铝金属化的俄歇电子能谱分析

用俄歇电子谱仪(AES)研究了Al/Si、Al/poly-si和Al-Si/Si结构的Al金属片中Si的溶解和扩散现象。同时还研究了Al-Si界面区的冶金学状态。结果表明:Al-Si界面宽常不均匀,局部扩散和溶解现象严重。用AES深度分布分析技术测量了Al-Si界面宽和Al向Si和多晶硅中的扩散深度。 AES分析结果表明:Al-Si界面区是由富Al的Al-Si合金和富Si的Si-A1合金两相组成。     

超晶格材料的俄歇电子能谱分析

本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超晶格材料的二次电子吸收电流像。     

氧化物阴极激活过程的俄歇能谱分析

本文介绍了一种实验室用的俄歇电子能谱分析装置。利用该装置对氧化物阴极及其活性镍基金属进行了分析研究,观察到激活前后Ba、Sr原子浓度比有明显变化,这种变化与活性Ni中激活剂向表面富集有关。激活好的氧化物阴极表面BaO多于SrO,而且有盈余Ba存在。     

氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究

本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。     

俄歇电子能谱的数据分析系统和设计考虑

本文介绍一种由微机控制、操作简便的俄歇电子能谱(AES)数据分析系统,及其设计考虑。谱图既可直接显示,也可打印输出,从而把成本降到最低限度。此外,软件全部采用FORTRAN语言和汇编语言混合编程,不仅提高了速度,也提供了各种强有力的图形功能。     

多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析

利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析,发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论,分析了该过渡区产生的原因,并利用＂幸运载流子＂模型,定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载流子注入效应的影响。     

GaAs、InP阳极氧化薄膜的光电子能谱、俄歇电子能谱分析

使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.     

采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为

采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果.     

Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子

本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析（如对Ni的LVV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子）中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展．因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。     

反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究

应用CH₄/H₂/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的。     

用俄歇能谱研究探测器制造过程中锑化铟的表面状况

在制造红外光电二极管过程中,在每一工艺过程后,用俄歇能谱仪研究了锑化铟的表面。介绍一些从化学刻蚀、表面钝化和扩散处理得来的表面沾污和化学计量的数据。     

蓝宝石-硅和尖晶石-硅界面层宽度的俄歇分析

本文分析了用俄歇电子能谱仪结合氩离子溅射测量绝缘衬底与半导体外延层之间的界面时遇到的样品带电效应并提出了与此有关的在实验中获得正确信息的方法,在此基础上得到了良好的俄歇剖面图.研究了外延温度,生长速率,退火温度对界面层宽度的影响.根据绝缘衬底上硅异质外延过程中成核与生长的特征讨论了实验的结果。比较了蓝宝石-硅与尖晶石-硅的界面宽度,认为它们的差异可归之于衬底与外延硅之间的结晶学关系对成核密度的影响。     

低能氩离子激发的俄歇电子谱及其影响

研究了Si、Al和Si_3N_4等材料的低能(≤ 4keV)Ar~+激发的俄歇电子谱及其 L_(2,3)MM峰-峰值与Ar~+离子激发能量的关系.讨论了Ar~+激发的俄歇电子谱对电子激发的俄歇电子谱的影响.在进行组分深度分布测量时,此干扰一般是不可忽略的.探讨了消除或扣除此干扰的条件.     

PECVD法低温形成SiOxNy介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能.     

PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法.利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响.实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6:Ar为20:5)时刻蚀效果最优.利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流.     

铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标.俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果.铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提.从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程.结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴.