基于LTI Viewer的负反馈放大器频率补偿

为了提高负反馈放大器的稳定性,需要对负反馈放大器进行频率补偿.用Matlab中的LTI Viewer进行负反馈放大器的稳定性分析和频率补偿设计是一种非常有效的方法.本文介绍LTI Viewer进行负反馈放大器的滞后补偿、超前补偿和超前带后补偿的设计方法,对比了三种不同补偿方式的特点,给出相应的程序及结果分析.表明用LTI Viewer进行多级负反馈放大器的设计与分析,方法简便、实用,图形化特点强,且交互性好.     

晶体管电路设计(三)

三、宽频带放大器放大脉冲和其他非正弦视频信号时都需要采用宽频带放大器.利用晶体管做放大器时在高频段放大倍数的跌落不仅是由于分布电容的影响,还必须考虑到所用晶体管的截止频率.改善放大电路高频响应的方法和电子管电路一样,可以采用补偿和负反馈两种方法,只是由于晶体管的参数较复杂,使电路设计显得繁一些而已.下面我们仅就电感补偿电路的计算作一介绍,关于负反馈电路的设计可参阅有关文献.     

负反馈放大电路的拆环等效分析法

本文阐述用常用的电路分析方法将闭环的负反馈放大电路等效成开环式放大电路。用分析普通放大电路的通用方法分析计算闭环的负反馈放大电路。概念清楚,分析简便,思路灵活,计算结果与现行框图法一致。     

负反馈放大电路实验的负载效应分析

反馈网络的负载效应在《模拟电子技术》课程中一直是个教学盲点,往往导致负反馈放大电路实验中动态性能指标的实测值与理论值之间的误差超过工程允许范围。有鉴于此,本文通过建模分析了“负反馈放大电路”实验中反馈网络对基本放大电路负载效应的成因;对比分析了常用传统框图法与计及负载效应后负反馈放大电路的动态性能指标;利用实际电路对这二种方法计算的动态性能指标进行了实验检测。分析结果表明：传统框图法计算动态性能指标的误差由摒弃基本放大电路与反馈网络之间的关联性引起;基本放大电路与反馈网络之间的关联性通过H参数电阻形成的负载效应实现;计及负载效应能够有效消除负反馈放大电路动态性能指标的计算误差,对模拟电子技术课程的理论和实践教学具有指导意义。     

利用回路增益分析负反馈放大电路

目前，方框图法是被广泛使用的分析负反馈放大电路的方法。但用其求电路的增益时，不同的组态要用不同的方法，因而比较复杂繁琐。本文介绍另外一种求增益的方法；首先直接由负反馈放大电路求出回路增益，再利用反馈系数得到负反馈放大电路的增益，最后计算输入电阻、输出电阻。它的优点是负反馈放大电路的增益简单易求。     

HE331型、HE341型、HE351型、微型超高频宽带混合集成放大电路

本文介绍了一种国际通用管壳封装的超小型混合集成放大电路。该电路采用薄膜混合集成技术,将微波管芯、薄膜电阻、平面螺旋电感等集成于一个φ8.4mm的B-3金属管壳之中。采用了负反馈加电抗补偿等集总参数设计,并提供了一种典型负反馈宽带低噪声放大器的简化计算方法。设计了一种用超声键合法在微型管壳内动态调试放大器的技术方法。     

基于Multisim8的电压串联负反馈放大器仿真

采用Multisim8软件创建负反馈放大电路,利用其虚拟仪表和仿真分析了功能测试和仿真分析负反馈对放大电路的影响,通过对串联负反馈放大电路的理论研究和利用Multisim8仿真软件对电路实际工作情况进行模拟,根据二者结果的对比,研究并提出了串联负反馈放大电路的Multisim电路仿真研究的方法。Multisim8仿真分析中图像清晰、现象直观、结果精确,是一种有效的辅助实验手段。     

基于叠加定理的放大电路负反馈系数计算

负反馈可以在诸多方面改善放大电路的性能,反馈系数的计算是分析负反馈放大电路的关键步骤.本文提出了基于叠加定理的负反馈系数计算方法.利用叠加定理得出反馈网络输出量的表达式,进而得出计算反馈量的等效电路,最后确定反馈系数.教学实践表明该方法易于理解,便于接受.     

基于EWB的负反馈放大电路的方框图分析

本文采用方框图分析法,对由运放构建的电压并联负反馈放大电路进行了仿真分析和理论计算.仿真结果表明:闭环增益与开环增益满足基本关系式;引入负反馈后稳定性得以提高,与理论一致;输入、输出电阻减小;深负反馈条件下,反馈系数的倒数近似等于闭环增益,验证了负反馈放大电路中的一些基本结论.同时,开环和闭环增益的理论计算结果与仿真一致,说明了仿真分析在负反馈放大电路方框图法中的应用.     

