Cu掺杂对Ca2.7Bi0.3Co4-xCuxO9微观结构和热电性能的影响

采用固态反应法制备了Cu掺杂的Ca2.7Bi0.3Co4-xCuxO9(0.0≤X≤0.3)样品,研究了Cu掺杂对样品的微观结构和热电性能的影响.Cu部分替代Co增大了晶粒尺寸.样品的热电性能随着Cu含量的增加而增加.1000K时,x=0.3样品的电导率,塞贝克系数和功率因子分别达到97S·cm-1、1 81 μV·K-1和3.2 × 10-4Wm-1K-2,显著高于未掺杂的Ca3Co4O9样品.     

Mg4Nb2O9/CaTiO3复合介质陶瓷的结构和介电性能

以1.7%(质量分数)V2O5为烧结助剂,采用传统固相反应法制备了(1-x)Mg4Nb2O9 xCaTiO3[(1-x)MN-xCT]颗粒复合微波介质陶瓷.研究了陶瓷的微观结构和微波介电性能.结果表明:当0.5≤x≤0.7时,经1 150℃烧结5 h制备的(1-x)MN-xCT样品仍为Mg4Nb2O9和CaTiO3相,没有生成其它新相,在不同相之间存在元素扩散.当x从0.3增加到0.7,样品的相对介电常数(εr)和谐振频率(f)温度系数(τf)随x值的增加而增大,而品质因数(Q)却随x增大而降低.当x=0.5,1 150℃烧结5h后,获得的0.5Mg4Nb2O9/0.5CaTiO3 1.7%V2O5微波介质陶瓷的εr=20,Qf=48000 GHz(f=8 GHz),τf=12×10-6/℃.     

(K,Na) (Nb,Ta,Sb)O3粉体制备及陶瓷介电性能研究

Ta/Sb掺杂的K0.5Na0.5Nb0.7TaxSb0.3-xO3(KNNSTx,x＝0.06,0.09,0.12,0.15,0.18,0.21, 0.24)粉体经水热合成,Ta、Sb对粉体物相、微观结构的影响被系统研究,烧结后陶瓷的微观结构、介电性能表明:陶瓷物相均具有纯钙钛矿结构;随着Ta含量的增加陶瓷晶粒尺寸逐渐增大,x＝0.09、0.12时较小粒径颗粒均匀分布在大颗粒的空隙之间,陶瓷密度增加;样品的介电常数随着Ta含量的增加x＝0.06～0.12逐渐降低,x＝0.15～0.24逐渐增加,居里温度均在350 ℃左右,且x＝0.09、0.12时陶瓷介电损耗较小.     

钴掺杂对钛酸钡陶瓷晶体结构与电性能的影响(英文)

以湿化学合成方法制备了BaTi1-xCoxO3(x为Co的摩尔分数,x=0.01、0.03、0.05、0.1、0.2、0.3和0.4)陶瓷粉体,研究了Co含量对其晶体结构和电性能的影响.结果表明:随着Co含量的增加,材料在室温的晶相组成由四方相逐渐转变为四方与六方复合相.x=0.2时,晶相组成为纯六方相;x>0.2时,晶相转变为六方和立方混合相.材料的室温电阻相应逐渐减小,电阻温度关系从正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)特征转变为负温度系数(ncgalive temperature coefficient,NTC)特性.x=0.2、0.3和0.4时,材料的B常数分别为3 270、3 234 K和3 037 K.用极化子跳跃模型解释了材料的NTC现象.     

固相反应法快速制备FeSb2及其电学性质研究

采用高温固相反应法,在773～923 K的温度范围内考察了FeSb2的生成规律.制备出的样品进行了XRD和SEM分析,并对样品的电阻率和Seebeck系数进行了测试分析,结果表明:在温度883 K保温3 h的制备条件下,可以合成单相的多晶体化合物FeSb2.制备出的样品内部存在不均匀的微米级孔洞.样品在测试温度为511.63 K时获得最大的Seebeck系数36.34μV/k,在453.72 K时获得最大功率因子188.68μW/(m·K2)     

Phase Transition Behavior and Electrical Properties of （1-x）K（0.5）Na（0.5）NbO3-xCa（0.3）Ba（0.7）TiO3 Lead-Free Piezoelectric Ceramics

采用固相法制备了（1–x）K0.5Na0.5NbO3–xCa0.3Ba0.7TiO3[（1–x）KNN–xCBT]系列无铅压电陶瓷,研究了CBT的含量（x=0～0.08）对样品的物相结构、显微形貌、介电性能以及压电性能的影响。结果表明：所有样品都具有钙钛矿结构;随着x的增加,室温下样品从正交相逐渐向四方相过渡并且Curie温度向低温方向移动,样品的压电常数d33与机电耦合系数kp均先升高后降低。（1–x）KNN–xCBT多晶型转变位于0.03≤x≤0.04,当x=0.03时,样品的压电性能达到最佳：d33=142 pC/N,kp=40%,其介电损耗tanδ从室温到380℃范围内几乎不变且小于0.05,表明组分为x=0.03的陶瓷是一种非常有前景的无铅压电材料。     

铟填充Skutterudite化合物的晶体结构和热电性能

用熔融法结合放电等离子快速烧结技术（SPS）制备出单相的铟填充p型Skutterudite化合物InyFexC04-xSb12。Rietveld精确化结果表明：所制备的InyFexCohSb12化合物具有Skutterudite结构；与CoSb3相比，InyFexCo4-xSb12化合物的Sb—Sb键长增加，说明In原子填充进入了Skutterudite结构中的Sb二十面体空洞；In的原子位移参数比框架原子Sb、Fe／Co的大，说明In在空洞中具有扰动效应。热电性能测试结果表明：随着In原子填充量的增加，InyFexCO4-xSb12化合物的电导率减小、Seebeck系数增加、热导率降低，InyFexCo4-xSb12化合物在725K时具有最大的热电性能指数ZTmax值（0．71）。     

(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xBaSnO3陶瓷的微波介电性能

用传统陶瓷制备方法制备了(1-x)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-xBaSnO3[0.0≤x≤0.3,(1-x)BMN-xBS]体系微波介质陶瓷,研究了该陶瓷的微观结构和微波介电性能.用X射线衍射仪研究陶瓷的晶体结构.用扫描电镜观察陶瓷的显微结构.用网络分析仪测试陶瓷的微波介电性能.结果表明:晶格常数c和a均随x值的增加而增加;晶格常数比(c/a)随x值的增加而减小.当x≥0.1时,1∶2有序衍射峰消失.陶瓷的平均晶粒尺寸在0.7～2 μm之间.随x值的增加,陶瓷的相对介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τr)呈线性减小;品质因数与谐振频率的乘积(Qf)呈非线性变化.当x=0.15时,Qf达到最大值,为86 200 GHz.当x=0.3时,在此体系中可以获得τf接近零的微波介质陶瓷Ba(Sn0.3Mg0.233Nb0.467)O3,其微波介电性能如下:εr=26.1;Qf=42 500GHz;τr=4.3×10-6/℃.     

Bi2Cu0.1-xWxV0.9O5.35-δ的结构和氧离子导电性能

用乙二胺四乙酸(ethylenediamine tetraacetic acid,EDTA)-柠橡酸溶胶-凝胶法制备出具有单一Aurivillius结构的Bi2Cu0.1-xWxV0.9O5.35-δ(x=0,0.02,0.05,0.08)陶瓷.用X射线衍射、扫描电镜、差热分析、交流阻抗谱法等方法研究了陶瓷样品的晶体结构、显微结构和氧离子导电性能.结果表明:钨离子含量对陶瓷样品的晶体结构有明显的影响,但对显微结构的影响不显著.在室温下,x≤0.05时,陶瓷样品为四方结构,x=0.08的陶瓷样品转变为正交结构.钨离子含量对室温下为四方结构的陶瓷样品(x≤0.05)的γ'-γ相变动力学过程有显著影响.x≤0.05时,增加钨离子的含量可以提高陶瓷样品的氧离子电导率,x=0.05的陶瓷样品在600 ℃时的氧离子电导率达到0.14S/cm.     

(K0.52Na0.44Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3-BiFeO3无铅压电陶瓷的电性能

采用固相法制备(1-x)(K0.52Na0.44Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3-xBiFeO3[(1-x)LF4-xBF]无铅压电陶瓷,研究BF含量(0≤x≤0.010 00)对LF4陶瓷微观结构和电性能的影响.结果表明:所有样品均具有纯的四方钙钛矿结构,引入BF能明显改善LF4陶瓷的致密性...