化学液相沉积法制备Al_xO_y薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备Al_xO_y/Si薄膜的方法,室温下生长2h得到Al_xO_y/Si薄膜,其退火温度为1000℃,退火时间2h。对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析。结果表明,薄膜的显微硬度在退火前为5202.0N/mm~2,退火后为14533.5N/mm~2,增加近3倍;高温退火去掉了膜内的OH~(-1),同时使薄膜晶化,晶体薄膜的O/Al比例为1.3。     

化学气相沉积法制备碳纳米管有序阵列

采用化学气相沉积法（CVD）在覆盖有催化剂薄膜的硅片表面直接制备出碳纳米管阵列,使用透射电镜（TEM）和场发射扫描电镜（FESEM）对其进行了检测,并探讨了实验条件对碳管形貌的影响。结果表明：所制备的碳管具有明显的取向性,能够形成致密有序的碳纳米管阵列;制备催化剂所用的硝酸铁溶液浓度为2mol／L时,最适宜碳管阵列的生长;匀胶机的转速提高,可减小催化剂颗粒直径,增强颗粒分散性,有利于碳管生长;碳纳米管的直径随反应温度的升高和时间的延长而增加,680℃为最佳反应温度;碳管生长模式为顶部生长和底部生长。     

化学气相法制备纳米级氮化铁超细粉末

采用化学气相法制备了纳米级氮化铁超细粉末，利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和ＶＳＭ测试了粉末的基本物性，初步表征了粉末的物相、形貌、粒度、成分及相应的磁性、实验结果表明，化学气相法可以制备出均匀、链状、超细的氮化铁粉末，并且该粉末的磁性指标优于γ－Ｆｅ２Ｏ３和田中隆夫的同类研究结果。     

化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究

以三（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）化铬为前驱体,采用化学气相沉积（CVD）法在氧化铝（Al₂O₃）陶瓷基板上制备碳化铬（Cr₃C₂）薄膜,其中沉积温度为723 K至923 K,沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr₃C₂薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响。结果表明,在723 K至923 K下制备得到具有高度（130）择优取向的Cr₃C₂薄膜。随着沉积温度的升高,Cr₃C₂薄膜表面先由光滑变粗糙,后逐渐变光滑;薄膜晶粒呈椭球型生长;薄膜的厚度先增加后减小,从而导致电阻先减小后增大。在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的（130）择优取向的最佳Cr₃C₂薄膜。同时,在实验条件下Cr₃C₂薄膜表面存在少量的碳和Cr₂O₃。     

化学气相沉积法硅薄膜的制备及其性能

运用化学气相沉积技术在不锈钢表面沉积了一层致密的硅薄膜,研究了沉积温度及硅烷气体压力对硅薄膜性能的影响。对沉积的硅薄膜进行了EDS能谱分析,通过SEM扫描电镜对硅薄膜微观形貌进行表征,并对沉积硅薄膜的不锈钢样品进行电化学分析,研究了硅薄膜对不锈钢抗腐蚀性能的影响。结果表明,化学气相沉积温度为390℃、硅烷气压为10kPa时金属表面形成的硅薄膜防腐性能最佳。     

甲烷还原Ni基催化剂化学气相沉积法制备碳纳米管

以Ni O/γ-Al2O3为催化剂,甲烷气为碳源,采用催化化学气相沉积法制备碳纳米管。利用热重分析法研究了甲烷气氛下Ni O/γ-Al2O3催化剂的还原行为,考察了甲烷裂解温度和反应时间对碳纳米管产率的影响,观察分析了碳纳米管微观结构。结果表明:在甲烷还原的Ni基催化剂上,通过化学气相沉积法裂解温度750℃反应40 min,可以得到管径为20 nm左右的碳纳米管;裂解温度对碳纳米管结构影响不大,但过高裂解温度使碳纳米管产率降低。     

化学气相沉积法制备TiC涂层的相组成和表面形貌

用化学气相沉积法在碳／碳复合材料表面沉积ＴｉＣ涂层。研究了工艺参数对ＴｉＣ涂层的相组成和表面形貌的影响以及ＣＶＤ ＴｉＣ涂层的沉积机理。实验结果表明,当进入沉积室的气体流量比为Ｈ２：ＴｉＣｌ４：ＣＨ４＝３００：２５：１０时,所得涂层中含较少的游离碳,ＴｉＣ纯度较高。随ＣＨ４流量增加,游离碳含量增加。     

等离子体化学气相沉积制备氮化碳薄膜

以H2、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FS-EM)及其附带的能量分散电子谱(EDS)、X射线衍射分析(XRD)、红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)对其结构、表面形貌、元素含量和成键状况进行了分析,并讨论了气体流量比和放电功率对薄膜制备的影响。实验结果表明:沉积的薄膜中含有晶态的C3N4,碳氮原子比接近于理论值0.75,样品中碳氮原子多以C N、C N的形式存在;样品中氮元素的含量随着反应气体中N2含量的增加而增加;放电功率的增大使薄膜的沉积速率增大。     

超细镍粉化学气相法制备过程中温度的影响

以NiCl2·6H2O为原料,采用化学气相沉积法制备超细镍粉,就反应温度对产物形貌、粒度等性能的影响进行了详细考察。采用扫描电镜、激光粒度分析、X射线衍射对样品的形貌、粒度、物相等进行了表征。结果表明:温度对颗粒的结晶度和粒径分布有显著影响,采用化学气相沉积法制备的粉末颗粒为纯镍粉,形貌基本为类球形,粒度在亚微米级范围内,结晶度良好。     

自蔓延燃烧气相传输涂层原理初探

气相传输涂层技术不受零件尺寸和形状的限制 ,且涂层与基体之间有良好的结合力 ,是一种很有前途的涂层技术。作者介绍了化学传输反应的原理 ,对涂层过程中金属元素的气相传输过程进行了简要的热力学分析和实验研究 ,结果表明 :涂层过程中金属元素从高温处被输运到低温处 ,卤素单质不宜直接用作金属元素的传输介质 ,沸点低、易挥发的活泼金属卤化物可用作金属元素的传输介质     

硅烷CVD法在钢基体表面生成硅扩散涂层

采用硅烷(SiH4)直接分解的化学气相沉积技术(CVD),在钢基体表面生成硅扩散涂层.X射线衍射(XRD)分析表明硅扩散涂层的主要成分是铁的硅化物FeSi.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,发现涂层颗粒之间相互紧密粘结.金相照片显示,涂层与基体之间没有明显的界面,形成良好的扩散结合.     

氨气相沉积法制备抗紫外织物

采用氨气相沉积法在织物表面原位生成CeO2颗粒以制备抗紫外织物,并使用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、X射线能谱仪（EDS）和紫外分光光度计对其进行表征。结果表明：CeO2颗粒能与织物紧密结合,并有效屏蔽紫外光,经整理后的织物具有非常好的抗紫外性能。棉织物经整理前后的UPF值从8.71提高到298.26,比整理前提高了33倍;UVA透过率从17.95%降低到2.11%;经整理后的涤纶织物的抗紫外性能也有非常大的提高;而且,在经过30次洗涤后,所得织物仍能保持较好的抗紫外性能。     

共沉淀法制备超细微Fe3O4

采用共沉淀法制备了超细微Fe3O4粉体,以氨水作为沉淀剂,加入到Fe2＋和Fe3＋的混合溶液中,制得Fe3O4粉体粒子．为了使Fe3O4颗粒的分散良好,加入少量油酸．通过扫描电镜、X射线衍射和红外光谱谱图等进行表征、分析,证明由该法所制得的Fe3O4粒子形貌为球形,分散较好．     

沉淀法制备Er2O3纳米晶与表征

在乙醇溶液中,用反向沉淀法制备了Er2O3纳米晶.XRD分析表明,不同温度热处理的Er2O3均为立方晶系,空间群为T5-1213.TEM分析表明,所合成的Er2O3粒子呈球形.实验发现Er2O3晶粒度随焙烧温度的升高而增大,而平均晶格畸变率随焙烧温度的升高,晶粒度的增大而减小,衍射强度随焙烧温度的升高而增大.在酸中溶解性试验和红外光谱分析表明,纳米Er2O3比原料Er2O3具有更高的表面活性,Er-O键的吸收具有微小的蓝移,吸收强度减弱.     

CVD法快速制备SiC过程分析

采用TMS（CH3SiCl3)为原料,H2为载气,Ar为稀释气,在1000－1200℃范围以内以石墨为基体,通过化学气相沉积法（CVD）制备地SiC块体材料,在特定的工艺条件下,SiC的生长速率可达0．6mm/h,结合实验结果,研究了常压SiC-CVD过程中,对SiC生长速率产生影响的若干因素的作用,初步探索了基体尺寸与沉积室尺寸的比例、沉积温度、稀释气流量以及沉积时间对沉积速率的影响,综合分析提高了SiC生长速率的原因。     

胶溶法合成CeO2纳米晶

用胶溶法合成了不同粒径的CeO2纳米晶,XRD分析表明,所合成的CeO2纳米晶属立方晶系,空间群为O5H-FM3M.计算表明,随着焙烧温度的升高,CeO2晶粒度增大,而平均晶格畸变率则随晶粒度的增大而减小,表明粒子越小,晶格畸变越大,晶粒发育越不完整.TEM分析表明,所合成的CeO2纳米晶呈球形,随焙烧温度的升高,粒子的粒径增大.     

气相沉积法的薄膜制备研究

对薄膜的应用现状、气相沉积法制备薄膜的常规方法及高能精密薄膜制备方法作了综述.认为开发薄膜复合处理工艺,实现制膜过程精密控制,以及节能环保的绿色镀膜将会成为薄膜制备新的趋势.