高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

LC—13型强流氧离子注入机

强流氧离子注入机是用于研制开发ＳＩＭＯＸ材料所需的关键设备。该项目的研制具有一定的难度，在国内尚属首例。本文描述了ＬＣ－１３型强流氧离子注入机主要性能指标及技术难点。     

用于强流离子注入的多极头离子源

多极头离子源技术已在融合和等离子加工的中性束加热方面获得了应用,但把这种离子源应用于离子注入的报道却少见。多极头离子源的几何形状能满足离子注入所希望的若干特征,具有束流引出面积大,产生静等离子体和形成手段灵活等特点。与常规的弗里曼源不同,它不需外加磁场、用于强流离子注入机的多极头离子源已研制成功,实验结果表明这种离子源的性能与标准弗里曼源相似,而且源的寿命更长。本文将介绍用BF_3作为掺杂气体的多极头离子源性能和寿命的实验结果。     

扩大及改进LC—2A型离子注入机功能的综合考虑

本文根据我所红外及光电器件研制工艺中对离子注入的特殊要求,注入机的现有性能及本所技术力量和特色,对LC—2A型注入机离子源、注入能量低(几keV—几百keV)和红外表面测温、低温靶室等方面作出改进考虑和试验以期扩大和改进原有注入机功能。     

LC—4型700KeV高能离子注入机头部装置

一、概述离子注入技术是当代半导体器件的基础工艺。目前生产中用得最多的离子注入机的能量大都在200keV左右。对某些高水平的鬼子器件而言,这种中等能量的离子注入深度达不到工艺要求,一般都需要在注入后进行长时间的热处理,通过热扩散运动使注入的杂质达到工艺要求的深度。但是随着对半导体器件性能要求的提高和图形线宽的减小,这种注入加退火的工艺缺点日益严重。高能离子注入机由于能量高,对某种器件工艺来讲,单靠注入本身即可使注入离子的深度达到要求。这就可以省去或大大缩短热处理时间,使加工周期缩短,成本降     

LC—11型强流离子注入机晶片电荷积累效应分析

通过讨论强流离子注入过程中晶片电荷积累所引起的一系列问题，分析了ＬＣ－１１型强流离子注入机防晶片电荷积累的有效性。     

内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序

以离子注入工艺为例,通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响,提出了建立设备模型的必要性,并且编程加以实现.     

在线离子注入机质量跟踪研究

本文报告以实验的方法，经过一年的工艺跟踪试验，对某型号在线运行十年的中能离子注入机的运行质量进行检测研究。用四探针法研究了中剂量（１×１０￣（１４）ｃｍ－２）注入样品的薄层电阻，发现最大偏差为２％；用Ｃ－Ｖ法测量了低剂量注入样品的表面浓度。检测结果表明，注入样品表面峰值浓度偏差为６％，但不同低剂量注入样品分辨力是可以的；同时发现，氧化后，未注入样品在退火前、后峰值浓度变化为７．４％；对试验样品原始数据也进行了测量。由此提出，集成电路成品率的提高有赖于整个加工线运行质量的可靠程度。     

离子注入机靶室尘埃污染与系统改造

讨论了离子注入机尘埃污染的原因 ,给出了用冷凝泵系统取代扩散泵系统的改造实践 ,并提出了预防维修措施以全面减少尘埃污染。     

一种提高注入效率和改善注入重复性的方法

在高剂量离子注入过程中,由于设备终端系统真空度的降低而引起注入效率降低,由此而产生注入重复性度差。作者提出,在注入前(采用粘靶工艺)将待注入的靶进行烘烤,可以克服上述情况的发生。     

二维离子注入的改进模型及数值模拟

本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.     

BF_2~+注入束的沾污和对结深的影响

注入系统中剩余气体分子与B_2~+离子的碰撞,造成了不同能量的BF~+,F~+、B~+离子束对BF_2~+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2~+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备。用静电束过滤器可部分消除这些沾污束,在先加速后分析的注入机中,也未观察到BF_2~+束的沾污。此外,提高系统真空度会明显降低沾污峰的强度。     

离子注入在铝／硅接触之间的应用

为了改善铝/硅之间非均匀性的溶解和浅结的电性能,在n型衬底上制作浅的P~+-n结,淀积Al后将B~+ 离子注入到Al-Si界面进行混合。420℃的温度中热处理10分钟。实验结果表明,注入样品结的漏电比非注入样品的漏电有明显的改善。     

离子注入装备发展趋势

简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。     

用离子束技术改善材料电子发射特性的研究

本文用离子束技术，使铜网的二次电子发射系数降低，场发射性能得到改善，钼网的“栅发射”得到抑制，测量并讨论了逸出功变化对电子发射性能的影响，研究表明，离子束技术是改善材料电子发射性能的有效手段。     

状态机在离子注入机中的应用

报告了在离子注入机控制软件建模时使用状态机的原因,以及控制软件的结构、状态机的层次结构和由状态机自动生成代码的方法,并介绍了应用状态机设计开发的离子注入机控制软件的优点。     

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。