Ti基IrO2+Ta2O5阳极的电化学特性

测量了Ti基IrO2 Ta2O5混合氧化物涂层的电化学阻抗谱（EIS），研究了Ti基IrO2 Ta2O5混合氧化物涂层阳极在H2SO4溶液中的电化学表面结构以及电化学行为，这种涂层阳极具有多层电化学结构，低频段的阻抗行为对应电极外表面/溶液界面的阻抗特性，高频段对应内表面/溶液界面的电化学特性和电极的物理阻抗。在析氧电位下，由于析出氧气的冲击，电极表面的总反应面积增大，而且析出的氧气对电极表面的改性受表面涂层的组织形态影响很大，由于晶粒的最细化，这种改性作用在IrO2含量为70%时最为明显，制备温度的升高使氧化物电极的多孔结构变得不明显，致密度上升以及活性表面积下降。     

Co3O4/Bi2O3纳米粒子气相光催化降解甲苯的研究

采用微乳法及化学沉淀法制备了复合氧化物Co3O4/Bi2O3纳米粒子，结果表明，微乳法制备的复合氧化物Co3O4/Bi2O3粒子光催化活性更好；活性的提高程度与n（Co）：n（Bi）有关，其最佳配比为0．02：1；随着焙烧温度的增加，光催化活性提高，750℃焙烧的样品催化活性最好。以甲苯为目标反应物，考察了光照强度、甲苯的初始浓度、气相氧浓度、水蒸气含量对甲苯光催化降解反应速率的影响。     

制备工艺对InP/SiO2纳米膜性能的影响

应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触（方法1）和InP薄片放在石英靶表面（方法2）两种情况下制备了InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理。X射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位、P和In的氧化物的含量都比用方法2的少得多。X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温（520℃）热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜。复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关。较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理。     

反应蒸发技术制备高性能In2O3和ITO薄膜

在真空状态下，在两个石英坩埚分别装入纯In，In、Sn（Wt=10％）合金，并按所沉积膜的种类（In2O3或ITO）将某一石英坩埚装入加热器，当真空度达到要求后，通入氧气并开启加热器，可在玻璃基板上制备In2O3或ITO薄膜。制备的ITO薄膜的方块电阻为10Ω/□，可见光平均透过率≥90％，制备的In2O3薄膜的方块电阻为35Ω/□，可见光平均透过率≥90％。是太阳能光伏产品及显示器件导电膜的理想选择。     

金属基表面Al2O3-SiO2涂层耐冲蚀性能的研究

结合炼钢转炉用风机因炉气而导致叶片磨蚀较快的实际情况，从改善叶片材料的角度出发，采用溶胶-凝胶法制备Al2O3-SiO2涂层用在金属基体上进行试验。结果表明在含3％（质量分数）Si02磨粒的水介质中，单一三层的SiO2涂层、SiO2-Al2O3-SiO2涂层及混合溶胶制备的复合涂层的耐冲蚀性相近，均比单一三层的Al2O3涂层及A12O3-Sio2-Al2O3涂层好。混合溶胶制备的复合涂层在3％（质量分数）SiO2磨粒的酸性介质中表现出了良好的耐冲蚀性。     

溶胶-凝胶法制备负载型钨硅酸催化剂

对用溶胶-凝胶法制备的HSiW-SiO2催化剂,首先由红外光谱和紫外漫反射光谱发现钨硅酸Keggin结构中4种特征的氧键依然存在,从而证明制备的HSiW-SiO2催化剂中,钨硅酸活性中心依然保持Keggin结构.在此基础上对用溶胶-凝胶法制备的HSiW-SiO2和用浸渍法制备的HSiW/SiO2进行了水相中钨硅酸流失率考察,结果表明,HSiW-SiO2催化剂的流失率基本保持在0.94%～1.O7%,而HSiW/SiO2催化剂的流失率为3.27%,两者相差3倍多,从而证明用溶胶-凝胶法制备的负载型钨硅酸催化剂能够更好地防止钨硅酸活性中心在水相反应中的流失.     

