离子注入碲镉汞

本文概述了离子注入碲镉汞的主要工作,较详细地论述了该工作的近期进展,对离子注入碲镉汞的光电性能,以及在红外探测器制造方面所取得的成就进行了综述。最后评述了国内的有关工作,并对今后的发展提出了建议。     

碲镉汞探测器

美国Honeywell公司继续研制碲镉汞探测器以扩大它们的能力和系统应用。已证明长波长红外光电导碲镉汞探测器多元阵列     

碲镉汞CCD

在最近举行的国际电子器件会议上,有几家公司透露在红外传感器方面获得重大的技术进展。得克萨斯仪器公司报告它们成功地用碲镉汞制得CCD。这种材料也来用制造红外前视装置的红外探测器。这样,各元件的扫描及输出信号的积分就可在器件的镶嵌     

用阳极氧化法钝化碲镉汞半导体表面

光电导半导体材料基体在电解液中用电解方法阳极氧化,如在含0.1克分子浓度的氢氧化钾,90％的乙二醇,10％的去离子水的电解液中,可形成阳极氧化物表面,使表面态密度保持稳定,以防止空穴电子对在扫出过程中复合。这样,能制成高温下长期稳定的红外探测器。     

夜视技术中的碲镉汞

碲镉汞已有十五年历史,目前已成为夜视技术中主要的红外探测器材料。已经为美国三军并可能为北大西洋条约组织所采用的红外前视装置通用组件,就包括了180元光导碲镉汞探测器组件。一、多光谱碲镉汞可以选择截止波长,做成多光谱器件,即在焦平面上做有几层碲镉汞,每一层都起被动滤光的作用;顶层在其截止波长范围内吸收辐射能,把专吸收的能量透射到     

高性能碲镉汞探测器

碲镉汞对于红外工业的热成象来说是最重要的探测器材料。事实说明,这种材料极适于制作2～14微米的探测器,现已有光导阵列器件、光电二极管阵列器件,还有焦平面信息处理等更先进的器件。光导器件用的是一种“n”型材料,是用布里奇曼法在本公司生长的。由于有了这种技术,再加以对工艺作了深入的研究,从而使材料达到了很高的质量。近几年来,器件的性能和设计的选择性都有了很大的提高。8～14微米和3～5微米光导探测器的典型性能数据见表1。尤其要指出的是这些阵列器件的响应率和D~*的均匀性都很好,1/f拐点频率很低。     

碲镉汞薄膜材料

研制ＨｇＣｄＴｅ焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的ＨｇＣｄＴｅ材料。用ＬＰＥ、ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ外延生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。ＬＰＥ是目前研制ＨｇＣｄＴｅ光伏列阵主要材料，用双层掺杂生长的ｐ－ｎ异质结得到当前最高的Ｒ＿０Ａ值。ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ外延膜近期有了较大的进展，除了在硅衬底上ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ仍在研究之外，其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜，高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。     

碲镉汞的离子注入

在3～5和8～12μm 波段,碲镉汞(MCT)已成为红外探测和热成象的最重要的半导体材料。目前,高质量光电二极管可利用包含离子注入形成 n-p 结的工艺来制作。但是,掺杂机理还说不清楚,因为这种化合物半导体的电学性质,不仅由杂质决定,而且还由“缺陷”及与化学配比的偏离所决定。离子注入 MCT 的主要特征是:在注入的材料中,退火前观察到的是 n~+电学掺杂。“缺陷”似乎是产生这个现象的原因,因为形成这一 n~+层不需要任何进一步退火,同时也不怎么依赖注入条件及注入离子的性质。本文描述了离子注入 MCT 的一般性质。我们将给出观测缺陷所引起的载流子浓度饱和、结迁移和退火材料性质等许多问题。这些问题的回答有助于了解离子注入 MCT 的掺杂机理。看来经过注入杂质,接着进行退火的掺杂也是一个更为复杂的问题,因为它主要与缺陷的退火和化学配比的控制有关。p 型掺杂杂质和 n 型掺杂缺陷之间的竞争,提出了通过离子注入形成 p 型层的可能性问题。     

碲镉汞光伏探测器

大约在六年以前碲镉汞红外探测器仍然处于保密状态,这以后它们才公开在市场上广泛出售。关于它们的潜在能力和用途还有许多因素是未来的用户所不十分清楚的。本文打算提供 HgCdTe 光伏探测器这方面的资料以及它目前的技术水平。     

碲镉汞的热处理

碲镉汞晶体的化学计量比和自由载流子浓度是通过热处理来调整的。即是在组分的蒸汽下,从接近固化温度时慢慢冷却到室温。碲镉汞保持在石英管的低温处,它可以在短时间内使p型材料变成n型材料。     

碲镉汞光电二极管

一、引言美国宇航局戈达德宇航中心正在设计卫星之间使用的高数据速率CO_2激光通信系统,因而与亨尼威尔公司订立合同,要求研制一种碲镉汞光电二极管,它的3分贝下降频率应大于400兆赫,量子效率20％,工作温度100°K。在合同第一阶段,在(Hg,Cd)Te材料性能研究和制造高速(Hg,Cd)Te光电二极管所需扩散技术的研究方面,取得了重要     

碲镉汞红外探测器

一、前言气象卫星用红外照相机的探测部分,要求波长峰值灵敏度在10微米左右,而且响应时间要快。Ⅱ-Ⅵ族半导体合金CdHgTe可以较好地满足上述要求。但是,这种晶体的组分比很难达到理论值,至今各国也没有发现什么最好的方法。东芝公司采用改进型的布里兹曼炉,控制熔融状态的汞压,得到了一部分灵敏度高的优质晶体。虽然均匀性也不太好,但切下灵敏度高的部分,经过加     

碲镉汞中的汞空位扩散

在用移动加热器法（ＴＨＭ）生长的碲镉汞（Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ）晶体中，发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加，可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Ｈｇ空位扩散系数的浓度模型作定量描述。     

碲镉汞光混频器

本文较详细地推导了碲镉汞光混频器的外差灵敏度方程。描述了光混频器NEP的测量方法及10.6μm的外差测试技术及系统。测出在40oMHz带宽时碲镉汞光混频器的NEP为5.6×10~(20)W/Hz,实验结果与理论计算十分吻合。给出了NEP随偏置电压变化的一组关系曲线,指出加负偏压是提高外差器件极限灵敏度的有效方法。最后,提出了外差器件的一些设计考虑。     

碲镉汞薄膜材料

碲镉汞薄膜材料电子工业部十一所陈世达碲镉汞探测器是目前最重要的红外探器之一，通过对材料组分ｘ的调节，它可以探测１～２０μｍ红外波长，在红外成象，红外、激光制导、激光雷达及激光探测方面有着极其广泛的用途。研究与发展多元和焦平面碲镉汞探测器件是国内外研究...     

化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究

研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。     

长波红外碲镉汞探测器

1 引言 红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的。1830年,L.Nobili利用塞贝克发现的温差电效应制成了“温差电型辐射探测器”;