pd膜给出了很好的支持.     

玻璃上基于自组装和喷墨打印的选位金属沉积

采用氨基硅烷自组装分子对玻璃表面进行修饰; 借助喷墨打印技术, 按照设计好的线路图形把引发化学镀的催化剂“墨水”喷射在上述修饰表面上. 由于自组装分子具有朝向面外的氨基末端能吸附作为催化剂的溶胶或离子, 因而可以起到“有机浆糊”的作用, 使图形化的催化剂层固定在表面上以充当模板, 由于化学镀只在催化剂模板上发生, 从而可获得与设计一致的, 且与基底牢固结合的金属沉积图形. 将该方法拓展应用到玻璃基底上, 着重优化自组装条件, 提高了结合力, 首次实现了玻璃表面上包括金、铜以及镍硼合金在内的多种金属直接成型.     

银纳米树的选择性沉积及其催化性质

<正>纳米银由于体积小、比表面积大及物理和化学性能独特而受到广泛关注[1,2].研究结果表明,纳米银的光学、电学和催化活性与粒子的粒径、形貌和结构之间存在强烈的依赖关系[3].银纳米树的制备     

Electroless Copper Sulfide Deposition on the Polyacrylonitrile Films with Chelating Agents and its EMI Shielding Effectiveness

In this study, an effective deposition of copper sulfide (Cu_{x(x = 1,2)}S) on the PAN film was proposed by an electroless deposition method with the reduction agents NaHSO₃ and Na₂S₂O₃ · 5H₂O and chelating agents (ethylenediaminetetraacetic acid, EDTA and triethanolamine, TEA). The mechanism of the Cu_{x(x = 1,2)}S growth and the electromagnetic interference shielding effectiveness (EMI SE) of the C_{ux(x = 1,2)}S/PAN films were studied. It was found that the vinyl acetate monomer residue in the PAN substrate would be purged due to the swelling effect by EDTA and TEA solution. And then, the anchoring effect occurred due to the hydrogen bonding between the pits of the PAN substrate and the chelating agent. The swelling degree (S_d) was proposed and evaluated from the FT-IR spectra. The relationship between swelling degree of the PAN films and EDTA concentration(C) is expressed as: S_d = 0.13 + 0.90 × eˆ(−15.15C_EDTA). And TEA series is expressed as: S_d = 0.07 + 1.00 × eˆ(−15.15C_TEA). On the other hand, the FESEM micrograph showed that the average thickness of copper sulfide increased from 76 nm to 383 nm when the concentration of EDTA increased from 0.00 M to 0.20 M. Consequently, the EMI SE of the C_{ux(x = 1,2)}S/PAN films increased from 10∼12 dB to 25∼27 dB. The GIA-XRD analyzer indicated that the deposited layer consisted of CuS and Cu₂S.     

2,2''''-联吡啶和亚铁氰化钾对乙醛酸化学镀铜的影响

以乙醛酸作还原剂、Na2EDTA为络合剂、2,2'-联吡啶和亚铁氰化钾作为添加剂组成化学镀铜体系,研究了两种添加剂对化学镀铜速率、镀层表面形貌、组成和结构的影响.结果表明:添加适量的2,2'-联吡啶和亚铁氰化钾,不仅提高了镀液的稳定性,而且使沉积速率增加1倍.这两种添加剂的同时使用,使镀层颜色变亮,形貌发生变化.所得镀层是多晶铜,没有发现夹杂Cu20.     

A New Approach on the Active Treatment for Electroless Copper Plating on Glass

A new method is described for the electroless deposition of copper onto glass.Commercially available glass slide was modified with γ-aminopropyltrimethoxysilane to form self-assembled monolayer (SAM) on it .Then it was dipped directly into PdCl2 solution instead of the conventional SnCl2 sensitization followed by PdCl2 activation.Experimental results showed that the Pd^2 ions from PdCl2 solution were coordinated to the amino groups on the glass surface resulting in the formation of N-Pd complex.In an electroless copper bath containin a formaldehyde reducing agent,the N-Pd complexes were reduced to Pd^0 atoms,which then acted as catalysts and initiated the deposition of copper metal.Although the copper deposition rate on SAM-modified glass was slow at the beginning,it reached to that of conventional method in about 5min.