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A Novel MOS-gated thyristor, depletion-mode MOS gated emitter shorted thyristor (DMST),and its two structures are proposed. In DMST,the channel of depletion-mode MOS makes the thyristor emitter-based junction inherently short. The operation of the device is controlled by the interruption and recovery of the depletion-mode MOS P channel. The perfect properties have been demonstrated by 2-D numerical simulations and the tests on the fabricated chips. 相似文献
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报道了一种新结构的功率栅控晶闸管 ,称其为槽栅 MOS控制的晶闸管 (TMCT) .在该器件结构中 ,采用 U-MOS控制晶闸管的开启和关闭 .结构中不存在任何的寄生器件 ,因此 ,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题 ,所以 TMCT会有优良的电特性 .实验结果表明 ,多元胞 TMCT (6 0 0 V,有源区面积0 .2 m m2 )的开态压降在 30 0 A / cm2 时为 1.2 5 V,最大可控电流在栅压为 - 2 0 V和电感负载下达到了 2 96 A/ cm2 . 相似文献
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采用了合理的物理模犁和精确的数值解法,对MCT进行了一维数值求解,得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对MCT的优化设计具有实际指导意义。 相似文献
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本文介绍一种新型氨气敏MOS场效应晶体管.采用Pd-Ir合金作为场效应晶体管的金属栅极.器件对氨气有足够的灵敏度和较好的选择性.文章分析了器件对氨气的敏感机理. 相似文献
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一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管的特性分析与优化 总被引:1,自引:0,他引:1
在阳极短路型门极可关断晶闸管(SA-GTO)的基础上,提出了一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管(IEC-GTO),其注入效率可通过一层位于阳极短路接触区的薄氧化层来控制.模拟了IEC-GTO的正向阻断、导通和开关特性,并与短路阳极和普通阳极GTO的特性进行比较分析.结果表明,IEC-GTO在关断特性和通态特性间获得较好的折中.最后,通过对薄阳极氧化层宽度和阳极掺杂浓度的优化,分析了工艺的可行性,给出了工艺方案,说明引入氧化层并不会增加IEC-GTO的工艺难度. 相似文献
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在阳极短路型门极可关断晶闸管(SA-GTO)的基础上,提出了一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管(IEC-GTO),其注入效率可通过一层位于阳极短路接触区的薄氧化层来控制.模拟了IEC-GTO的正向阻断、导通和开关特性,并与短路阳极和普通阳极GTO的特性进行比较分析.结果表明,IEC-GTO在关断特性和通态特性间获得较好的折中.最后,通过对薄阳极氧化层宽度和阳极掺杂浓度的优化,分析了工艺的可行性,给出了工艺方案,说明引入氧化层并不会增加IEC-GTO的工艺难度. 相似文献
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门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。 相似文献
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Bi-mode逆导门极换流晶闸管(BGCT)是为了改善传统逆导门极换流晶闸管(RC-GCT)电流均匀性和提高硅片有效面积利用率而提出的一种新结构。通过分析BGCT器件的版图布局结构,采用Sentaurus TCAD软件模拟并分析了BGCT、传统结构RC-GCT和IGCT传统功率器件的通态特性、正向阻断特性和关断特性,着重比较了RC-GCT与BGCT在400K温度下不同工作模式下特性差异。分析研究结果表明,BGCT器件能够改善RC-GCT器件的通态特性,提高硅片面积的利用率。 相似文献
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一种新型MOS变容管在射频压控振荡器中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
基于0.5μm工艺,设计了一个工作频率在1.8GHz,相位噪声在偏移量为500kHz时小于-100dBc/Hz的压控振荡器(VCO)。并将一个普通的压控MOS变容管改进为只工作在反型区的压控MOS变容管。将这两种MOS电容分别应用到该VCO电路中。结果表明,采用反型模式压控MOS变容管的VCO电路具有更大的调谐范围,调谐曲线由之前的反复变化变为单调变化,并且对电路的相位噪声也起到了抑制作用。 相似文献
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一种新型的6H-SiC MOS器件栅介质制备工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
采用干 O2 +CHCCl3(TCE)氧化并进干 /湿 NO退火工艺生长 6H-Si C MOS器件栅介质 ,研究了 Si O2 /Si C界面特性。结果表明 ,NO退火进一步降低了 Si O2 /Si C的界面态密度和边界陷阱密度 ,减小了高场应力下平带电压漂移 ,增强了器件可靠性 ,尤其是湿 NO退火的效果更为明显。 相似文献
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闫林 《微电子学与计算机》2000,17(2):39-41
MOS逻辑门电路的功率损耗与其门电路的输出翻转成正比。在测试过程中,输出节点反转速率远高于正常使用时,很容易造成电路损坏。因此,在测试过程中减少逻辑门输出翻转速率具有重要意义。文章提出减少MOS门输出翻转速率的一些方法,有助于有效解决这一问题。该方法具有实现简单、编程方便等优点。 相似文献
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提出一种新型浮栅MOS单管动态比较器的电路结构。以浮栅MOS单管为核心,根据浮栅电荷的保持特性,在时钟控制下,两个电压分时地输入浮栅MOS管从而引起浮栅电位变化,相对变化后的浮栅电位决定着比较管的再通断,使预充电的输出电容与源极电容重新分配电荷,通过输出电容上电压是否发生变化来反映比较结果。单管比较避免差分对管由于工艺偏差所引起的输入失调问题,而且以浮栅偏置抵消MOS管的阈值。采用charted0.35μmCMOS工艺设计电路,面积约为0.003mm2,经前、后仿真和流片测试,结果表明,电路功能正确。并且在3.3V电源电压下、比较时间为0.4μs时,平均功耗为2.8mW。 相似文献
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引入沟槽结构,提出一种改进型注入效率可控门极换流晶闸管。新结构采用沟槽型阻挡结构代替阳极表面平面型氧化薄层,实现对基区漂移电子阻挡和积累作用,保持了注入效率自调整效应,减小了平面型氧化阻挡层对阳极有效面积的影响。模拟结果表明,新结构器件实现了注入效率控制功能,增大了有效阳极接触面积并降低了通态压降;其沟槽宽度可调节注入效率和关断特性。 相似文献
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基于SET的I-V特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或非门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器.通过SET和MOS管两者的混合构建的电路与纯SET实现的电路相比,电路的带负载能力增强;与纯MOS晶体管实现的电路相比,电路同样仅需要单电源供电,且元器件数目得到了减少,电路的静态功耗大大降低.仿真结果验证了电路设计的正确性. 相似文献