料位开关的选择

该文介绍了常用的料位开关的原理以及典型产品的型号性能和特点,指出机械运动式适用于粉粒状的粒位,音叉式适用于低密度的粉末,满足食品卫生条件,用于面粉,食糖等物料;电容式适用于各种物料（但不能测量含水量变化大的物料）,超声波式适用于粉粒状（如煤粉,水泥）物料,核辐射式适用于除粉粒状物料外,还用于块状物料,但须注意射线泄漏。最后指同选用,安装时注意点。     

基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源

48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET(gallium nitride field effect transistor)开辟了一种新方法 ,可实现前所未有的转换器性能和小型化。评估了采用与适当功率等级相对应的各种拓扑结构的48 V电源架构的DC-DC电源转换中的GaN FET。首先涵盖GaN FET的开关特性分析;然后将GaN FET用于开发各种48 V降压转换器,从同步降压、多电平和多相转换器到LLC谐振转换器;最后提供了选择合适GaN FET的指南。与传统基于MOSFET的转换器相比,这些基于GaN FET的转换器在不增加成本的情况下功率效率和功率密度显著提高。     

高性能开关型电源

英国Amplicoil Liveline有限公司推的PUP开关型电源新系列能提供55W连续输出功率,有单个、二个和三个输出几种形式。输入电压范围85～264VAC,具有涌流、过压、过电流保护。其他特性:效率为65％,保持时间10ms,满负荷线性调节±0.5％。115VAC输入电流为1.5A,230VAC为0.9A。     

基于开关线性复合技术的高性能变频器研究

本文基于开关线性复合（SLH）技术提出一种新型高性能数字控制变频凋速系统研究方案,通过仿真验证了该拓扑的可行性。实验结果表明,该变频调速系统具有较高的静动态性能,在克服低速转矩脉动和抗负载扰动特性方面,与传统变频调速系统相比具有明显的优势。     

静电感应功率场效应晶体管的基本特性及其开关应用

静电感应场效应晶体管(SIT)是近十年来发展较快的一种新结构半导体器件。本文介绍了目前我国生产的两类SIT的静态和动态特性,对等效电路提出了折线模型。提供了两种用SLT作为开关器件的脉冲电路,这些电路为SIT的高速功率脉冲应用展现了良好的前景。     

开关磁阻电机原理

磁阻电机是指电机各磁路的磁阻随转子位置而改变，因而电机的磁场能量也将随转子位置的变化而变化，并将磁能变换成机械能。这种结构与步进电动机相似，开关磁阻电动机的运行亦遵循“磁阻最小原理”，即磁通总是沿着磁阻最小的路径闭合。而具有一定形状的铁心在移动到最小磁阻位置时，必使自己的主轴线与磁场的主轴线重合。当定子极励磁时，所产生的磁力会力图使转子旋转到转子极轴线与定子极轴线重合的位置，并使励磁绕组的电感最大。若以中定、转子所对的位置作为起始位置，然后依次给四相绕组通电，转子会逆着励磁顺序以逆时针方向连续旋转：反之，则转子会沿顺时针方式转动。可见，开关磁阻电动机的转向与相绕组的电流方向无关，而仅取决于相绕组通电的顺序。     

一对基于开关电容原理的多电平高频逆变器

针对现有逆变器应用于高频交流配电系统时所呈现的不足,设计一对基于开关电容原理的多电平高频逆变器(结构1和结构2),其原理相似,功能互补:结构1适用于低压电源并联输入场合,与现有开关电容逆变器相比,减少了充放电回路中功率器件数量,相同器件寄生参数下,可降低导通损耗,提高逆变效率;结构2适用于低压电源串联输入场合,弥补了现有开关电容逆变器只能用于并联输入场合的不足,拓宽了其应用范围。介绍逆变器的结构原理和相关参数分析,并在此基础上进行实验,结果验证了所提结构的可行性。     

基于电磁感应原理的隔离开关分合到位判断方法

隔离开关分合状况的智能、可靠判断对于电网调度发挥着重要作用。为满足隔离开关全面调度遥控操作的需求,至少需要2个非同源指示发生对应变化,为此提出了一种基于电磁感应原理的隔离开关分合到位判断方法,其判断结果可作为辅助判据。该方法通过在动触头侧安装无源接收线圈及电压感知元件,在静触头侧安装磁能发射线圈及控制装置,基于磁耦合谐振式无线电能传输原理,通过辨识开关分合运动带来发射、接收线圈间互感变化引起的感应电压变化实现隔离开关位置判别。研究首先分析了基于电磁感应原理的开关分合到位判别方法的原理及工作逻辑,然后建立系统模型,给出了参数设计准则及流程,最后搭建实验样机对所提方法进行验证。仿真及实验结果均表明,隔离开关动作过程中两线圈互感与感应电压间存在映射关系,通过设定合理的感应电压阈值,可以实现隔离开关分合状态的判断,验证了所提方法的有效性。     

