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全方位离子注入与沉积技术及其工业机的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
全方位离子注入与沉积(Plasma immersion ion implantation and deposition,PIIID)技术发展到现在,已经逐步走向工业化应用。本文介绍了全方位离子注入与沉积技术的原理,探讨了全方位离子注入与沉积工业机应该具备的功能,介绍了研制成功的全方位离子注入与沉积设备的结构和实施效果,其脉冲阴极弧等离子体源沉积速率达到2.9(?)/s,IGBT固体开关调制器输出电压达到10 kV,能够一次处理多个工业零件。 相似文献
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离子注入过程中表面的碳沉积 总被引:2,自引:1,他引:1
通过对离子注入过程中表面碳膜结构及其对离子注入层各种性能(颜色、显微硬度和耐蚀性)影响的研究,得知了形成离子注入层表面碳膜及其影响离子注入层性能的机理。 相似文献
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离子束混合及离子注入陶瓷材料表面改性研究概述 总被引:11,自引:1,他引:11
对离子注入陶瓷材料引起的辐照损伤和材料力学性能、摩擦学性能的改善及陶瓷基体上金属薄膜的离子束混合增强粘着研究的进展进行了综述。 相似文献
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强脉冲离子注入中的脉冲能量效应研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在脉冲离子束流密度为15-120A/cm2、脉宽为50-150ns、加速电压为150-260kV范围内,在1×104cm-2的低注量水平上,研究了高功率Cn++H+混合离子束注入45号钢样品的强脉冲能量效应.摩擦磨损和微观硬度测量以及SEM和X射线衍射分析表明,上述低注量强脉冲离子束注入可以改变材料表面的微观结构和力学特性,而且强烈依赖于单个脉冲离子束的功率密度和能量密度,在相同离子注量条件下,普通C++H+离子注入对45号钢样品表面微硬度和摩擦系数未见明显影响.直接证明了强脉冲能量效应在离子注入中是相对独立于注入元素掺杂效应的又一可利用的重要效应.基于一维导热模型,讨论了强脉冲能量效应以及脉冲离子束功率密度对离子束材料表面改性的作用。 相似文献
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GCr15钢广泛用于各类轴承制造.为提高其摩擦性能,用磁控溅射法在GCr15轴承钢试样表面沉积厚约100 nm的钽膜,再进行不同注量的50 keV碳离子注入.用Ф6的GCr15钢球做对磨试验,测试它们的摩擦性能,用SEM观察磨痕形貌.结果表明,处理后GCr15钢改性层的Ta2C含量随注量增加,摩擦性能得以提高.载荷1 N、滑动速度50 mm/s条件下,注入3×1017ions/cm2的试样耐磨性是原始试样的1.65倍;表面沉积钽膜后,摩擦系数由未处理前的0.8~1下降至0.5左右,钽膜注碳后摩擦系数更降至0.2~0.3,注入层主要以磨粒磨损为主. 相似文献
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利用ECR-微波等离子溅射沉积技术加不同偏压在45#钢基体上制备了ZrN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对薄膜的微观组织结构进行了分析。结果表明,无偏压时薄膜为非晶膜,随着偏压的升高,薄膜呈ZrN晶体结构。利用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试了薄膜表面形貌。薄膜表面平整,但仍存在局部缺陷;粗糙度(RMS)在0.311—0.811nm之间变化,轮廓算术平均值(Ra)在0.239—0.629nm之间变化。同时利用电化学极化实验在0.5mol/LNaCl溶液中测试了基体及薄膜的耐蚀性能,基体自腐蚀电位Ecorr为–512.3mV,样品Ecorr在–400.3—–482.6mV之间变化,45#钢基体自腐蚀电流Icorr为9.036μA,样品Icorr在0.142—0.694μA之间变化。并讨论了偏压对薄膜的微观组织和耐蚀性能产生影响的原因。 相似文献
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Plasma immersion ion implantation(PⅢ) overcomes the direct exposure limit of traditional beamline ion implantation, and is suitable for the treatment of complex work-piece with large size. PⅢ technology is often used for surface modification of metal, plastics and ceramics. Based on the requirement of surface modification of large size insulating material, a composite full-directional PⅢ device based on RF plasma source and metal plasma source is developed in this paper. This device can not only realize gas ion implantation, but also can realize metal ion implantation, and can also realize gas ion mixing with metal ions injection. This device has two metal plasma sources and each metal source contains three cathodes. Under the condition of keeping the vacuum unchanged, the cathode can be switched freely. The volume of the vacuum chamber is about 0.94 m~3, and maximum vacuum degree is about 5?×?10~(-4) Pa. The density of RF plasma in homogeneous region is about 10~9 cm~(-3), and plasma density in the ion implantation region is about 10~(10) cm~(-3). This device can be used for large-size sample material PⅢ treatment, the maximum size of the sample diameter up to 400 mm. The experimental results show that the plasma discharge in the device is stable and can run for a long time. It is suitable for surface treatment of insulating materials. 相似文献
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综述了MEVVA离子源在金属硅化物、磁性薄膜、准晶材料和表面复合材料的制备以及电催化、抗腐蚀、抗高温氧化、抗疲劳和磷酸盐玻璃抗风化等研究领域的应用. 相似文献
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Alexey Kondyurin Marcela Bilek 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》2011,269(12):1361-1369
A thin (120 nm) polymethylmethacrylate coating was treated by plasma immersion ion implantation with Ar using pulsed bias at 20 kV. Ellipsometry and FTIR spectroscopy and gel-fraction formation were used to detect the structure transformations as a function of ion fluence. The kinetics of etching, variations in refractive index and extinction coefficient in 400-1000 nm of wavelength, concentration changes in carbonyl, ether, methyl and methylene groups all as a function of ion fluence were analyzed. A critical ion fluence of 1015 ions/cm2 was observed to be a border between competing depolymerization and carbonization processes. Chemical reactions responsible for reorganization of the PMMA chemical structure under ion beam treatment are proposed. 相似文献
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等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在一定的电压范围内实现。在典型的外表面注入工艺条件下 ,内表面离子的耗尽速度是惊人的。如在对于直径 2 0cm的圆筒在 30kV、2× 10 15ions/cm3的条件下 ,等离子体耗尽时间仅为 0 .5 5 μs ,这个时间甚至小于多数脉冲电源的上升沿时间。结果表明 ,内部等离子体源的硬件结构可能是一种有效的解决方法。 相似文献