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多孔硅作为一种新型材料,利用其疏松多孔的特性及与IC加工的兼容性,将其用于硅微质子交换膜燃料电池的研究中,作为其电极扩散层,对多孔硅膜的性能、制备工艺及多孔硅膜表面金属淀积工艺进行了研究,提出一套基于MEMS加工技术和薄膜淀积技术的制作硅微质子交换膜燃料电池的工艺。 相似文献
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全硅光电子集成电路的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制造工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上,叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。 相似文献
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一维多孔硅光子晶体的三阶非线性光学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
在工艺参数实验和理论设计分析的基础上,制备 了包括多孔硅Bragg反射镜、多孔硅微腔和稳定 性很好的多孔硅三元结构在内的多孔硅一维光子晶体,对3种多孔硅光子晶体的结构进行了 表征,不同孔 隙度的多孔硅呈现出周期性的排列。采用单光束反射Z扫描方法 分别对3种结构的多孔硅在1064nm波长处的 非线性折射率进行了测量。实验结果表明,多孔硅三元结构光子晶体的三阶非线性折射率比 多孔硅Bragg 反射镜和多孔硅微腔高1个数量级,这将为多孔硅一维光子晶体用于先进光电器件的设计提 供了重要参考。 相似文献
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多孔硅具有选择性生长以及可以迅速释放的特性,是MEMS工艺中很好的牺牲层材料。探讨了多孔硅牺牲层工艺的特点,并通过实验证明了其在电容式微传声器制备中的应用可能。提出可以采用氧化多孔硅材料作牺牲层制备微传声器的空气隙的工艺方法,有效地解决其他牺牲层材料与振膜应力不匹配以及释放时间过长的问题,使微传声器的制备成品率得到提高。同时提出运用多孔硅牺牲层工艺制备微传声器的背极板声学孔,可以获得厚度达10μm以上的单晶硅作背极板,背极板刚性好,不会随着外加声压振动,有效地提高了微传声器的性能。 相似文献
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设计了多孔硅电致发光器件,讨论了工艺条件对器件I—V特性影响。试验中已观察到微弱的电致发光。认为利用多孔硅制备可见光发光器件是可行的。 相似文献
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多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射 总被引:2,自引:0,他引:2
对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理,观察到光致发光峰位波长为370nm左右的紫外光发射.紫外光强度与高温氧化温度有关,当氧化温度为1000℃时,多孔硅紫外光发射最强,而在1150℃温度下氧化5min,多孔硅纳米硅粒消失后,紫外发射变得很弱.紫外光峰位与氧化温度无关,但在1000℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干360nm的发光峰.如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的SiOx层中的两种(或多种)发光中心上,则本文的实验能被很好解释. 相似文献
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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光锋 总被引:2,自引:0,他引:2
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,了它的发光峰形态的变化,第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激光谱和发射光谱,其半峰值宽度小于10nm,讨论了形成针形峰的可能机理。 相似文献
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