用溶胶-凝胶法制备保护涂层的研究进展

溶胶-凝胶(Sol-gel)法用于金属及合金表面制备保护涂层可明显提高材料在各种环境下的耐蚀性、抗高温氧化性、耐磨性等性能,从而扩大金属及其合金的应用范围.介绍了Sol-gel涂层的制备技术、涂覆工艺以及涂层热处理的一般原理及特点,总结了该技术制备保护涂层的应用现状及最新研究进展,讨论了制备单组分氧化物涂层如ZrO2涂层、SiO2涂层、CeO2涂层、Al2O3涂层、TiO2涂层,双组分氧化物涂层如ZrO2-CeO2涂层、SiO2-ZrO2涂层以及多组分氧化物涂层的制备方法及涂层对基体材料的保护作用,并对其保护机理进行了初步探讨.     

纳米ZrO_2/(1-n)SiO_2-nAl_2O_3介孔复合作的制备与光致发光

采用溶胶-凝胶法和超临界干燥技术制备了（1－n）SiO2－nAl2O3（n=0、001、0.1）混合气凝胶体系，并以此作为载体，成功地将纳米ZrO2粒子组装到（1—n）SiO2－nAl2O3介孔体系中，而形成纳米ZrO2／（1—n）SiO2－nAl2O3介孔复合材料．光致发光光谱研究表明，室温下以316um（392eV）波长激发时，纳米ZrO2粒子540um（230eV）荧光峰，在介孔复合体中将蓝移至400um（310eV）左右，蓝移量140um；其光致荧光峰的相对强度亦随Al2O3的掺入量不同而不同．对产生上述光谱性质变化的机理进行了初步探讨．     

MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究

用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底（0001）面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和（222）方向择优取向生长，电阻率～6．40×10^-3Ω·cm，在可见光区域的平均透过率达到了90％以上。     

In2O3纳米棒的制备与表征

以非离子表面活性剂作为形貌控制剂，采用溶胶-凝胶法制备In2O3纳米棒前驱物，经500℃煅烧1h，成功制备了长约120nm，直径20nm的In2O3纳米棒。根据综合热分析（TG—DSC）结果，前驱体是In（OH）3部分脱水的In2O（OH）4干凝胶；计算表面活性剂分子的几何排列参数P在1／3～1／2之间，确定体系形成的是棒状胶团，并对其影响因素和机理进行了讨论。     

喷雾冷冻干燥制备复合氧化物超细粉的研究

喷雾冷冻干燥(FD 法)制备的超细粉对于功能无机材料的合成具有重要意义。本文以制备陶瓷超导复合氧化物 BaPb_(1-x)Bi_xO_(?)超细粉为例,讨论了各种不同工艺条件对 FD 法制备过程的影响,所制备的超细粉在500℃时就形成单相复合氧化物,粒径<500(?),比表面可达55m~2/g。用同样条件制备的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)复合氧化物陶瓷超导材料,具有 T_c(ρ=0)=90.6K 的高温超导电性。     

电解液对铝微弧氧化膜相结构及性能的影响

在Na2SiO3和NaAlO2两种电解液体系中用微孤氧化法制得铝氧化膜.采用扫描电镜、X射线衍射和电化学分析等对铝氧化陶瓷膜的表面形貌、相结构及耐蚀性进行了分析研究,结果表明:两种体系下生成的氧化膜均由α-Al2O3和γ-Al2O3相组成,Na2SiO3体系下形成的氧化膜中α-Al2O3相的含量更多;陶瓷膜表面有大量的类似火山口的等离子放电产物和明显的放电通道,Na2SiO3电解液中形成的氧化膜放电通道闭合得较好;由恒电位极化可以看出微弧氧化陶瓷膜具有良好的耐蚀性,Na2SiO3体系下生成的氧化膜耐腐蚀性能更好一些.     

包覆型ZrO2（3Y）粉体研制

用微波法制备单分散、纳米水合二氧化锆，利用异相成核工艺在水合二氧化锆粒子表面均匀包覆一层Y（OH）3，制备出包覆型ZrO2（3Y）粉体先驱体．最后对煅烧ZrO2（3Y）粉体进行相结构分析，发现在室温下包覆型ZrO2（3Y）粉体中无m－ZrO2存在．结果表明；利用包覆的方法能将Y2O3均匀地加入到ZrO2中，提高ZrO2（3Y）粉体中亚稳定t－ZrO2的含量．     

溶胶-凝胶法制备电极催化剂用纳米WC及其脱玻璃碳研究

以钨酸钠为钨源，酚醛树脂为碳源，采用溶胶-凝胶法制备WC前驱体，在氩气、氢气混合气氛下高温原位还原碳化制备纳米WC。分别采用浓硝酸和氢气对WC中的残余玻璃碳进行脱碳处理。在含有WC的氯铂酸（H2PtCl6·6H2O）悬浊液中采用甲醛（HCH0）还原法制备纳米WC负载纳米Pt的复合粒子，将其制作成工作电极，在酸性介质中采...     

