采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。     

移动通信用的半导体技术

介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Ｓｉ双极晶体管、ＳｉＭＯＳＦＥＴ、ＧａＡｓＨＢＴ、ＨＪＦＥＴ和ＨＥＭＴ以及电路技术。     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

1.5V高速全摆幅BiCMOS逻辑电路的研究

分析了影响ＢｉＣＭＯＳ全摆幅输出和高速度的因素,探索了一种新的抑制ＢＪＴ过饱和和反馈网络,提出了具有高速全摆幅输出的ＢｉＣＭＯＳ逻辑单元。该单元可以工作于１．５Ｖ,并且易于多输入扩展,它特别适于ＶＬＳＩ设计。模拟结果表明,该单元实现了优于ＣＭＯＳ的全摆幅输出,且其速度高于同类ＣＭＯＳ电路１０倍以上。     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

注入条件对SIMOX材料的影响

利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ２界面过渡区受注入条件的影响。结果表明，在注入剂量相同的情况下，多重注入不仅能改善顶层单晶、ＳｉＯ２绝缘层的质量，而且能显著减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面过渡区宽度。     

高线性、高效SiGe MMIC

ＳｔａｎｆｏｒｄＭｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅＳ’ＳＧＡ - 60 0 0系列高线性ＳｉＧｅＲＦＩＣＭＭＩＣ放大器采用可挠性工业标准 85ｍｉｌ,ＳＯＴ89和ＳＯＴ2 3- 5表面安装塑料封装。这些无条件稳定的放大器在 4 2Ｖ单一电源电压和 75ｍＡ下工作 ,适用于家庭ＲＦ ,无线网和ＩＥＥＥ80 2 11。型号为ＳＧＡ - 6388在 1ｄＢ压缩点 ,输出功率为 2 0ｄＢｍ ,输出ＴＯＩ(ｔｈｉｒｄ ｏｒｄｅｒｉｎｔｅｒｃｅｐｔ)点为 36ｄＢｍ ,在 90 0ＭＨｚ下 ,增益为 15 5ｄＢ。ＳＧＡ - 6388的单价为 1 2 1美元高线性、高效SiGe MMIC@一凡…     

高温薄膜SOI MOS器件硅膜厚度的设计考虑

根据薄膜ＳＯＩ ＭＯＳ器件的特点和高温应用的特殊考虑，采用计算机模拟技术，得出最大耗尽层宽度ｘｄｍａｘ和衬底掺杂浓度ＮＢ及温度Ｔ的关系曲线。研究结果表明，在常温下ｘｄｍａｘ随ＮＢ的增大而减小当ＮＢ一定时，ｘａｍａｘ随温度的升高而减小。因此，为满足薄膜器件的硅膜厚度ｄＳｉ小于ｘｄｍａｘ的条件及温度应用的特殊要求，高温薄膜ＳＯＩ ＭＯＳ器件ｄＳｉ的设计必须考虑ＮＢ和温度的综合影响。     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

具有优良性能的MCBiCMOS IC结构

本文分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对ＭＣＢｉＣＭＯＳ集成电路结构的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明：ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单；芯片面积小；工作速度高，负载能力强和低压工作性能好等优点。     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。     

Boundary Element Method for High－Voltage Terminations and 2－DBEM Simulation Of MZ－JTE

ＢｏｕｎｄａｒｙＥｌｅｍｅｎｔＭｅｔｈｏｄｆｏｒＨｉｇｈ－ＶｏｌｔａｇｅＴｅｒｍｉｎａｔｉｏｎｓａｎｄ２－ＤＢＥＭＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＯｆＭＺ－ＪＴＥＬｉａｎｇＳｕｊｕｎ（ＣｏｒｎｐｕｔｅｒａｎｄＣＡＤｒｅｓｅａｒｃｈｄｉｖｉｓｉｏｎ．Ｘｉ＇ａｎｉｎ...     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

MICROTUNE推出CABLE宽带应用RF上行信号放大器

世界著名的ＭｉｃｒｏｔｕｎｅＴＭ 公司日前宣布推出业界性能最高且功耗最低的新型ＲＦ上行信号放大器ＭｉｃｒｏＳｔｒｅａｍｅｒＴＭ ,以供宽带ｃａｂｌｅｍｏｄｅｍ、ｃａｂｌｅ电话、机顶盒和数字交互式领域的应用。Ｍｉｃｒｏｔｕｎｅ的这种用于交互式消费类电子设备的全芯片双向ＲＦ“通路”产品丰富了Ｍｉｃｒｏｔｕｎｅ的芯片种类 ,而且处理性能、速度和可靠性更高。此新型射频（ＲＦ）上行信号放大器系列中的第一个产品单芯片部件为ＭＴ１５３０ ,该Ｍｉｃｒｏ -ＳｔｒｅａｍｅｒＭＴ１５３０支持ＤＯＣ ＳＩＳ和ＥｕｒｏＤＯＣＳ…     

声表面波技术

１声表面波技术９５３０２用于时钟恢复系统的１７４．０８ＡＩＨｚ８ＡＷＦ——ＣａｂｒｄｒａＣＭ．ＳＢＭＯＩｎｔｅｒｎＭｉｃｒｏｗｔａｖｅＣｏｎｆ／ＢｒａｚｉｌＰｒｏｃ，１９９３；１：２９～３４将１７４．０８ＭＨｚＳＡｗＦ用于ＳＯＮＥＴ系统的时钟恢复部件...     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。