V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.     

V2O5溶胶掺杂Li1.05Nb0.55Ti0.55O3微波介质陶瓷的烧结特性及介电性能

研究了V2O5溶胶含量对Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷烧结特性及介电性能的影响.实验结果发现,V2O5溶胶与基质形成低熔点LiVO3界面相,促使Li1.05Nb0.55Ti0.55O3烧结温度从1 100℃降至900℃;XDR表明,LiVO3相在烧结后期固溶入M相晶格中.随V2O5添加量增加,致密化温度降低,介电常数εr减少,品质因子Qf降低,频率温度系数τf变化较小掺加2%V2O5(质量分数,下同)溶胶的Li1.05Nb0.55Ti0.55O3陶瓷在900℃烧结2 h,其微波介电性能εt=60.2,Qf=3 868 GHz,τf=35.7×10-6/℃.     

V2O5对BaTiO3陶瓷PTC效应的影响

以BaTiO3为基,以Y2O3作为主要施主掺杂物,研究了钒取代钇和钒取代锰时对材料的PTC效应的作用.测试了试样的阻温特性,观察了试样的显微结构.结果表明V2O5为弱施主掺杂物,有促进半导化的作用;适量添加V2O5可以降低室温电阻率和提高温度系数.     

掺杂FeVO4低温烧结ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷

研究了FeVO4对ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷的烧结特性、介电性能、相组成和微观结构的影响.研究表明添加3 ω/%～10ω/%FeVO4可使烧结温度从1200℃降低到960℃,XRD与EDS分析表明FeVO4固溶入主晶相ZnTiNb2O8,导致晶格畸变,缺陷增加,促进传质,在液相和固溶体协同作用下降低烧结温度;随FeVO4添加量的增加,Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2相和TiO2相含量增大,介电常数εr基本不变,Q·f值由于晶体缺陷增多和晶粒尺寸不均而下降;FeVO4添加量为4 ω/%的ZnO-Nb2O5-TiO2陶瓷可在940 ℃,2 h条件下致密烧结,微波介电性能为εr=40,Q·f=10 200 GHz(3GHz),τf=-9×10-6/℃,可用于制备各种多层微波频率器件.     

低温烧结制备BaO-Nb2O5系微波介质陶瓷及性能研究

通过控制原料配比及添加不同成分的添加剂,在较低温度下采用固相烧结法合成了BaO-Nb2O5系微波介质陶瓷。通过改变原料配比及添加B2O3、CuO等添加剂,该类陶瓷的烧结温度可降至850℃左右。改变粉料的预烧温度也使得微波介质陶瓷的最终性能有一定的改变。结果表明,BaO:Nb2O5(摩尔比)为2.42:1的粉体经过1000℃预烧后,添加一定量的添加剂可在875℃下烧成,并具有如下微波介电性能:εr为41.23,Q×f为21500GHz,τf为6.2×10-6℃-1;实验证明该类陶瓷满足低温共烧陶瓷(LTCC)的工艺要求并可以与银电极共烧。     

热处理对V2O5纳米薄膜组织与性能的影响

用溶胶-凝胶技术结合旋涂法在硅基片上制备了V2O5纳米薄膜,对样品在空气中进行不同温度的热处理.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和FT-IR对V2O5薄膜进行了表征,研究了V2O5的生长过程和反应过程的机理及其微结构随温度的变化.结果表明,可以通过升高热处理温度来提高薄膜样品的结晶程度、颗粒尺寸及其均匀程度,并增强V2O5(001)晶面的取向性,当热处理温度升高至500℃时,样品由非晶薄膜转变为致密的棒状多晶薄膜.同时随着热处理温度的升高,样品中的V4 被氧化为V5 ,使薄膜样品结构发生了重排,V=O振动模式发生蓝移.     

