核裂变中的Overshooting现象与中子多重性

本文采用扩散模型来讨论核裂变中的瞬态过程.研究结果表明在Kramers区域(T/E_f<1)和高温区域((T/E_f>1)瞬态过程的行为差别很大.高温区域瞬态过程中的Overshooting现象会使裂变几率增大,从而使通常认为的裂变速率的瞬态行为引起中子多重性增强效应在这一区域减弱甚至消失.     

四个新的丰中子稀土同位素的鉴别

四个新的丰中子裂变产物核已经在布鲁克海文国家实验室在线质量分离器TRISTAN上鉴别出来。测出它们的半衰期是:~(156)Pm,T_(1/2)=28.2±1.1秒;~(159)Sm,T_(1/2)=15±2秒;~(160)_(1/2)Sm,T=8.7±1.4秒;~(161)Eu,T_(1/2)=27±3秒。这些核在核合成的计算中是特别重要的,因为它们位于稀土区域,在这个区域,由γ过程(快速中子俘获过程)形成最大的丰度值。通过对这些核的半衰期与最近计算的别的新核的半衰期的比较,揭示出理论结果与实验结果之间的偏差的系统学特征。     

钨材料在瞬态高热流冲击下热结构响应过程模拟和分析

采用有限元分析软件ANSYS模拟了面对等离子体钨材料在聚变瞬态高热流加载和卸载过程中的温度和应力分布以及演化过程,并结合材料力学性能对热冲击开裂行为进行了分析和讨论。结果表明,在瞬态热流下,钨的单次热冲击开裂阈值约200MW•m^–2 (~5ms)、460MW•m^–2 (~1ms)和660MW•m^–2(~0.5ms),其临界热流因子(14.14~14.75MW•m^–2•s^1/2)也基本一致。     

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采用有限元分析软件ANSYS模拟了面对等离子体钨材料在聚变瞬态高热流加载和卸载过程中的温度和应力分布以及演化过程,并结合材料力学性能对热冲击开裂行为进行了分析和讨论.结果表明,在瞬态热流下,钨的单次热冲击开裂阈值约200MW·m–2(～5ms)、460MW·m–2(～1ms)和660MW·m–2(～0.5ms),其临界热流因子(14.14～14.75MW·m–2·s1/2)也基本一致.     

塞贝克效应与温差发电

 将两种半导体的一端结合在一起并使之处于高温状态(热端),而另一端开路且处于低温状态(冷端),则在冷端(T1)存在开路电压ΔV,这个效应称塞贝克效应。如图1所示。塞贝克电压ΔV与热冷两端的温度差ΔT成正比,即ΔV=αSΔT=αSΔ(T2-T1)(1)图1塞贝克效应其中αS称为塞贝克系数,其单位是V/K或μV/K。塞贝克系数由材料本身的电子能带结构决定的。     

开放Ⅴ型系统相对位相对LWI增益瞬态演化的影响

数值计算具有自发辐射诱导相干性的开放V型三能级原子系统密度矩阵运动方程,分析无反转激光(LWI)增益的瞬态演化.结果表明:无论是否存在非相干抽运,探测场和驱动场间的相对位相(Ф)对增益的瞬态演化都有显著的影响;通过选择Ф的取值可以获得更大的瞬态和稳定增益;不存在非相干抽运时,系统达到瞬态增益最大值及获得增益稳定值所需要的时间更长,演化过程中振荡幅度更大,获得的增益更大;原子退出速率r₀(原子注入速率比S)的变化将使增益瞬态演化的具体过程发生改变,在r₀(S)的一定取值范围内,瞬态和稳定增益随S(r₀)的增大而增大.     

