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低功耗常温CO气敏元件 总被引:2,自引:0,他引:2
采用超细SnO2粉体为材料基体,MQ-Y1元件生产工艺制成超细CO元件。在考察了工作温度、选择性、灵敏度、稳定性、响应及恢复时间等器件参数后认为,此元件可以在稍高于室温条件(25~30℃)下工作,是一种具有重要开发应用前途的气敏元件。 相似文献
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SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试 总被引:2,自引:0,他引:2
用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试. 相似文献
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稀土掺杂薄膜型气敏元件 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能,测试结果表明,掺Eu2O3的元件对丙酮敏感性高,而掺Nd2O3的元件对乙炔气敏感性高,文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。 相似文献
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Fe2O3的CO气敏特性的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了γ-Fe_2O_3材料的制备和掺杂对CO气敏特性的影响。实验表明用硫酸盐制备的γ-Fe_2O_3材料具有相对高的灵敏度,进行适当的Ti-Rh复合氧化物掺杂又明显提高了γ-Fe_2O_3材料对CO的灵敏度。讨论了该掺杂的量对CO灵敏度的影响,及相应元件的基本性质。 相似文献
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通过对α-Fe2O3汽敏元件进行低温、高温、稳态湿热和振动等可靠性环境试验,探索了各种环境因素对其性能的影响.根据试验数据,采用FTA方法对元件进行了失效分析,找出了影响α-Fe2O3气敏元件性能的主要因素,从而为提高气敏元件可靠性提供了理论和技术保证. 相似文献
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研究了环境温度变化对各种元件气敏特性产生的影响突出地表现为随着
环境温度的降低一℃ , 气敏元件在空气中的阻值。明显增大用有机硅化物
处理元件的表面可减小元件凡的这种漂移 相似文献
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本文报道了MOCVD技术制备的SnO2薄膜型气敏元件。这种方法沉积的SnO2薄膜耐酸碱性强,膜厚易控制,具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度,响应时间快;而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感,因而具有一定的选择性。元件的稳定性较好。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2粉体及Pd掺杂浓度比分别为0.2 mol%、2 mol%1、0 mol%的三种掺杂粉体。以制得的粉体作为敏感材料,制成陶瓷微热板式CO气体传感器。在自行搭建的气体测试平台上,测试了各传感器在不同环境温湿度条件下对CO的响应,研究了Pd掺杂浓度对传感器湿度稳定性的影响,探讨了湿度影响传感器灵敏度的机理。实验结果表明:0.2 mol%Pd掺杂器件在不同湿度条件下灵敏度离散度由掺杂前的20.5%降低至8.63%,有效提高了传感器的湿度稳定性。10 mol%Pd掺杂器件在湿度大于50%相对湿度时,对20×10-6 CO出现反常响应,在还原气体CO出现时气敏膜电导减小。 相似文献
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Zn2+掺杂WO3基气敏材料的制备及气敏性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过加热分解钨酸制备的WO3与Zn(NO3)2溶液超声分散,制备出了掺杂Zn2 的WO3基气敏材料。研究了Zn2 掺杂对WO3气敏材料性能的影响。结果发现,Zn2 掺杂WO3基传感器对H2S有较好的气敏性能,在常温下对极低浓度(5×10-6)H2S也有很高的灵敏度(56),适量掺杂可以提高其灵敏度,Zn2 掺杂n_Zn~(2 )/n_W=2%的WO3基传感器的灵敏度最大,对50×10-6H2S在200℃灵敏度可达1800。通过X-射线衍射仪(XRD),比表面测定仪(BET)对材料进行了表征,比表面积范围介于2.5~3.5m2/g之间。结合有关理论,对元件气敏现象及机理进行了解释。 相似文献
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