首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
用简单方法合成了含吡啶羧酸基团的聚天冬氨酸接枝共聚物,并对产物进行红外表征.采用阻垢实验、分散实验和旋转挂片腐蚀实验对该共聚物进行了性能评定.结果表明,该接枝共聚物具有优异的阻碳酸钙垢性能和分散氧化铁性能,并具有明显的阻磷酸钙性能和缓蚀性能.  相似文献   

2.
合成了丙烯磺酸钠(SAS)/异丙烯膦酸(IPPA)/丙烯酸(AA)三元共聚物,考察了共聚物对碳酸钙垢、磷酸钙垢的阻垢性能、分散氧化铁性能与缓蚀性能。结果表明,此共聚物不仅具有优异的阻垢性能,而且还具有一定的缓蚀性能,是一种综合性能较好的阻垢缓蚀剂。  相似文献   

3.
ZPS-02膦基磺酸共聚物的阻垢分散性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用静态阻垢方法研究了ZPS-02膦基磺酸共聚物的阻垢分散性能。研究结果表明,ZPS-02在抑制碳酸钙垢、硫酸钙垢、磷酸钙垢,稳定锌和分散氧化铁沉积等方面性能均优于HEDP。  相似文献   

4.
刘展  刘振法 《科学技术与工程》2013,13(8):2124-2127,2137
描述了共聚物ESA/AMPS的合成。红外光谱法和元素分析法表征了共聚物的结构。考察了其阻垢分散性能,并利用扫描电镜对形成的垢样CaCO3形貌和晶形进行了观察和分析。结果表明,共聚物具有良好的阻垢分散性能,ESA/AMPS共聚物对垢样晶形有扭曲的作用。  相似文献   

5.
共聚物阻垢剂AA/AMPS制备及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
在水溶液中,以丙烯酸(AA)、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸(AMPS)为原料,合成集膦酸基、羧酸基、磺酸基于一体的共聚物.探讨了钙容忍度、Fe2O3的分散性能、pH值等对共聚物阻垢性能的影响.研究表明,该阻垢剂有较好的阻CaCO3垢、Ca3(PO4)2垢能力及分散性能和缓蚀性能.  相似文献   

6.
以马来酸酐为原料,双氧水为氧化剂,钨酸钠为催化剂合成了中间体环氧琥珀酸(ESA),再以环氧琥珀酸(ESA)、丙烯酸(AA)、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸(AMPS)为原料,过硫酸铵为引发剂,合成了新型绿色阻垢剂ESA/AA/AMPS三元共聚物。用静态阻垢法评价了该产品的综合阻垢性能和稳锌能力,结果表明:ESA/AA/AMPS三元共聚物阻碳酸钙垢的效果与聚环氧琥珀酸(PESA)基本相当,而阻磷酸钙垢、硫酸钙垢及稳锌能力均明显优于PESA。  相似文献   

7.
碳酸钙成垢离子变化规律及阻垢剂评价新方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了碳酸盐垢成垢过程中成垢阴、阳离子浓度的变化规律,并在此基础上提出了利用酸碱滴定来评价阻垢剂性能的方法.其基本原理是用酸标准溶液滴定静态阻垢实验前后成垢阴离子(HCO3-)浓度变化来评价阻垢剂的阻垢效率.利用此方法对HEDP,PBTCA,丙烯酸-丙烯酸羟丙酯三元共聚物等常用阻垢剂的阻碳酸钙垢性能进行了评价,较传统的络合滴定法具有操作方便、经济,更易于实现自动化等优点.  相似文献   

8.
采用静态阻垢实验考察了静电场与ESA/AMPS共聚物共同作用时的阻垢性能。实验结果表明,静电场与ESA/AMPS共聚物对碳酸钙和磷酸钙有协同阻垢作用,静电与ESA/AMPS共聚物对CaCO3的协同阻垢率比药剂单独作用时最大可提高19%;静电与ESA/AMPS共聚物对Ca3(PO4)2的协同阻垢率比药剂单独作用时最大提高量可达73.3%。利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对CaCO3垢样进行了观察。结果表明,ESA/AMPS共聚物对垢样晶形有扭曲作用,而静电与ESA/AMPS共聚物协同作用时,与共聚物单独使用时的垢样没有太大改变。  相似文献   

9.
研究了丙烯酸—烯丙基磺酸钠(AA—SAS)二元共聚水溶性固体阻垢剂的合成工艺及对碳酸钙的阻垢效果。探讨了单体配比、引发剂用量与共聚物阻垢性能的关系,测定了共聚物在不同水质中的阻垢性能。结果表明,AA—SAS水溶性共聚物对CaCO3垢具有很好的防止效果。  相似文献   

10.
以MA和AMPS为原料,以过硫酸铵为引发剂合成了ESA/AMPS共聚物.通过静态阻垢实验,考察了各实验条件对ESA/AMPS共聚物阻碳酸钙垢、磷酸钙垢的阻垢率的影响.得出最佳合成工艺条件为单体配比m(MA)∶m(AMPS)=3∶1,引发剂用量质量分数4%,聚合时间3h,聚合反应温度85~90℃.阻垢剂投药量约5mg/L时,阻垢效果最好.  相似文献   