非晶态(Fe1-xCrx)84B16合金的低温热电势

在80—380K之间对(Fe_1-xCr_x)₈₄B₁₆(x=0.01—0.46)非晶态合金的绝对热电势S进行了测量,结果表明,磁性非晶合金的S(T)行为并不都是非线性并有一个浅的极小。少量Cr(x≤0.05)的加入使S的绝对值减小,并使S(T)的极小消失;当Cr含量较多时,样品磁性变弱,S(T)从典型的磁性非晶合金的非线性行为过渡到接近于非磁性非晶合金的线性行为。对x=0.15,0.25的样品,其居里点正落在我们测量的温 关键词：     

U~(235)及Pu~(239)裂变中子能谱的测量

利用核-3乳胶测量了热中子引起U~(235)及Pu~(239)裂变中子能谱。结果如下:(1)Pu~(239)裂变中子能谱显著地较U~(235)裂变中子能谱为硬。其平均能量分别为:_(Pu)=1.989±0.024兆电子伏;_u=1.867±0.015兆电子伏。(2)在 2-3兆电子伏区域,发现有一个曲折,表明可能存在着能谱上的某种“结构”现象。     

28Si+238U的非完全熔合裂变与跟随裂变

以15.0和21.7MeV/A的²⁸Si束轰击²³⁸U靶,测量出裂变核在反应中得到的线动量转移(LMT)分布.从LMT分布上的不同区段,将非完全熔合裂变(ICF)与跟随裂变(SF)分开;并给出SF产额与总裂变产额的比值.从裂片在围绕反应平面上下的分布宽度,讨论了粒子发射使裂片反冲的效应.     

能量放大器——加速器驱动反应堆获得干净核能的新思路

 不久前,西欧核子中心主任、诺贝尔奖金获得者鲁比亚（C.Rubbia）领导的一个小组从高能物理实验中常用的量能器概念出发,提出了一个提供干净核能的新概念:利用高能强流质子加速器（能量0.8-1.5GeV,平均流强～7mA）产生的高能质子束,在物质中形成核级联过程而产生大量的中子,天然钍(²³²Th)俘获中子而转变为裂变元素²³³U,²³³U又裂变产生中子维持链式反应,他们将这个装置称为能量放大器,装置启动后,裂变元素在天然钍中的比例很快可以达到相对稳定,形成一个长期稳定的能量产出,装置运行于次临界状态和相当低的中子通量下(～10¹⁴cm^-2·s^-1)以确保增值过程的稳定持续和设备无临界危险。     

LY-12铝高温凝聚态动力学性质研究——高温弹性模量的测定

 金属材料的高温动态力学性能是材料科学领域中的重要方面。本文介绍LY-12合金铝在常温至450 ℃的温度区间内和动载下（应变率为10³/s），材料弹性模量的研究。此项研究采用的试验装置为一维Hopkinson压杆及管式高温炉。应用一维弹性应力波传播理论，测得LY-12铝试件在不同温度T条件下的声速c(T)，按照c(T)=[E(T)/ρ(T)]^1/2，获得杨氏模量E(T)随温度的变化曲线。     

D-T中子诱发贫化铀球壳内裂变率分布实验

中子诱发裂变反应率是表征和检验中子在材料中的输运、裂变放能等过程的重要物理量.贫化铀球壳裂变反应率径向分布数据,可为铀核数据宏观检验及研究裂变放能与贫化铀球壳厚度的关系提供数据支持.本文设计了内径为13.1 cm,外径分别为18.10,19.40,23.35,25.40,28.45 cm的五种不同厚度的贫化铀球壳组合装置;利用位于球壳中心的氘氚中子源轰击贫化铀球壳装置,中子产额约为3×10~(10)—4×10~(10)s~(-1);在"赤道"平面与入射氘束成45°方向测量裂变反应率随径向分布的情况.为了克服裂变室和俘获探测器等自身对模型和中子场的扰动,本文选择与装置材料相同的贫化铀材料作为活化探测器,以活化探测器中的裂变碎片143Ce发射的γ射线作为测量对象,通过HPGe探测器测量的γ射线数,基于~(143)Ce裂变产额数据反推裂变反应率.通过实验获得了贫化铀球壳内的裂变率及其径向分布规律,裂变反应率和相对标准不确定度分别位于5.28×10~(-29)—7.58×10~(-28)之间和6%—11%之间.基于蒙特卡罗程序和ENDF/BVI.8数据库完成了模拟计算,并与实验结果进行了对比分析,两者在不确定度范围内一致.     

辽宁抚顺煤精官能团表征及热变异行为

以辽宁抚顺地区产出的煤精为研究对象,通过红外光谱测量和变温实验,了解煤精官能团表征及热变异行为。结果显示：辽宁抚顺煤精红外吸收光谱和衰减全反射光谱谱峰均集中于2 900~2 800和1 600~1 200 cm-1两个区域;低温氧化的过程红外光谱拟合处理表征煤精的热变异行为由ν(CH₂)伸缩振动引起的吸收谱带随温度的升高呈下降趋势,而ν(CO)伸缩振动引起的吸收谱带则随温度的上升呈上升趋势,由于受到石化过程中的氧化作用,煤精中的烷烃逐渐减少,而含氧官能团不断增加,由此推测煤精的生成环境是厌氧还原型环境。     

裂变统计理论存在的问题

一、引言 现有的裂变统计理论作了如下的假定:裂变过程是准静态的,因此不同裂变方式的相对几率决定于过程的最后阶段,正比于断裂一瞬间碎片量子态密度的乘积。经过计算之后,裂变断裂道的数目 N(A_L,A_H)∝e~(2~(aE))~1/2 (1)也就是说,不同方式的裂变几率主要决定于二碎片的能级密度参数之和a=a_L十a_H,及内部激发能之和E=E_L+E_H。足码L,H分别表示轻、重碎片,A为质量数。     

T4有机染料敏化薄膜的超快动力学特性

利用飞秒瞬态吸收光谱和基于飞秒荧光上转换技术的飞秒时间分辨荧光动力学对T4有机染料敏化的Al₂O₃薄膜和TiO₂薄膜中的激发态过程进行了研究。对这两种敏化薄膜中的荧光动力学进行了多指数拟合。所得到T4染料敏化TiO₂薄膜中的电子注入效率为93%。此外,通过静态非均匀电子耦合模型拟合,得到T4敏化TiO₂薄膜中的电子转移速率为1.17 ps^-1。     

分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器中高温陷阱的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_Al =0.2→0.43和x_Al=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在x_Al=0.43的n-AlGaAs层里x_Al值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。 关键词：     

瞬态液晶技术在涡轮叶片内部冷却研究中的应用

瞬态液晶测量技术能有效测量物体表面的换热系数,目前已经在传热研究中得到了广泛的应用。本文重点介绍了该测量方法在高温涡轮叶片内部冷却传热研究中的实验过程及应用。对内部冷却U型通道的传热研究表明:气膜抽吸作用下,通道内孔附近的传热得到强化,但区域平均传热系数变化不大;同时抽吸能使带肋通道中的压力损失有所降低。为了满足叶片冷却设计中对传热和压力损失的不同要求,改变弯头区的结构形式是一种有效的手段。实验结果进一步表明,瞬态液晶测量方法能准确地测量内部冷却通道中的传热分布,能为测量和优化涡轮叶片内部冷却传热特性提供可靠的数据支持。     

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10¹⁵-10¹⁷cm^-3和俘获截面(10^-16cm²)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧     

相干瞬态微波波谱学

微波瞬态实验是研究气体分子转动弛豫过程的新的、有效的实验方法。本文将介绍相干瞬态微波波谱学中的瞬态吸收、瞬态发射和多脉冲序列实验,以及如何利用这些实验来测量弛豫时间T₁和T₂。     

瞬发超临界系统内持续裂变链的发展过程

根据基本的概率理论和瞬发临界附近有限裂变链的发展规律, 推导了单脉冲源条件下脉冲堆引发持续裂变链过程中的中子数与时间关系式, 并得到CFBR-Ⅱ堆上实验的验证. 该关系式进一步发展了Hansen理论模型, 除了可以描述裂变链后期的发展趋势, 还可以描述持续裂变链产生初期中子数的快速增长行为. 讨论了引发时间与源强的关系, 指出在弱源条件下, 引发时间几乎不依赖于源强. 关键词： 持续裂变链 脉冲堆 引发时间