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多孔夹层压电复合材料的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
使用多孔炭黑/P(VDF-TFE)导电复合材料与03型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料进行二次结构复合,形成多孔夹层压电复合材料,对其静水压压电性能进行了分析测试。研究结果表明,这种多孔夹层压电复合材料的静水压压电优值(d·g)比单层03型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料的静水压压电优值获得明显提高。 相似文献
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0-3型压电复合材料的电晕放电极化 总被引:3,自引:2,他引:1
金属单针电晕放电极化0—3型压电复合材料的工艺条件是:电晕放电电压V=8.5kV,极化温度T=130℃,极化时间t≥40min。利用旋转电晕放电对大面积0—3型压电复合材料进行极化。结果表明:这种极化方法可达到普通油浴高压直接极化的效果,而且可以对大面积压电复合材料进行极化。对于70μm厚的大面积0—3型压电复合材料,极化后,其压电系数d33值达到35pC/N。 相似文献
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基于0-3型压电复合材料的声发射传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
基于0-3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合薄膜材料研制出了面积为4.0 cm?1.2 cm的声发射传感器,利用美国精量电子公司的压电薄膜实验室放大器对其进行了断铅声发射实验测试,测试结果表明:所设计的声发射传感器对断铅信号具有较宽的频带响应及较高的灵敏度,传感器所获得的信号正峰值电压达到1.48 V,其对声波的衰减具有较好的分辨率。 相似文献
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0-3型压电复合材料以其柔软性,易加工成型和制备工艺简单等优点,具有广泛的应用前景.该文利用0-3型压电复合材料作为压电悬臂梁压电振子的压电体,利用Ansys软件对振子做有限元分析,包括静态和模态分析,得出压电振子各参数对其发电能力及谐振频率的影响:振子发电能力与外力及振子的长度成正比,与振子宽度成反比,存在最佳长度比和厚度比;振子的固有频率与长度及质量块的质量成反比,宽度对固有频率的影响较小.这些数据为压电悬臂梁的结构参数提供设计依据. 相似文献
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采用 0 3复合法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了单层厚度 0 .9μm ,总厚度 10 μm ,并且无裂纹的Pb(Zr0 .53,Ti0 .4 7)O3铁电薄膜。溶液中粉体的存在减小了加热时的体积收缩 ,降低了制备过程中膜内部产生的应力 ,从而使得单层厚度可达 0 .9μm ,防止了薄膜开裂。X射线衍射分析表明薄膜为单一钙钛矿相结构且结晶状态良好 ,采用已烧结的粉末时 ,薄膜呈〈110〉取向 ;扫描电子显微镜分析表明 ,薄膜表面无裂纹 ;介电性能测试结果显示 ,其相对介电常数可高达 115 0。为了研究粉末的状态和薄膜取向之间的关系 ,将未经烧结的未结晶的PZT粉末加入前驱溶液中 ,在相同的制备条件下 ,可得沿〈10 0〉晶向强烈取向的PZT薄膜 相似文献
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利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 相似文献
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钙钛矿型铌锌酸铅陶瓷材料合成及其性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用X射线衍射和差热分析研究了铌锌酸铅Pb〔(Zn0.7Mg0.3)1/3Nb2/3〕O3陶瓷材料普通合成法和两种铌铁矿先驱体合成法的合成机理。研究表明,该材料的合成过程中,首先生成焦绿石相然后在较高温度生成钙钛矿相,先驱体法可以明显抑制焦绿石相的生成并使其反应温度向高温推迟,从而可以明显提高钙钛矿的产率。而简单先驱体法(PbO+ZN+MN)比复合先驱体法(PbO+ZMN)具有更好的合成效果。采用简单先驱体法通过合适的合成工艺可以制得钙钛矿含量大于95%的Pb〔(Zn0.7Mg0.3)1/3Nb2/3〕O3陶瓷材料,其介电温谱具有明显的弥散性,为无序铁电陶瓷材料。研究发现,差热分析作为判断焦绿石和钙钛矿反应温度的重要依据,可以用于铌锌酸铅系陶瓷材料钙钛矿的合成研究。 相似文献
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锂离子电池正极材料LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2的合成及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用辐照凝胶法制备了锂离子电池正极用LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2粉体材料。采用XRD、SEM和电化学充放电测试对制备材料的结构和性能进行了表征。结果表明:900℃制得的样品具有较好的层状结构,结晶性适中,电化学性能优异:其首次放电容量高达184mA·h/g(2.80~4.50V,C/10),30次循环后的容量保持率为87.4%,表现出较好的充放电容量和循环性能,较之850,950℃煅烧样品具有最小的交流阻抗和直流阻抗。 相似文献
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K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量 总被引:4,自引:2,他引:2
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N. 相似文献
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塑料薄膜衬底上复合敏感膜热释电传感器的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
将Sol-Gel法制备的掺钙钛酸镧铅纳米粉粒(PCLT)与聚偏氟乙烯-三氟乙烯(P(VDF-TrFE)均匀复合,作为热释电传感器的敏感膜,比同样制备条件的纯聚偏氟乙烯-三氟乙烯膜的探测优值高约22.4%。并以沉积有35nmITO薄膜的廉价PET塑料为衬底,用旋转涂膜法沉积PCLT/P(VDF-TrFE)复合敏感膜,用Ni-Cr薄膜作上电极,制备了PCLT/P(VDF-TrFE)/PET热释电传感器。PET塑料可有效降低热释电元件的热导,下电极ITO可反射红外辐射,明显提高了传感器的电压响应和降低热释电元件的热噪声。测试结果表明,PCLT/P(VDF-TrFE)/PET热释电传感器的探测率达到3.4×107cmHz1/2W-1,比同样制备条件的体硅衬底传感器高2个数量级以上。 相似文献