负反馈放大电路的稳定性分析与设计

在三级以上的负反馈放大电路中引入深度负反馈时,首先要分析电路是否产生了自激振荡现象而不稳定,电路的稳定性将直接影响电路的放大性能,本文从电路的自激振荡现象分析,用裕度要求判断电路的状态,指出文献[2]中分析的不严谨之处,进而设计消除自激振荡现象的补偿电路。     

电流型运算放大器在应用电路中的特性研究

文中简要介绍了电流型运放的特性,着重对电流型运放的应用电路进行测试,研究电流型运放的应用特性。实验中,选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器,通过对此3类应用电路的测试,分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响,为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。     

通信电子电路中的LC并联谐振回路

LC并联谐振回路是通信电子电路中常用的单元电路。通过电路分析得出它的幅频特性与相频特性,认为它在通信电子电路中的应用主要有三种类型,即放大器的选频匹配网络、反馈式正弦波振荡器的选频反馈网络、调制与解调电路中的幅频变换及频相转换器件。     

On the frequency limitations of the circuits based on second generation current conveyors

An equivalent circuit for the translinear implementation of the second generation current conveyors with positive or negative current transfer is given. This circuit takes into account the various parasitic elements of the conveyor which induce frequency limitations (gain values, poles of the transfers, and parasitic impedances). The methods allowing the determination of the values for these parasitic elements are indicated and discussed. The effect of each element on the frequency responses of the circuits using the conveyors are studied in every detail. The frequency behavior of two circuits are analyzed as examples: a voltage amplifier without feedback and two configurations for a second order biquad filter operating in current-mode. All the theoretical results of the analysis are well confirmed from SPICE simulations.     

一种光电探测器接口电路的响应特性分析

针对窄脉冲激光时域/频域特性,对窄脉冲激光电路设计进行了详细的分析,包括探测器光敏面面元尺寸分析,以及取样电阻、反馈电容对信号带宽和信号完整性的影响等。为了提高探测系统的信噪比、稳定性等要素,对两种典型的光电接口电路进行了理论分析和软件仿真,得到不同的探测器结电容、取样电阻、反馈电容等参数对窄脉冲激光探测电路光电接口带宽、输出信号幅值、脉宽等响应特性的影响。根据不同种类的探测器及脉冲激光探测信号的频率特性,选取不同的偏置与放大电路,可以使前置光电接口电路的性能达到最佳。     

基于Protel 99 se的负反馈放大电路分析

对开环和闭环放大电路进行分析,利用Protel 99 se仿真软件对电路的静态工作点、瞬态特性、交流小信号进行了分析。通过分析,说明了负反馈电路可以提高电路稳定性,减少非线性失真,拓展通频带。Protel 99 se提供了高级模拟数字器件混合仿真功能,可以仿真由各种器件（例如TTL,CMOS,BJT等）构成的电路。     

A high input impedance buffer amplifier using bipolar transistors

The input impedance of conventional emitter follower circuits is limited due to the finite value of the passive emitter resistance, shunting effect of biasing resistors and that of intrinsic collector to base feedback admittance and also to the fall in current amplification factor at low operating currents. Further, the input admittance is frequency dependent because the device parameters involved therein are themselves frequency dependent. However, the shunt positive feedback incorporated in such circuits minimizes the shunting effect of the biasing network and also that of the intrinsic feedback admittance. The simulation of negative capacitance across the input terminals nullifies the effect of the presence of the otherwise positive capacity. This technique extends the bandwidth over which the input impedance remains constant. A typical buffer amplifier circuit employing five conventional epitaxial planar bipolar silicon transistors has been described in the present communication. The input impedance of which is found to be constant over a frequency range of 10 HZ to 2 KHz and its magnitude is about 25MΩ.     

Ku-Band Power Amplifier MMIC Chipset with On-Chip Active Gate Bias Circuit

We propose a Ku-band driver and high-power amplifier monolithic microwave integrated circuits (MMICs) employing a compensating gate bias circuit using a commercial 0.5 μm GaAs pHEMT technology. The integrated gate bias circuit provides compensation for the threshold voltage and temperature variations as well as independence of the supply voltage variations. A fabricated two-stage Ku-band driver amplifier MMIC exhibits a typical output power of 30.5 dBm and power-added efficiency (PAE) of 37% over a 13.5 GHz to 15.0 GHz frequency band, while a fabricated three-stage Ku-band high-power amplifier MMIC exhibits a maximum saturated output power of 39.25 dBm (8.4 W) and PAE of 22.7% at 14.5 GHz.