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以高电子迁移率晶体管,异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点,封装,测试及其应用。 相似文献
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(Al.Ga)As-GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)具有跨导大、截止频率高、噪声低、开关速度快以及功耗低等特点。是一种比MESFET优越的新型器件。在器件模拟这一领域,已经发展了一维分析模型、二维数值模型或半数值模型以及针对小尺寸器件的Monte Carlo模型。对部分一维和二维器件模型作了综合介绍和分析。 相似文献
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采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s). 相似文献
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研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的InAlAs/InGaAs亚微米HEMT的影响。发现直流特性变差。IDSS从299mA/mm减到182mA/mm,Gm从513mS/mm减至209mS/mm,还测量出了微波参数的降低。fT和fmax分别减少超过30%和20%,一些证据表明,由于在沟道/缓冲层界面和内部额外陷阱的存在而引起的变化是导致这种参数改变的原因。测量出的欧姆接触电阻率从0.19Ωmm增加至 相似文献
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设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InP DHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性. 相似文献
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带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n -InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n -InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n -InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InP DHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性. 相似文献
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高速InP/InGaAs雪崩光电二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32~42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益. 相似文献
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文章简要地介绍了InGaAs/InP PIN PD阵列的制作现状及其应用和发展趋势。 相似文献
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首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件,而后分别给出了InP/InP的生长特性,InGaAs/InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。 相似文献
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