新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

GaAs／Al_（0．4）Ga_（0．6）As多量子阱红外探测器光吸收计算

本文在有效质量理论基础上计算了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ多量子阱子带间光吸收谱以及电子态密度。具体讨论了两种情况的吸收．第一种情况是量子阱中只存在一个基态；第二种情况是量子阱中存在一个基态同时还存在一个激发态．最后与有关实验进行比较．     

MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光

用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．     

高电场下In_（0．53）Ga_（0．47）As／In_（0．52）Al_（0．

研究在外加电场０～５０ｋＶ／ｃｍ范围内，Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８ＡＳ宽量子阱电透射光谱中１１ｈ激子跃迁的谱线宽度（ＦＷＨＭ）．它可分解为由温度及界面粗糙度引起的非均匀展宽（高斯型）和由外场引起的均匀展宽（劳伦兹型）．用线性叠加的近似公式代替高斯和劳伦兹方程的卷积，再与实验光谱拟合．谱线总宽度、高斯展宽成份及线性叠加系数η均作为拟合参数得到，从而可得劳伦兹展宽．将与外场的关系曲线与理论作比较，在数量级上一致．     

GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带     

In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光

本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．     

（100）和（111）BGaAs衬底上的In_（0．14）Ga_（0．86）As／GaAs量子阱的发光特性和光跃迁能量计算

在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱结构．对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特性对比研究，测量与理论计算的光发射能量对比表明：（１００）面样品两者一致，而（１１１）Ｂ样品计算值比测量值高出１０～１５ｍｅＶ．这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的自建电场引起的发射能量红移作出解释．     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

用In_（0．5）Al_（0．5）P作发射区的新型GaAs HBT

用Ｉｎ_（０．５）Ａｌ_（０．５）Ｐ作发射区的新型ＧａＡｓＨＢＴ近年来，异质结双极晶体管（ＨＢＴ）在高速电路中的应用已引起广泛重视。据《ＩＥＥＥＥＤＬ》第１５卷１期报道．Ｊ．Ｍ．Ｋｕｏ等用气源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术首次生长出了Ｉｎ０．５Ａｌ０．５...     

高灵敏In_（0．53）Ca_（0．47）As／InP霍尔传感器

高灵敏Ｉｎ_（０．５３）Ｃａ_（０．４７）Ａｓ／ＩｎＰ霍尔传感器虽然霍尔效应早已众所周知，而且最早在固态传感器方面得到开发利用，但是霍尔效应器件迄今仍然极受重视。半导体工艺技术和应用潜力极大的磁场传感器的发展则更激起了人们的研究热情。近来，Ⅲ－Ｖ族半导...     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的f_T及f_（max）

用电荷控制及热电子弹道运动模型计算ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３热电子晶体管的截止频率ｆＴ及最高振荡频率ｆｍａｘ。结果表明，ｆＴ、ｆｍａｘ分别达到２８０ＧＨｚ及６００ＧＨｚ。并指出，通过生长ＧａＳｂ中间层，ＩｎＡｓ／ＩｎＰ０．７Ｓｂ０．３ＨＥＴ可在ＧａＡｓ衬底上实现单片集成。     

P~＋－Ge_（0．3）Si_（0．7）／P－Si异质结内光发射红外探测器77K的特性

首次报导了一种改进结构的Ｐ＋—Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｐ—Ｓｉ异质结内光发射长波长红外探测器在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。     

n－Al_xGa_（1－x）As／n－GaAs的特性参数研究

本文测了ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ的表面光伏谱，推导了有关计算公式，计算了它们的能隙和组分，得出了它们的重要材料参数．计算结果表明：理论计算与实验结果是一致的．     

Al_xGa_（1－x）As／GaAs价带偏移的理论计算

ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥｖ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ２的理论计算结果．该计算结果与目前的一些实验结果符合较好．     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时．     

高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６e１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１e１３ｃｍ－２）．     

InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压

分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。     

采用缓变In_xGa_（1－x）As沟道的高性能δ掺杂GaAs／In_xGa_（1－x）As PHEMT

采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ　ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９...     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱红外焦平面性能初探

ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外焦平面性能初探周士源（南京理工大学南京２１００９４）热电流和量子效率是ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ多量子阱红外焦平面的两个最关键的特性，它决定着焦平面阵列的探测率和噪声等效温差ＮＥＴＤ。本文...     

势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布

在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响．