基于在线模糊神经网络建模的开关磁阻电机高性能转矩控制

针对开关磁阻电机(SRM)的转矩脉动问题,提出了一种新的SRM转矩控制方案。首先应用自适应模糊神经网络(ANFIS)对SRM静态转矩逆模型和磁链模型进行离线学习,然后根据转矩分配函数对各相转矩进行分配,利用ANFIS转矩逆模型求出期望转矩下的SRM优化相电流波形。考虑到离线模型的局限性和实时运行时电机中存在的参数变化等不确定因素,通过在线监督学习的方法调整ANFIS转矩逆模型和磁链模型的参数以提高模型的准确性。基于在线调整的ANFIS磁链模型设计自适应滑模控制器调节SRM相绕组中的实际电流跟踪期望相电流波形,从而实现其高性能转矩控制。     

模拟开关的原理及其应用

在近年来得到迅速发展的巡检装置、程控装置、智能仪器以及数据采集系统中都离不开模拟开关。此外,模拟开关还被广泛用于广播、电视、现代通讯设备中。较高级的数字万用表能够自动转换量程(AUTO),这也是借助于模拟开关来实现的。本文专门介绍CMOS集成电路模拟开关的工作原理与典型应用。     

开关机械特性试验原理

系统讲解了开关机械特性原理及装置参数设置,简要分析了影响速度参数不合格的原因及相对应的措施,用旋转传感器代替直线型传感器测量速度参数,获得了误差在允许范围内的速度,为现场操作提供了一定的参考价值。     

接近开关的原理与选用

较为系统全面地介绍了感应式无触点型接近开关的工作原理、性能参数及其接线使用方法与有关注意事项等。     

高性能软开关功率因数校正电路的设计

介绍了功率因数校正控制电路和功率主变换电路的原理及如何选择元器件及其参数。     

高性能真空触发开关技术的研究综述

总结了目前国内外高性能真空触发开关技术的进展及发展趋势;分析了真空触发开关在击穿机理方面的研究情况;比较了目前真空触发开关在大功率快速关合技术中的应用情况;介绍了真空触发开关的触发源技术的研究情况。     

开关磁阻电机高性能转矩控制策略研究

将开关磁阻电动机转矩控制系统分为三级控制子任务:换相策略、转矩控制器和电流控制器,并根据上述结构化设计思想,给出了一种基于神经网络转矩逆模型和滑模电流控制器的开关磁阻电动机高性能转矩控制方案.仿真结果表明该方法能够有效地控制开关磁阻电动机相转矩按期望变化,从而实现了其高性能转矩控制.     

基于电子发射原理的场击穿型真空触发开关

真空触发开关（TriggeredVacuumSwitch,TVs）以其动作迅速、介质恢复快、体积小、触发系统灵活以及结构简单等优点,成为脉冲功率技术中的一种重要的控制器件。针对一种场击穿型TVS的开通原理,建立了电子发射模型。一方面是触发极电子发射的宏观特性,包括预击穿现象、击穿电压和发射电子电流等;另一方面是触发间隙里初始等离子体的内在微观特性,包括带电粒子的产生、增长和运动迁移特性。利用高速摄像技术,捕获部分TVS起弧的图像,直观地展示了初始等离子体的发展过程。     

基于耦合负压原理的10 kV直流负荷开关设计

为满足柔性直流配电系统负荷电流频繁投切对开关操作寿命的高要求,解决直接采用直流断路器方案成本高、体积大的难题,文中研究了一种基于耦合负压原理的直流负荷开关方案。首先对其拓扑和工作原理进行了介绍,然后设计了基于双动结构和电磁斥力机构的主支路快速机械开关、基于耦合负压装置的换流单元和采用反串联拓扑的电力电子开关阀单元,最后,根据苏州某换流站工程需求,研制出10 kV耦合负压型直流负荷开关样机并进行试验验证。结果表明：所研制的10 k V直流负荷开关可在3 ms内开断额定电流和最大开断电流,且能连续动作,体积为目前国内同等参数最小,并具有低损耗、高机械寿命和高可靠性的优点,完全满足工程要求,同时为后续直流负荷开关产品的开发提供了参考。     

贴片场效应晶体管工作原理及检测(上)

1.什么是场效应晶体管场效应管,即场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)。晶体管是由两种极性的载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,因此也称为单极型晶体管。场效应晶体管属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低等特点。场效应晶体管具有D(Drain)