直流电弧放电法合成In2O3纳米粒子

电弧放电法因能在瞬间产生高温使原料气化而成为一种高效的纳米材料制备方法。以金属In为原料,在无催化剂的条件下,采用直流电弧放电法直接合成了In2O3纳米粒子。XRD、SEM和TEM结果表明所制备的In2O3纳米粒子为立方结构,形貌为结晶良好的八面体,平均粒径为60～120nm。纳米粒子之间以点接触和面接触相连。     

掺氮二氧化钛薄膜的常压化学气相沉积及其结构性能研究

用常压化学气相沉积（APCVD）法，以四氯化钛（TiCl4）、氧气（O2）和氨气（NH3）作为气相反应先驱体，成功制备了掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜。XRD、XPS和UV—Vis透射光谱研究表明，氮掺杂在二氧化钛薄膜中引入Ti4O7相，抑制了锐钛矿相向金红石相的转变；氮掺杂促使光吸收限红移，提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率，并改善了薄膜表面的亲水性能。该工艺成本低廉，成膜速度快（150nm／min），适用于工业化浮法玻璃生产线，产业化前景广阔。     

(1-x)La2/3Ca 1/3 MnO 3/xSb2O 5复合体系的电子输运和磁电阻行为

用两步法制备了（1-x）La2／3Ca1／3MnO3／xSb2O5复合样品．零场下电阻温度关系测量表明，对x〈3％范围。随Sb2O5含量增加，复合样品电阻率增大，绝缘体一金属转变温度降低；而对x〉3％范围，随Sb2O5含量增加。复合样品电阻率减小，绝缘体一金属转变温度提高．磁电阻测量表明，少量Sb2O5同La,2／3C＆1／3MnO3复合，可明显增强磁电阻效应．     

V2O5－x薄膜电极材料的氟化及性能研究

用脉冲激光沉积法制备了V2O5-x氧化物薄膜电极材料，用XeF2对其进行了氟化改性，并对比了电极材料氟化前后的充放电性能的变化。实验结果表明：氟化后的V2O5-x薄膜氟化后循环性能明显得到改善，经过200次循环充放电依然保持较高的充放电容量。     

SiO2—TiO2—ZrO2系涂层的制备及其特性

用溶胶－凝胶法（sol-gel method）在不锈钢表面制备了SiO2-TiO2-ZrO2系无机氧化膜（STZ）。用DTA／TG、IR、XRD和SEM等手段研究了涂层制备时由凝胶向玻璃态的转变以及涂层薄膜的显微结构特点，考察了涂层对基体的保护效果。试验结果表明，在溶胶至凝胶最终转变为无机氧化物的过程中形成了无机网络，Si^4 和Zr^4 充当了网络骨架的形成离子。涂层为无定型玻璃态，其间混有石英、锐钛矿或金红石等微晶。     

大气等离子喷涂制备低氧含量厚钨涂层

采用等离子球化技术对不规则钨粉进行球化,以还原后的球形钨粉为原料于CuCrZr合金基体上在氮气保护下,用大气等离子喷涂制备聚变堆用厚钨梯度涂层。利用X射线衍射(XRD)对钨粉和涂层进行物相分析,采用扫描电镜(SEM)对钨粉和涂层微观形貌进行观察,使用O/N测量仪、激光热导仪和拉伸试验机分别对涂层氧含量、热导率和结合强度进行测量,用X射线光电子能谱(XPS)对钨涂层中钨元素的价态进行分析。结果表明:在氮气保护下,采用大气等离子喷涂成功制备了以Cu-Mo/Mo-W为过渡的约2mm厚钨涂层,其结合强度为15.2MPa。相对真空热处理而言,H2还原热处理能显著降低等离子球化钨粉和钨涂层的氧含量,H2处理后涂层中氧含量从0.93%(质量分数,下同)降至0.17%。在钨涂层制备过程中由于存在对流氧化和扩散氧化,导致涂层存在微量的氧化物,其中氧化物主要以WO2.72和WO3存在。