球形Ta2O5/Nb2O5制备方法的研究

研究了用氨沉淀氟钽（或铌）酸溶液制备球形Ta2O5／Na2O5工艺。通过实验探讨了沉淀条件、溶液浓度、沉淀时间、焙烧温度等工艺参数的最佳组合。结果表明，用氨沉淀氟钽（或铌）酸溶液制备球形的Ta2O5／Nb2O5，必须首先得到不规则的Ta（OH）5/Nb（OH）5。要得到不规则Ta（OH）5/Nb（OH）5，反应时搅拌强度要大，搅拌速率应控制在800～1200r／min，反应结束后继续搅拌10～20min，终点pH值控制为8．5；氟钽（或铌）酸溶液浓度为60～80g，L沉淀10min，浓度为120～140g，L沉淀15min，之后可得到不规则Ta（OH）5/Nb（OH）5。再在800～850℃，焙烧6h可得到球形Ta2O5／Nb2O5。     

含纳米V2O5颗粒钒催化剂的制备

介绍了1种制备纳米钒催化剂的新方法。用TEM，SEM，XRD，DSC等手段研究了纳米V2O5溶胶．凝胶，以及活性组分V2O5颗粒在钒催化剂中的形貌、大小和分布等。试验结果表明，随着水钒比的降低，纳米V2O5颗粒的形状由针状、椭球状向球状变化：制备纳米V2O5溶胶．凝胶适宜的熔化工艺参数为800℃～860℃，15min～lOmin。采用本工艺方法制备出了含粒径为30nm～60nm的纳米V2O5溶胶-凝胶和纳米钒催化剂。     

掺杂Nb2O5对自生Al2O3强化TiAl复合材料结构的影响

采用原位反应热压法制备了自生Al2O3增强TiAl间金属化合物复合材料，通过第三元素（氧化铌）掺杂的形式，对其进行强化研究。采用DTA结合XRD分析对其反应过程进行了探讨。SEM，XRD及其它测试分析显示，引入氧化铌使铝热反应生成了更高的热能，材料能够在较低的温度下烧结。同时，Nb2O5的掺入对基体相生成比例（TiAl：Ti3Al）有一定的调控作用，也使材料中的自生氧化铝成分增强，对材料结构及性能产生了较大影响。     

晶界氧吸附对SrTiO3基压敏陶瓷的作用

研究了SrTiO3基压敏陶瓷热处理过程中氧的作用。发现SrTiO3基压敏陶瓷的压敏电压U10mA与试样的厚度无关，且随着热处理温度的升高而增大。进一步的试验表明SrTiO3基压敏陶瓷的压敏特性主要受试样表面高阻层的控制。X射线光电子能谱（XPS）的Mn2p和O1s谱图表明，表面高阻层是氧在热处理过程中通过晶界的扩散和化学吸附产生的。因此，氧在晶界处的化学吸附是SrTiO3基陶瓷压敏特性产生的根源。     

中间包保护渣中碳和V2O5含量对钢液氮含量的影响

为了研究中间包保护渣中碳和V2O5含量对钢液氮含量的影响,选用CaO—SiO2—Al2O2系碱性渣作为基础渣系进行实验。通过对实验结果分析可知,渣中的碳和V2O5含量对钢液脱氮都有一定的影响,但效果不一样。     

MnO2和Nb2O5掺杂Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷性能的研究

探讨了MnO2和Nb2O5掺杂对Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（PMSZT）材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响.结果发现：合成温度900℃,可以得到钙钛矿结构;随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动;当MnO2过量0.1%,Nb2O5掺杂0.05%（均为质量分数）时,εT33/ε0,d33和Kp达到最佳值;随着MnO2和Nb2O5掺杂量增加,Qm值下降,谐振频率变化率随温度变化由正到负.     

氧化钇含量对氧化锆陶瓷微波介电性能的影响

研究了Y2O3含量对钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷微波介电性能的影响.通过热压烧结方法制备了YSZ陶瓷,对材料进行了X射线衍射分析和复介电常数测量.结果表明,当Y2O3含量从2%(摩尔分数)增加到12%时,复介电常数实部在19.49到23.39之间变化.当Y2O3含量为6%时,微波损耗达到最大值0.0789.对YSZ陶瓷的微波损耗机理进行了详细探讨,由于氧离子空位随交变电场的震动和移动而产生的漏导电流是电磁波损耗的主要原因.     

