惯性约束聚变用合金薄膜靶制备方法

阐述了与制备惯性约束聚变(ICF)用合金薄膜靶有关的理论和方法,讨论了ICF合金薄膜靶制备中存在的问题与解决方案.对制备方法的选择、组成合金薄膜的性质与结构和成分分布的关系进行了分析及讨论.     

埋点靶制备工艺研究

研究了激光惯性约束聚变（ICF）实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程。埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋占材料的制备。其中,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节。最后给出了埋点靶的制备工艺流程。     

埋点靶制备工艺研究

研究了激光惯性约束聚变(ICF)实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程.埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋点材料的制备.其中,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节.最后给出了埋点靶的制备工艺流程.     

ICF分解实验中的平面调制靶和薄膜靶的研制

本工作研制了用于惯性约束聚变ICF分解实验模拟聚变靶丸表面粗糙度和驱动激光空间不均匀性对R—T不稳定性作用的平面调制靶和平面薄膜靶。以激光干涉法结合图形转移工艺获得波长20～100μm、振幅0．0～4．0μm的正弦调制图形的模板,再将调制图形转移至溴代聚苯乙烯薄膜表面,制备出ICF实验用溴代聚苯乙烯平面调制箔靶;以半导体工艺结合自截止腐蚀工艺制得厚度4μm左右的自支撑Si平面薄膜靶。Si膜的表面粗糙度为几十纳米。对所研制的两种靶型的参数进行了测量。     

射流圆孔靶的制备和靶参数测量

介绍了X射线激光射流实验中Al和CH两种射流圆孔靶的制备方法。分别采用精密机械和皮秒激光加工工艺在Al和CH薄膜上制备精密、微小的圆孔,再通过精密装配的方法获得射流圆孔靶。使用白光干涉仪和小型量测仪对射流圆孔靶进行靶参数测量,测量图像和数据表明,Al和CH薄膜圆孔的孔径较圆且两面大小一致性较好,靶的两层薄膜分界面清晰且连接紧密。     

单点金刚石切削技术在ICF靶制备中的应用

单点金刚石切削(SPDT)技术是上世纪80年代以来国际上推广应用的一项新技术,是实现超精密加工的有效技术途径。本文阐述了SPDT技术的原理、特点以及在ICF靶制备中的应用,包括腔体的制备、异形靶零件的制备以及泡沫车削加工等。     

直流电沉积制备纳米铜丝阵列

研究采用模板法直流电沉积制备纳米铜丝阵列。基底选用阳极三氧化二铝硬模板,膜底磁控溅射1层薄铜层（1μm以下）做导电底衬,再利用直流电沉积法制备出纳米铜丝阵列。由此工艺所制备的纳米铜丝长度可达50μm左右、直径约为250nm,丝阵含铜量高。讨论了阴极电流密度、阴极电位、模板类型、模板孔径等因素对纳米铜丝生长的影响,为惯性约束聚变（ICF）实验除金腔靶外的其它金属靶的研究提供了一种新方法。     

气袋靶用聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

由联苯四羧酸二酐和对苯二胺低温缩聚制备聚酰胺酸前驱体,经拉膜、高温酰亚胺化成功制备了气袋靶用超薄聚酰亚胺薄膜。利用傅里叶红外、白光干涉仪和荧光光谱仪对薄膜和气袋靶进行了表征。经测量,薄膜的平均粗糙度为4.44nm、均方根粗糙度为5.34nm,薄膜装配后形成的气袋靶可承受0.1MPa的大气压。     

基于单一气源的PECVD方法制备SiC薄膜及其微观结构研究

为制备出满足惯性约束聚变(ICF)实验要求的SiC薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,以四甲基硅(TMS)作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备SiC薄膜。利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱对薄膜进行表征与分析。结果表明：SiC薄膜的成分与工作压强密切相关,随着工作压强的增加,薄膜中Si含量整体呈下降趋势;随着工作压强的增加,薄膜沉积速率先增大后减少,密度先减小后增大;与其他制备工艺相比,采用单一气源制备SiC薄膜,其表面粗糙度极低(1.25～1.85 nm),薄膜粗糙度随工作压强的增加呈先增大后减小的趋势。     

基于单一气源的PECVD方法制备SiC薄膜及其微观结构研究

为制备出满足惯性约束聚变（ICF）实验要求的SiC薄膜,本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法,以四甲基硅（TMS）作为唯一反应气源,在不同工作压强下制备SiC薄膜。利用扫描电子显微镜、表面轮廓仪、原子力显微镜、精密电子天平、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱对薄膜进行表征与分析。结果表明：SiC薄膜的成分与工作压强密切相关,随着工作压强的增加,薄膜中Si含量整体呈下降趋势;随着工作压强的增加,薄膜沉积速率先增大后减少,密度先减小后增大;与其他制备工艺相比,采用单一气源制备SiC薄膜,其表面粗糙度极低（1.25～1.85 nm）,薄膜粗糙度随工作压强的增加呈先增大后减小的趋势。