厚度对室温沉积ZnO:Al薄膜光电特性的影响

利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.     

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。     

不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.     

AZO透明导电薄膜的性能和制备

AZO薄膜是一种应用广、发展快的高导电率、透光率的金属氧化物薄膜。文章基于国内外的发展情况,概述了AZO薄膜的光电性能、应用领域和不同的掺杂对AZO薄膜的性能影响。归纳了AZO薄膜的制备方法,着重介绍了磁控溅射沉积法制备AZO薄膜的几个工艺参数可能对AZO薄膜性能的影响。     

射频磁控溅射法成长Cu-Al-O薄膜的特性分析北大核心

本文以Cu靶和Al靶为靶材,在Al靶上粘贴不同数量的Cu片控制Cu/Al比例,利用射频磁控溅射法在玻璃基板上沉积Cu-Al-O薄膜;通过WDS、XRD、XPS、四点探针、霍尔效应及UV-vis光谱等分析Al含量对薄膜成分、晶体结构以及光电特性的影响。结果表明,薄膜中Al含量随Cu片数量增多由0增至19.35%;薄膜的晶体结构随着Al含量增加,由CuO相转变为非晶态;电阻率随着Al含量增加,由0.49Ω·cm增至11.78Ω·cm;Cu-Al-O薄膜为p型导电;可见光透射率随Al含量增加由19.98%增加至74.11%,光学能隙由2.09 eV增至2.88 eV。     

Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池窗口层ZnO∶Al薄膜的研究

用射频磁控溅射氧化锌掺铝陶瓷靶的方法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al薄膜。研究了衬底温度(Ts)、靶基距(Dt-s)对薄膜结构及光电性能的影响。实验结果显示:Ts在室温至300℃、Dt-s在35~60 mm范围内时,薄膜为六方相结构,并具有C轴取向,可见光范围平均透光率大于88%。Ts及Dt-s对薄膜电学性能的影响相似,随Ts升高或Dt-s增大,ZnO∶Al薄膜的电阻率先减小后增大,霍尔迁移率先增大后减小,载流子浓度逐渐减小。在Ts为150℃,Dt-s为40 mm时,可获得最低电阻率4.18×10-4Ω.cm的ZnO∶Al薄膜,其载流子浓度为8.13×1020cm-3、霍尔迁移率为18 cm2.V-.1s-1,可见光范围平均透过率为89%。     

透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料、有机电致发光元件和太阳能电池

一种透明导电薄膜用靶，其具有氧化铟作为其主要组分并含有钨和／或钼，其中通过使氧化铟粉末和氧化钨粉末和／或氧化钼粉末成形，然后加热并烧结该成形体，使得溅射后的薄膜具有氧化铟作为主要组分，并含有原子比(W Mo)／In为0．0040～0．0470的钨和／或钼而获得所述透明导电薄膜用靶，     

射频磁控溅射法制备(100)择优取向Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜

用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt／Ti/SiO2/Si（100）基体上制备了Ba0.7sr0.3TiO3薄膜。通过引入溅射因子α，在相同工艺条件（高温大功率溅射）下，对靶材成分进行调整，使薄膜成分无化学计量比偏离。薄膜成相较未调整前有显著改善，低角区的衍射杂峰消失。{100}方向有择优生长，同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同，研究认为是成分调整后，薄膜成分无偏离所致。     

射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响

利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50~300 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:ITO:Ti薄膜呈现(400)择优取向,随薄膜厚度增加,薄膜的结晶程度增强,晶粒度增大,薄膜更致密。随薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加,薄膜厚度为250 nm时,表面粗糙度最小,蒋膜厚度为200 nm时,电阻率最低,为2.1×10-3?·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。     

东丽开发出采用银纳米粒子的导电薄膜工艺

东丽开发出了采用银纳米粒子的透明导电薄膜连续涂布技术。该薄膜融合了美国Cima Nano Tech的银纳米粒子涂液技术和东丽的涂层技术，兼顾了透明性和导电性。东丽今后在开拓新用途的同时，还将与该公司薄膜加工业务的中心基地——东丽薄膜加工和面向该技术开发并生产涂液的户田工业共同开发面向实用化的生产技术。     

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状，重点讨论了电介质，金属，电介质（D/M/D）和透明导电氧化物，金属，透明导电氧化物（TCO/M/TCO）这两种类型的多层复合膜，分析了其设计原理和存在问题，并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面，最后介绍了金属基复合膜应用，并对其研究进行了展望。     

专利名称：In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法

专利申请号：GN201110309719．X 公开号：GN102332325A 申请日：2011．10．13 公开日：2012．01．25 申请人：扬州大学     

碳纳米管薄膜的制备及其性能的研究

采用喷涂和旋涂相结合的方法,在干燥洁净的石英基质上制备了均匀的碳纳米管薄膜．利用高分辨透射电子显微镜（JEM-2010F）对碳纳米管原料的形态进行了观察．利用紫外一可见分光光度计（UV-2550）和四探针电阻测试仪（RTS-8）分别测量了碳纳米管薄膜的透光率和电阻．考察了制备方法、加热温度、碳纳米管浓度和薄膜厚度等不同因素对薄膜透光率和电阻的影响．结果表明,选择适宜的参数可以制备出透明导电的碳纳米管薄膜,且具有良好的电学和光学特性：透光率和电阻分别可以达到83％和800Ω     

稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备方法的研究现状

稀土掺杂铝酸锶薄膜在长余辉夜视照明、无损实时可视化探测、机械应力传感器、纳米光电子器件、二维温度传感器以及薄膜太阳能电池等领域具有极为广阔、诱人的应用前景.要实现以上应用,首要条件是制备出质量高、性能优良的薄膜.因此制备稀土掺杂铝酸锶薄膜成为当今研究的热点.综述了国内外制备稀土掺杂铝酸锶薄膜的主要方法,包括射频磁控溅射法、溶胶—凝胶法、脉冲激光沉积法和激光熔蒸法,并重点介绍了射频磁控溅射法;另外对各种方法的优缺点进行了阐述.     

导电银浆低温固化薄膜的制备与导电性能

用银粉作为导电填料,与F型环氧树脂、稀释剂、固化剂等配制成树脂基导电银浆,将导电银浆印刷在载玻片上,在一定温度下固化后得到导电银浆固化膜。通过对薄膜体积电阻率进行测定,以及SEM观察和傅里叶变换红外光谱分析,研究稀释剂种类、稀释剂含量、固化温度和固化时间等因素对导电银浆固化薄膜结构与电阻率的影响。结果表明:松油醇对导电银浆稀释效果好,得到附着力和硬度均较高的固化膜,松油醇含量(质量分数)为8%时,薄膜的体积电阻率达到3.9×10~(-5)?·cm;提高固化温度可降低薄膜的体积电阻率,但温度超过130℃时,电阻率降低不明显;延长固化时间可提高银浆薄膜的导电性能,但当时间达到40 min后,电阻率基本不再随时间延长而发生变化。     

射频磁控溅射制备Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的表面结构调控

研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响。实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400℃高功率150 W溅射4 h的BST薄膜,其最大表面起伏约为40 nm;400℃低功率、长时间8 h溅射的BST薄膜,其表面起伏约为12 nm;说明在保证BST充分成相的前提下,可以通过控制溅射功率和时间调控BST薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度,使之适于后续器件制备工艺。介电性能测量表明,400℃,75 W,8 h溅射获得的BST7/3薄膜体现出典型的位移型铁电体特征;1 kHz薄膜的损耗约为0.04。     

射频磁控溅射制备(In,Co)共掺ZnO薄膜的电学和磁学性质

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率,获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明,随着薄膜中In含量的提高,薄膜中载流子浓度显著提高,薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时,束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料,致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变,并呈现在三个不同的区域。      

手持式导电薄膜方块电阻测试仪的设计原理和方法

介绍用于导电薄膜方块电阻（面电阻）(Ω/□)测试的手持式仪器.着重阐述仪器的设计思想、应用原理、关键电路和探头的设计.该测试仪是导电薄膜（如ITO膜）生产厂家和器件（液晶显示器等）制造厂家的理想仪器.     

氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响

利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射峰为(002)峰,随氧分压的增加,(002)峰的强度降低,且出现了(101)面的衍射峰.氧分压的升高,薄膜的表面粗糙度和载流子浓度减小,迁移率增大,电阻率从氧分压为0时的0.2 Ωcm增加到7.57 mPa时的1 400 Ωcm.所有样品在可见光区的平均透过率都大于83%,薄膜的折射率随氧分压的增加而增大,而消光系数和光学带隙则减小.