Microwave Dielectric Properties of Nd(Zn1/2Ti1/2)O3 Ceramics with V2O5 Additives

The microwave dielectric properties and the microstructures of V₂O₅-doped Nd(Zn_1/2Ti_1/2)O₃ ceramics prepared by conventional solid-state route have been studied. Doping with V₂O₅ (up to 6 wt.%) can effectively promote the densification of Nd(Zn_1/2Ti_1/2)O₃ ceramics with low sintering temperature. At 1300 °C, Nd(Zn_1/2Ti_1/2)O₃ ceramic when added with 6 wt.% V₂O₅ possesses a dielectric constant of 29.9, a quality factor (Q × f) value of 105000 GHz (at 8 GHz), and a temperature coefficient of resonant frequency of ?45 ppm/°C. These V₂O₅-doped Nd(Zn_1/2Ti_1/2)O₃ ceramics can be used in microwave devices.     

表面活性剂对球磨法制备纳米Sb2O3粉末的影响

采用球磨法制备纳米Sb2O3粉末,研究表面活性剂对制备纳米Sb2O3的影响。采用X射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪研究了球磨产物的物相组成、颗粒形貌以及平均粒径。研究结果表明表面活性剂对产物的Sb2O3含量、结晶度、粒径大小、形貌以及分散性具有显著地影响。当硬脂酸、辛基酚聚氧乙烯醚、聚丙烯酸钠作为表面活性剂时,球磨产物中Sb2O3的含量低于92%,颗粒大小不均匀,甚至出现团聚现象。当辛基酚聚氧乙烯醚与聚丙烯酸钠复配作为表面活性剂时,产物中Sb2O3含量为94%,颗粒形貌不规则。当聚丙烯酸钠与硬脂酸复配作为表面活性剂时,球磨产物中Sb2O3的含量达99%以上,分散性最好,粒径分布在10~20 nm之间,平均粒径15 nm左右。     

Mg3Sb2含量对Al-Mg3Sb2复相涂层耐磨性的影响

目的研究Mg_3Sb_2含量对Al-Mg_3Sb_2复相涂层的组织、硬度和摩擦学性能的影响,对比分析AZ31B镁合金基体、纯Al涂层和添加不同含量的Mg_3Sb_2之后涂层性能的差异。方法通过火焰喷涂技术在AZ31B镁合金表面制备了Al-Mg_3Sb_2复相涂层。利用扫描电镜(SEM)观察了涂层的截面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析了涂层的物相组成。通过显微硬度计测试了AZ31B和涂层的硬度,通过摩擦磨损试验仪测试了AZ31B和涂层的摩擦学性能,并通过超景深三维显微镜测试了试样的磨痕宽度、深度及磨损体积。结果经火焰喷涂后可得到组织致密的复相涂层,涂层中的物相主要为Mg_3Sb_2和Al。涂层的平均硬度随Mg_3Sb_2含量的增加而增加,最高可达334.2HV0.025,是AZ31B的4.14倍。摩擦磨损试验中,涂层的摩擦系数随着Mg_3Sb_2含量的增加而减小,但都大于AZ31B的摩擦系数;涂层的磨损率随着Mg_3Sb_2含量的增加而减小,60%Mg_3Sb_2和80%Mg_3Sb_2涂层的磨损率小于AZ31B的磨损率,其他涂层的磨损率大于AZ31B的磨损率,80%Mg_3Sb_2涂层的耐磨性最好,比AZ31B下降了63.26%。随着Mg_3Sb_2含量的增加,Al-Mg_3Sb_2复相涂层的磨痕表面犁沟逐渐变浅并消失。结论 Mg_3Sb_2的加入可以提高涂层的硬度,随着其含量的增加,涂层的耐磨性逐渐提高。     

添加剂对Al2O3／BN可加工陶瓷性能的影响

采用Si3N4和SiC作为Al2O3／BN可加工陶瓷的添加剂，考察了添加剂种类和含量对材料力学性能及可加工性能的影响。研究表明，2种添加剂均对调节体系中由于热膨胀失配所引起的人的内应力起到积极的作用。材料的抗弯曲强度随添加剂含量的增加而提高，同时可加工性能略有降低。尤其是Si3N4的加入使体系在热压烧结过程中原位反应生成液相x-Sialon，显著降低了烧结温度，促进材料的致密化。