电子技术革命推动新元件的开发

IC、LSI等电子元件的技术革新大大推动了计算机的进步。当前,电子领域的革新主要是硅材料的IC(集成电路)和LSI(大规模集成电路)。从八十年代后半期到九十年代,若干新的电子元件将进入实用期,它们都必将经受“新电子元件革命”的急剧变化。去年年底,据科学技术厅汇总的技术预测,由于使用砷化镓元件、超导元件等,到1993年,计算机的运算速度可达1000亿次/秒以上;到1994年,LSI的集成度可达1亿～10亿/片以上;到1995年,迭尼为10尼以上、容量为10兆比特/块以上的具有立体记忆功能的集成元件趋于实用化。由此可见,比现在元件性能提高三个数量级的新型元件将会相继出现。     

超大规模集成技术

一、什么是超大规模集成电路所谓超大规模集成电路是指集成度比大规模集成电路(LSI)更高级的新型电路。大规模集成和超大规模集成的划分,目前还没有一个很确切而有科学根据的界限。一般的说法是:每个芯片上有100～5000个门或1000～10万个元件的集成电路为大规模集成,门数或元件数     

ULSI时代即将到来

最近,半导体产业界认为自从1971年集成化微处理器问世以来,集成电路的集成度几乎每两年增长两倍,预计1990年集成电路半导体芯片的集成度可达100万个元件,2000年可达1000万个元件的水平。一般,人们将一块芯片上集成的元件数在10万至1000万之间的集成电路称之为超大规模集成电路,用VLSI来表示。而ULSI表示超超大规模集成电路,它的芯片集成度高达1000万个至10亿个。     

大规模集成电路的基本原理及发展概况(一)

一、序言 电子器件经历了电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路(LSI)四代的发展历史。在集成电路发展初期都是集成度较低的门电路,后来发展了多门电路和一些单个触发器,集成度逐步提高。目前已经发展到将许多门电路和触发器集成在一块电路上,完成局部的甚至完整的逻辑功能,这就是目前所谓的中大规模集成电路。所谓“大规模集成”就是集成度达到每片1000个元件以上(或等效于100门以上)的集成电路。它是在一块几毫米见方的硅片上,制成成千上万个元件的一种复杂电路,其功能相当于几十块甚至上千块普通集成电路。它使电子元件,电路以及制造工艺成为一个有机的整体而不可分割。采用这种电路的电子设备,具有体积小、重量轻、功耗小、成本低,可靠性高等优点。可以广泛应用于空间技术、电子计算机、雷达、通讯设备、指挥仪,工业自动控制,电子手表以及医疗电子设备等方面。例如国外一种军用的T1-2502型电子计算机,原来需用1735块普通集成电路。     

电子仪器的热设计

一、热设计的基础 1、电子仪器及无部件的发展动向众所周知,电子元部件和电子仪器越來越向小型、轻量和高密度组装方向发展。电子仪器的小型化主要是由于电子元部件的小型化,特别是由于某些元部件的集成电路化所带来的结果。尤其是集成电路(IC)制造技术的进步,集成度愈来愈高。到70年代元件数为1000个以上的大规模集成电路(LSI)已研制成功并提供实用     

浅谈半导体量子点与纳米电子学

浅谈半导体量子点与纳米电子学王家俭（山东大学物理系济南２５０１００）关键词量子点，库仑阻塞现象，单电子晶体管，纳米电子学目前，以集成电路为基础的微电子技术，已在国民经济和现代战争中起到不可估量的作用。随着电路尺寸不断缩小、集成度的提高，已进入甚大规模...     

集成电路设计制造技术的发展分析

随着电路集成工艺、微电子技术的发展，集成电路其集成度日益提高，一直到10亿门，芯片最小线宽到纳米级，同时集成工艺和其他学科相结合，诞生了新的学科。对于更高的集成度的芯片设计，复杂度加大，基于IP核的片上系统（SOC）设计技术基本解决了当前的设计难题，但这些新的技术还需要不断的改进和完善。     

磁控溅射设备国外发展趋势及关键技术

<正> 微电子技术在现代化科技中占有极为重要的地位,而微电子技术的核心在于集成电路。集成电路是世界上公认的现代电子信息设备和系统的核心器件。当今大规模、超大规模集成电路已迅速发展,器件功能也日益复杂,芯片直径不断增大,先进国家正向0.2μm、256MDRAM的方向发展。由于集成度的不断提高,图形线宽之不断缩小,工艺的复杂化,对工艺设备提出更新更高的要求。磁控溅射技术是VLSI电路制作的重要技术。     

前言

随着计算机应用领域的日益扩大,对存贮器的容量及速度不断提出了新的要求,从而有力地推动着半导MOS存贮器技术的发展。七十年代是大规模集成电路(LSI)的年代,八十年代则是超大规模集成电路(VLSI)的年代。据估计,其集成度平均每年约增加一倍,而价格却降低一半。     

