功率半导体模块用陶瓷覆铜基板质量测试评价体系的研究

功率模块用陶瓷覆铜基板在电子行业中应用广泛,其质量对整个电子产品的性能和可靠性具有重要影响。本文综述了功率模块用陶瓷覆铜基板的发展现状,阐述了功率模块用陶瓷覆铜基板的质量评价相关性能要求,探索功率模块用陶瓷覆铜基板性能评价指标、测试方法,最终建立一套以市场为导向的,具有系统性、先进性和时效性的,涵盖产品性能符合性/工艺流程稳定性/服役适用性的功率模块用陶瓷覆铜板试验评价体系。通过实验测试和数据分析,建立质量评价的依据,使覆铜板生产单位和模块生产单位的工艺缺陷变得数据化、可计量,明确了自身产品性能表征指标,为工艺改进提供了评价标准和前进方向,为功率模块用陶瓷覆铜基板的质量控制提供了有力支持。     

直接敷铜陶瓷基板及制备方法

直接敷铜技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术,随着大功率模块与电力电子器件的发展与要求,直接敷铜已从氧化铝陶瓷基板发展到其他陶瓷基板。介绍了国内外陶瓷基板直接敷铜技术、理论研究、新进展和今后的发展趋势。     

氮化铝陶瓷覆铜基板的研制

通过高温热氧化的方法,在ＡＩＮ陶表面形成一薄层ＡＩ２Ｏ３作为过渡层,成功地将铜与ＡＩＮ陶瓷键合在一起,研制出性能优越的ＡＩＮ陶瓷覆铜基板。研究了ＡＩＮ热氧化时间及温度对键合质量的影响,提出子较佳的儿得的键合力可达１１０Ｎ／ｃｍ,同时,运用扫描电镜（ＳＥＭ０、电子能谱（ＥＤＸ）对键合结构作了分析和研究。ＡＩＮ衬底上的氧化物相对键合过程中上重要作用。     

氮化硅陶瓷的制备及进展

本文着重介绍了氮化硅陶瓷的制备工艺，提高氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善其断裂韧性的途径，并展望了氮化硅陶瓷的研究前景。     

氮化硅陶瓷的制备及进展

本文着重介绍了氮化硅陶瓷的制备工艺,提高氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善共断裂韧性的途径,并展望了氮化硅陶瓷的研究前景。     

氮化硅陶瓷的制备及进展

本文郑重介绍了氮化硅陶瓷的制备工艺、提高氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善其断裂韧性的途径,并展望了氮化硅陶瓷的研究前景。     

陶瓷与金属连接的研究及应用进展

陶瓷与金属的连接件在新能源汽车、电子电气、半导体封装和IGBT模块等领域有着广泛的应用,因此,具有高强度、高气密性的陶瓷与金属的封接工艺至关重要.目前,国内外在该领域内对于烧结金属粉末法(陶瓷金属化)、活性金属钎焊法和陶瓷基板覆铜等连接工艺已经有了深入研究和许多进展.本文对近二十年国内外广泛用于陶瓷与金属连接的产业化工...     

氮化硅/环氧复合电子基板材料制备及性能

以Si_3N_4粉末作为增强组分与环氧树脂进行复合,采用模压法制备了氮化硅/环氧树脂复合电子基板材料。研究了Si_3N_4含量对复合材料导热性能和介电性能的影响。研究结果表明,随着Si_3N_4含量的增加,复合材料中填料形成导热网络,复合材料的热导率也随之增加,当体积填充量为35%时,导热系数达到1．71 W/m·K。复合材料的介电常数随Si_3N_4含量的增加而增加,但在氮化硅陶瓷颗粒的体积分数达到35%时仍维持在较低的水平(7．08,1 MHz)。     

氮化硅陶瓷的制备及性能研究进展

氮化硅陶瓷是一种具有广阔发展前景的高温、高强度结构陶瓷,它具有强度高、抗热震稳定性好、疲劳韧性高、室温抗弯强度高、耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能好等高性能,已被广泛应用于各行业。本文介绍了氮化硅陶瓷的基本性质．综述了氮化硅陶瓷的制备工艺和提高其高温性能的方法以及增韧的途径,并展望了氮化硅陶瓷的发展前景。     

高导热氮化硅陶瓷基板影响因素研究现状

电子电力技术的高度集成化对承载电子元器件的脆性陶瓷基板提出了更高的散热和强度要求。氮化硅陶瓷兼备优异的本征热导率和力学性能,在大功率半导体器件封装领域有广阔的发展前景。然而,目前商业及实验中可实现的氮化硅热导率远低于其本征热导率,如何在保证氮化硅优异力学性能的基础上提高热导率仍然是一个难题。本文概述了高热导氮化硅的发展近况,着重论述氮化硅实际热导率的影响因素和提高方法。同时对比了几种氮化硅烧结工艺的优劣情况,并简要介绍目前主流商业化的氮化硅陶瓷基板成型工艺,最后对氮化硅陶瓷基板发展方向作出展望。