共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
报导了在n型(100)GaSb衬底上,温度为520—530℃时,用液相外延的方法实现了组分在0≤x≤0.19,0≤y≤0.14范围内的Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)四元合金半导体的生长。X射线双晶衍射,电子探针及光学显微镜的观察和分析测试表明:所得外延层的表面形貌和界面特性优良,组分分布和层厚均匀,晶格匹配及单晶性能良好。对外延层表面的氧化情况使用Auger能谱仪进行测试分析。另外,对生长中存在的一些问题进行了讨论。 相似文献
3.
4.
本文描述了采用Varian GenⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个“9”的铍作p型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料。倍增层p-Al_(0.6)Ga_(0.4)As的载流子浓度低达2.3×10~(14)cm~(-3)电子与空穴离化率的比值为25.0。此材料用于制作超晶格雪崩光电探测器,器件性能有显著的提高。在初始光电流I_(po)=100nA下,反向偏压为80伏得到的内部雪崩增益为1900,计算分析最大雪崩倍增因子高达6050。 相似文献
5.
6.
报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。 相似文献
7.
人们所关心的是 OMVPE 的源化学制剂替代物。最常用的铝源是三甲基铝(TMAl),三甲基铝的缺点是有很强的Al—C 键,结果造成明显的碳掺入。三乙基铝是一种替代物,它的碳掺入非常低。但三基铝(TEAl),的缺点是蒸汽压低(55℃时为 0.5乇),因而限制了生长速率,但是这二者均易受高含量 相似文献
8.
9.
徐至中 《固体电子学研究与进展》1993,13(4):287-291
采用紧束缚的重整化方法计算了超晶格(Al_xGa_1 xAs)_m/(GaAs)_m(110)的电子能带结构(1≤m≤10)。讨论了电子能带结构随超晶格层厚m及合金组分x的变化情况。计算结果表明,对于不同的合金组分x,超晶格可以处在三个不同区域:A区,直接能隙结构,Ⅰ-型超晶格;B区,间接能隙结构,Ⅰ-型超晶格;C区,间接能隙结构,Ⅱ—型超晶格。 相似文献
10.
11.
在 GaSb 衬底上用过冷却技术在550℃的饱和温度下生长了晶格匹配的AlGaSb 外延层。用金相显微镜测量了外延层的厚度并观察了形貌。用 X 射线双晶衍射和低温光致发光技术分别测量了材料的晶格常数和禁带宽度,并因此确定了外延层的组分。 相似文献
12.
本文报道了在掺In半绝缘GaAs衬底上的液相和汽相外延生长,并用x射线双晶衍射和光学显微等方法研究外延层和衬底之间的晶格失配.结果表明,当衬底中In组分x<0.004时,外延层失配应力主要由弹性形变调节,不出现失配位错,并可得到很好的表面形貌;当x≥0.006时,外延层产生失配位错,失配应力主要由失配位错调节,液相外延层表面出现沿[110]和[110]方向的十字网络.当外延层产生范性形变时衬底中的临界In组分x_c在0.004和0.006之间. 相似文献
13.
通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5~8)×105 cm-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70″左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用. 相似文献
14.
通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5~8)×105 cm-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70″左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用. 相似文献
15.
16.
After each process of a chemical etching, heat-cleaning, melt-back, or soaking in HC1, the substrate surface of GaSb was characterized
by the Auger electron spectroscopy with a simultaneous Ar sputtering to reveal oxide layer structures. An optimum treatment
process of GaSb surfaces for low temperature LPE growth of AlGaSb was established. Uniform growth of epitaxial AlGaSb on GaSb
is demonstrated for a wide temperature range(from 500‡C to as low as 250‡C). 相似文献
17.
本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为~63nm,22.8meV,~11nm。四元层与衬底间失配度为+0.3‰。 相似文献
18.
文章报道了采用液相外延方法,在碲锌镉衬底上进行碲锌镉薄膜缓冲层生长的情况,并且采用X光双晶衍射仪、X光形貌仪、红外傅里叶光谱仪、二次离子质谱仪等手段对碲锌镉薄膜进行了表征,碲锌镉薄膜具有较好地组分及均匀性,晶体结构质量也较好。采用碲锌镉缓冲结构生长了碲镉汞液相外延片,其碲锌镉与碲镉汞薄膜界面附近的杂质得到了有效的控制。 相似文献