硅外延技术的进展

过去十年来,集成电路发展很快。硅片尺寸从1.5吋坛大到4吋,集成度从每片1000个元件坛加到10万个元件,条宽从10μ减到2μ,成本从每个晶体管5美分降到1/20美分。总之集成电路向着高集成度、高密度、高速度、低功耗发展,工艺技术向低成本、高置信度、便于生产及高成品率方向发展。     

集成电路设计及CAD技术

1.1 集成电路的发展60年代初开始,在一个硅片上集成2～4个基本门。60年代末,由于MOS工艺的发展,已可以作到1000个门/芯片。70年代末已制出64K动态存贮器DRAM,其集成度达到近1万门左右/芯片。80年代则进入了VLSI时代。80年代末,已经可以达到0.8μm工艺,其集成度已达到数百万个元件/芯片。90年代则进入亚微米时代,现已可作到0.5μm以下的工艺。其集成度已达到1百万     

世界电子信息技术和产品开发的未来展望

从世界微电子及电脑的最新进展及发展势头来看,予计本世纪最后几年,集成电路芯片的集成度将每隔1～2年提高一倍;半导体技术日趋成熟,将以目前的0.3微米线宽,到2000年将推进到0.1微米线宽。届时一块集成电路内至少容纳5000万至1亿个晶体管,甚至可能达到10亿个晶体管的极限,是目前集成度的50倍以上;未来几年,由于特殊用途的半导体(ASIC)具有高速、低耗、发光等诸多优点,其需求量将急增,化合物半导体将十分走俏;神经网络式超大规模集成电路和模糊芯片将得到更大发展;可实现最佳控制的神经网络及模糊控制的家屯新产品将日臻成熟,并大量投放市场。     

CMOS LSI电路失效分析的XTEM技术

集成电路工艺的迅速发展在一个芯片上已可以制作10~5以上的元件,即LSI和VLSI大规模和超大规模。集成度的提高使元件的最小尺度降到一微米以下,而栅氧化层仅数十个nm。对这种电路的分析,常用的SEM就无能为力,必须求助于TEM的更高的分辨率。而XTEM技术是研究这种具有多层复杂结构的强有力的工具。本文作     

超高速CMOS元件

日本三菱电机公司采用激光再结晶化(SOI)技术研制成延迟时间为280微微秒的高速CMOS元件.SOI技术是使电路元件多层化,提高集成度,为实现三维大规模集成电路而在绝缘层上生成硅晶体的技术.这次三菱电机研制的CMOS元件是用激光在绝缘层上形成硅晶体,栅宽采用了3微米以下的微细加工技术.由于提高了每个晶体管的特性,减少了静电电容,从而实现了高速化.     

最新的超超大规模集成电路工艺技术及其实际情况

在1983年底国际电子器件会议(＇83IEDM)及1984年的国际团体电路会议(＇84ISSCC)上,发表了 IM位动态存贮器(DRAM)~[1 3]和 256K位 MOS静态存贮器(SRAM)~[4]技术,在一块芯片上集成了100万只以上元件,从而标志着进入了超超大规模集成电路(ULSI)时代。 在这种ULSI中,由于集成度提高了。最小条宽到了亚微米,于是产生了LSI存     

高密度组装电路的热设计——电子设备的热设计(一)

1、热设计的基础 1.1电子设备及电子元件发展动向 众所周知,当今电子设备正向小型化、高密度组装化方向发展。 电子设备小型化的主要因素是元件的小型化、电路由分立元件到集成化等技术的飞跃发展。随着集成电路（IC,下同）制造技术的发展,IC本身的高度集成化得到较大突破。例如,存贮器的集成度（1片的位数）由1K发展到4K,又进而至16K、64K,一年之间竟以双倍的比例增长,最近报道256K的也已研制成功。六十年代的IC元件只有10个（2只三极管、6只电阻,2个电容）,到七十年代猛增到1000多个,这种电路被称为大规模集成电路（LSI,下同）。现在,出现     

低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

一九八五年国际固体电路会议述评

一年一度的报导最先进大规模集成电路的国际固体电路会议今年(ISSC′85),业已闭幕。1兆位动态随机存贮器、256k位静态随机存贮器,二万门级的CMOS门阵等高集成度的大规模集成电路的研制报告引人注目。面向各种信号处理大规模集成电路,通信用大规模成电路,图象存贮等用途的大规模集成电路发展动向,也引起了人们的注意。在模拟-数字并兼容大大规模集成电路及固体摄象元件,工业及民用模拟集成电路方面,取得了卓有成效的成果。     

超大规模集成电路的发展

一、什么是超大规模集成电路发明晶体管之后的1959年,便有人研制成功了集成电路.以后集成电路向提高集成度方向发展.由小规模集成电路到中规模集成电路.当在一块硅片上制成了一千个以上的晶体管时,人们便称其为大规模集成电路(LSI).     

新一代微分析及微加工手段——聚焦离子束系统

聚焦离子束 (FIB)技术是 90年代发展起来的具有微细加工和微分析组合功能的新技术。随着集成电路线宽的不断减小 ,集成度不断提高 ,该技术已在微电子工业中被广泛应用 ,其优势也日益显现。文中主要对FIB系统的构成作较为详尽的介绍 ,同时也涉及该技术的应用和发展。