11.
含磺酸基共聚物水处理剂的合成工艺及性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
以水为溶剂,次亚磷酸钠-过硫酸钠为引发剂,丙烯酸(AA)和1-烯丙氧基-2-羟丙基磺酸钠(COPS-1)为单体合成了含磺酸基的水溶性缓蚀阻垢剂。在装有机械搅拌、回流冷凝管、恒压漏斗和温度计的四口烧瓶中,按一定配比加入次亚磷酸钠、少量助剂和蒸馏水,在一定温度和搅拌条件下,分别同时滴加过硫酸钠水溶液和COPS-1/AA(AA恒为0.4mol)混合水溶液,进行共聚反应。该文实验通过优选法,考察了该共聚物阻垢性能与单体配比、引发剂用量、反应温度和反应时间等之间的关系,寻出了最佳合成工艺条件,研究结果表明,该共聚物的阻垢分散性能明显。  相似文献   

12.
IPPA/AA/AM三元共聚物对硫酸钙的阻垢性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
以异丙烯膦酸、丙烯酸和丙烯酰胺为单体,以过氧化物为引发剂合成了异丙烯膦酸-丙烯酸-丙烯酰胺三元共聚物;研究了共聚物对硫酸钙的阻垢性能,探讨了共聚物质量浓度、钙离子质量深度、硫酸根离子质量浓度、温度和pH值等因素对硫酸钙阻垢率的影响,结果表明,此三元共聚物对硫酸钙具有良好的阻垢性能。  相似文献   

13.
以水为溶剂,过硫酸钾为引发剂,马来酸酐(MA)、丙烯酸(AA)和甲代烯丙基磺酸钠(MAS)为单体合成了共聚物,综合研究该产品的阻垢性能。探讨了介质pH值、Ca2+浓度、温度和共聚物用量对MA-AA-MAS共聚物阻垢性能的影响。结果表明,MA AA MAS共聚物在较宽的介质温度范围内对碳酸钙和磷酸钙都有良好的阻垢效果,对CaCO3 和 Ca3(PO4)2 阻垢率可分别达到98.2%和92.1%。而且也适用于硬度不超过250mg/L的水处理系统中。  相似文献   

14.
复配阻垢剂的性能及阻垢机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用静态阻垢法对聚环氧琥珀酸(PESA)、聚天冬氨酸(PASP)和丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物(AA/AMPS)组成的复配阻垢剂的阻垢性能进行研究,采用SEM初步探讨了复配阻垢剂的阻垢机理.结果表明与进口阻垢剂MDC220和PTP-0100相比,复配阻垢剂对CaCO3,CaSO4和Fe2O3有很好的阻垢性能,硬度和碱度对复配阻垢剂的阻垢性能影响较小.对加入复配阻垢剂前后的碳酸钙垢样和硫酸钙垢样进行了分析,结果表明,复配阻垢剂使垢的晶格产生了畸变,使晶体从有规则致密结构的晶体变为松软的不定型体.  相似文献   

15.
通过枯草芽孢杆菌发酵得到γ-聚谷氨酸(γ-PGA),并采用静态阻垢法评价γ-PGA的阻垢性能.研究了温度、pH值、Ca~(2+)浓度、γ-PGA分子量以及γ-PGA浓度对于该阻垢性能的影响,并对其阻垢产物进行结构表征以及对阻垢原理进行初步分析.研究结果表明,γ-PGA大分子和小分子均具有较强的阻垢作用,而小分子具有比大分子更加优良的阻垢特性.在阻CaSO_4垢和阻CaCO_3垢实验中,达到100%阻垢率时,小分子γ-PGA的最低浓度分别为4 mg/L和2 mg/L,而在相同条件下大分子γ-PGA的最低浓度均为20 mg/L.  相似文献   

16.
含磷聚合物水处理剂的合成和性能   总被引:2,自引:1,他引:1  
用氧化还原引发体系,在水相中合成丙烯酸(AA)/丙烯酸羟丙酯(HPA),丙烯酸/2-丙烯酰胺基-2-甲基丙基磺酸(AMPS)和AA/HPA/AMPS三种含磷共聚物。并探讨了合成条件对其结构与性能之间的关系。研究结果表明,在较高pH值,和高硬度的苛刻水质条件下,它们具有良好的阻碳酸钙和阻磷酸钙垢的性能。  相似文献   

17.
MA-AA-MAS三元共聚物的制备及其阻垢性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
以水为溶剂,过硫酸钾为引发剂,马来酸酐(MA)、丙烯酸(AA)和甲代烯丙基磺酸钠(MAS)为单体合成了三元共聚物.探讨了该共聚物转化率、平均分子质量、阻垢分散效果与单体配比、引发剂用量、反应温度、反应时间之间的关系.结果表明,当单体MA,AA,MAS物质的量比为3.0∶1.0∶0.6,引发剂质量分数为单体总量的14%,反应温度应控制在90℃,反应时间为4 h时,所制得的共聚物性能最佳,单体转化率为90.1%,对CaCO3和Ca3(PO4)2的阻垢率分别达到98.2%和92.1%.  相似文献   

18.
以阴离子单体和非离子单体为原料合成了一种聚合物防垢剂,研究了其防垢效果与聚合温度、引发剂用量及单体浓度等因素的关系。考察了共聚物用量和溶液中Ca2+、Ba2+离子浓度对防垢效果的影响。结果表明:FPM-1对CaSO4、CaCO3具有较好的防垢效果,对BaSO4垢具有一定的抑制作用,可作油田注水和工业循环冷却水的阻垢剂。对BaSO4的透射扫描电镜分析结果表明:FPM-1通过分子链上的羧嵌基和磺酸基在晶体表面发生吸附作用,或聚合物入晶体的晶格中,致使晶体发生畸变,不易沉淀成垢。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号